描(miao)述(shu)：HFO-100型(xing)鉿(ha)基(ji)鐵電(dian)薄膜測(ce)試(shi)儀是(shi)壹(yi)款高量程(cheng)款的鐵(tie)電(dian)性(xing)能(neng)材料測(ce)試(shi)裝(zhuang)置，這(zhe)款(kuan)設(she)備(bei)可(ke)以適用於鐵電(dian)薄膜、鐵電(dian)體(ti)材料（既可(ke)塊(kuai)體(ti)材料）的電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)量，可(ke)測(ce)量鐵(tie)電(dian)薄膜電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)、可(ke)測(ce)出具(ju)有(you)非對(dui)稱(cheng)電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)鐵(tie)電(dian)薄膜值(zhi)。

關鍵詞(ci):Hfo2, 鉿基(ji)鐵電(dian),鐵電(dian)薄膜，疲(pi)勞，電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)  

壹、產品介紹(shao)：

HFO-100型(xing)鉿基(ji)鐵電(dian)薄膜測(ce)試(shi)儀是壹款高量程(cheng)款的鐵(tie)電(dian)性(xing)能(neng)材料測(ce)試(shi)裝(zhuang)置，這(zhe)款(kuan)設(she)備(bei)可(ke)以適用於鐵電(dian)薄膜、鐵電(dian)體(ti)材料（既可(ke)塊(kuai)體(ti)材料）的電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)量，可(ke)測(ce)量鐵(tie)電(dian)薄膜電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)、可(ke)測(ce)出具(ju)有(you)非對(dui)稱(cheng)電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)鐵(tie)電(dian)薄膜值(zhi)。可(ke)以進(jin)行(xing)電(dian)致應變測(ce)試(shi)，可(ke)以蝴(hu)蝶(die)曲(qu)線(xian)功能，設備(bei)還可(ke)以擴(kuo)展(zhan)高溫(wen)電(dian)阻，高溫(wen)介電(dian)，電(dian)容-電(dian)壓曲(qu)線(xian)，TSC/TSDC等功能。鐵(tie)電(dian)材料的大(da)規模(mo)應(ying)用源自鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)結構鈦酸鋇鐵電(dian)體(ti)的發(fa)現(xian)，直到今(jin)日(ri)鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)鐵(tie)電(dian)體(ti)仍然是(shi)無機鐵電(dian)體(ti)中的主(zhu)流(liu)。然而(er)，在微納電(dian)子應(ying)用中，與(yu) CMOS 工(gong)藝(yi)更兼容的鉿(ha)基(ji)鐵電(dian)薄膜逐漸(jian)成(cheng)為(wei)研究熱點。本儀器是(shi)從事壓電(dian)材料及(ji)壓電(dian)元(yuan)件(jian)生產、應用(yong)與(yu)研究(jiu)部(bu)門(men)的重(zhong)要(yao)設備(bei)之(zhi)壹(yi)，已(yi)經(jing)在各大(da)高校(xiao)和科研(yan)院(yuan)所(suo)廣泛使用(yong)。

二(er)、氧化鉿鐵電(dian)材料的崛(jue)起

傳統(tong)的鈣(gai)鈦(tai)礦(kuang)類(lei)鐵(tie)電(dian)材料由於尺(chi)寸難(nan)以(yi)進壹(yi)步縮小(xiao)，已(yi)經(jing)難以滿足(zu)現代(dai)集(ji)成(cheng)電(dian)路對高密度與(yu)高集(ji)成(cheng)度的需(xu)求。而氧(yang)化(hua)鉿（HfO₂）基(ji)鐵電(dian)材料憑(ping)借(jie)其的微縮能力(li)和與(yu)現有(you)CMOS工(gong)藝(yi)的兼(jian)容性(xing)，成(cheng)為(wei)近年(nian)來(lai)鐵(tie)電(dian)研究(jiu)的熱點材料。氧化鉿材料的出現(xian)標誌(zhi)著鐵(tie)電(dian)材料從傳統(tong)邁(mai)向現(xian)代(dai)，開啟了(le)存(cun)儲(chu)器應(ying)用的新紀元(yuan)。

主要功能：

■高存(cun)儲(chu)密度：單個存(cun)儲(chu)單元(yuan)由壹個晶體(ti)管構成(cheng)，可(ke)實現(xian)高密度集(ji)成(cheng)；

■低功耗(hao)：極(ji)化翻(fan)轉所(suo)需(xu)能量低於傳統(tong)存(cun)儲(chu)器；

■高速性(xing)：操作速度小(xiao)於20納秒，適合實(shi)時(shi)性(xing)要(yao)求高的應(ying)用(yong)場(chang)景；

■非破(po)壞(huai)性(xing)讀取：避(bi)免(mian)數(shu)據(ju)讀取過程(cheng)中對存(cun)儲(chu)狀(zhuang)態的破(po)壞(huai)，提(ti)高整體(ti)存(cun)儲(chu)效(xiao)率。

二(er)、主要(yao)技術(shu)指標(biao)：

1、輸出信(xin)號(hao)電(dian)壓：：±100 V可(ke)擴展(zhan)電(dian)致應蝴(hu)蝶(die)曲(qu)線(xian)功能

2、溫(wen)度；室(shi)溫(wen)-200℃，控溫(wen)精度：±1℃

3、控制(zhi)施加(jia)頻(pin)率0.01到1KHz（陶瓷、單晶，薄膜）PC端軟(ruan)件控(kong)制(zhi)自定義設(she)置(zhi)；

4、控制(zhi)輸出電(dian)流(liu)0到±50mA連(lian)續可(ke)調，PC端軟(ruan)件控(kong)制(zhi)自定義設(she)置(zhi)。

5、動態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)測(ce)試(shi)頻(pin)率範(fan)圍(wei) 0.01Hz-1kHz

7、最小(xiao)脈寬(kuan)保持(chi)時間為(wei)20us;最小(xiao)上升(sheng)沿時(shi)間為(wei)10us;

8、疲(pi)勞測(ce)試(shi)頻(pin)率500kHz（振幅(fu)10 Vpp，負(fu)載電(dian)容1 nF）；

9、測(ce)試(shi)速度：測(ce)量時(shi)間《5秒/樣品•溫(wen)度點(dian)

10、樣品規格(ge)：塊(kuai)體(ti)材料尺(chi)寸：直徑(jing)2-100mm，厚度0.1-10mm

11、主要功能： 動態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)DHM，靜態電(dian)滯(zhi)回(hui)線(xian)SHM，I-V特性(xing)，脈沖PUND，疲(pi)勞Fatigue，電(dian)擊穿(chuan)強(qiang)度BDM，漏電(dian)流(liu)LM，電(dian)流(liu)-偏(pian)壓，保持(chi)力RM，

10. 電(dian)荷(he)解(jie)析度不(bu)小(xiao)於10 mC;

漏電(dian)流(liu)測(ce)量範(fan)圍(wei):1pA~ 20 mA，分辨(bian)率不(bu)低於0.1pA;

12、控制(zhi)方式：計算(suan)機(ji)實時控(kong)制(zhi)、實時(shi)顯示(shi)、實(shi)時(shi)數(shu)據(ju)計算(suan)、分析與(yu)存(cun)儲(chu)

13、軟(ruan)件采集(ji)：自動采集(ji)軟(ruan)件，分(fen)析可(ke)以兼(jian)容其他相關主流(liu)軟(ruan)件。

14、測(ce)試(shi)精度：±0.05%

15、內置電(dian)壓：±20V

16、可(ke)增模(mo)塊(kuai)：

印跡(ji)印痕(hen)IM

變溫(wen)測(ce)試(shi)THM

POM 模(mo)塊(kuai)實現(xian)極(ji)化測(ce)量功能

CVM模(mo)塊(kuai)實現(xian)小(xiao)信(xin)號(hao)電(dian)容測(ce)試(shi)，獲得C-V曲(qu)線(xian)

PZM模(mo)塊(kuai)實現(xian)壓電(dian)特性(xing)測(ce)試(shi)

DPM模(mo)塊(kuai)測(ce)試(shi)介(jie)電(dian)性(xing)能(neng)

RTM模(mo)塊(kuai)測(ce)試(shi)電(dian)阻/電(dian)阻率性(xing)能(neng)

CCDM模(mo)塊(kuai)實現(xian)電(dian)容充(chong)放(fang)電(dian)測(ce)試(shi)。

17、探針臺(選(xuan)配(pei))：

              美國(guo)TF-2000測(ce)試(shi)數(shu)據(ju)對比(bi)圖(tu)

 美國(guo)TF-2000測(ce)試(shi)數(shu)據(ju)對比(bi)圖(tu)