中國(guo)科(ke)學(xue)院物理所主(zhu)導開發(fa)FE-5000W型(xing)鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)

中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院物理所主(zhu)導開發(fa)FE-5000W型(xing)鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)

中(zhong)科院鄭(zheng)重申明(ming)：

1.材(cai)料(liao)產(chan)品(pin)精準(zhun)測(ce)量(liang)，數據(ju)真實可信(xin)，請勿(wu)相(xiang)信其(qi)它(ta)任(ren)何仿制我們參數相(xiang)同(tong)的(de)產(chan)品(pin).

2.為(wei)了保護購(gou)買(mai)者(zhe)的(de)利益(yi)：我們支(zhi)持貨(huo)到(dao)驗(yan)收(shou)後(hou)付(fu)款。

FE-5000型(xing)鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)

關鍵詞:電(dian)滯回(hui)線 ,鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)，電壓，頻率(lv) ，電(dian)致(zhi)應變，蝴(hu)蝶曲(qu)線

         中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)院物理所主(zhu)導開發(fa)FE-5000W型(xing)鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)，該鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)

關鍵詞:電(dian)滯回(hui)線 ,鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)，電壓，頻率(lv) ，電(dian)致(zhi)應變，蝴(hu)蝶曲(qu)線

壹(yi)、產(chan)品(pin)介紹(shao)：

    FE-5000型(xing)鐵(tie)電測(ce)試(shi)儀(yi)是由(you)中(zhong)國(guo)科(ke)學(xue)物理研究所研(yan)制(zhi)的(de)壹(yi)款(kuan)高(gao)量(liang)程款(kuan)的(de)鐵(tie)電性能材(cai)料(liao)測(ce)試(shi)裝(zhuang)置(zhi)，這款(kuan)設備(bei)可(ke)以(yi)適(shi)用於(yu)鐵(tie)電薄膜(mo)、鐵(tie)電體材(cai)料(liao)（既可塊(kuai)體(ti)材(cai)料(liao)）的(de)電性(xing)能測(ce)量(liang)，可測(ce)量(liang)鐵(tie)電薄膜(mo)電滯回(hui)線、可(ke)測(ce)出(chu)具(ju)有(you)非對稱電(dian)滯回(hui)線鐵(tie)電薄膜(mo)值。可以(yi)進(jin)行電致(zhi)應變測(ce)試(shi)，可(ke)以(yi)蝴(hu)蝶曲(qu)線功(gong)能(neng)，設備(bei)還(hai)可以(yi)擴(kuo)展(zhan)高(gao)溫(wen)電(dian)阻(zu)，高(gao)溫(wen)介(jie)電(dian)，電(dian)容-電壓曲(qu)線，TSC/TSDC等功能(neng)。本(ben)儀(yi)器是從事(shi)壓電材(cai)料(liao)及壓電元件生產(chan)、應用與(yu)研究(jiu)部(bu)門(men)的(de)重要(yao)設備(bei)之(zhi)壹(yi)，已經(jing)在各(ge)大高(gao)校(xiao)和科研(yan)院所廣泛(fan)使用。

二、主(zhu)要(yao)技術指標：

1、輸(shu)出信號電壓：：±5KV,10 kV可(ke)擴(kuo)展(zhan)電(dian)致(zhi)應蝴(hu)蝶曲(qu)線功(gong)能(neng)

2、溫(wen)度；室(shi)溫(wen)-200℃，控(kong)溫(wen)精(jing)度：±1℃

3、控(kong)制施加(jia)頻率(lv)0.01到(dao)1KHz（陶(tao)瓷(ci)、單(dan)晶(jing)，薄膜(mo)）PC端(duan)軟件(jian)控(kong)制自定(ding)義設(she)置(zhi)；

4、控(kong)制輸(shu)出電流(liu)0到(dao)±50mA連(lian)續可調，PC端(duan)軟件(jian)控(kong)制自定(ding)義設(she)置(zhi)。

5、動態(tai)電(dian)滯回(hui)線測(ce)試(shi)頻率(lv)範(fan)圍 0.01Hz-5kHz

7、最小(xiao)脈寬(kuan)保持時(shi)間為(wei)20us;最小(xiao)上升(sheng)沿時(shi)間為(wei)10us;

8、疲(pi)勞(lao)測(ce)試(shi)頻率(lv)500kHz（振幅(fu)10 Vpp，負(fu)載(zai)電容1 nF）；使用高(gao)壓放(fang)大器後疲勞(lao)頻率(lv)最高(gao)5kHz;

9、測(ce)試(shi)速(su)度：測(ce)量(liang)時(shi)間《5秒(miao)/樣品(pin)•溫(wen)度點(dian)   

10、樣品(pin)規(gui)格：塊(kuai)體(ti)材(cai)料(liao)尺寸：直(zhi)徑(jing)2-100mm，厚度0.1-10mm

11、主(zhu)要功(gong)能： 動態(tai)電(dian)滯回(hui)線DHM，靜(jing)態電(dian)滯回(hui)線SHM，I-V特(te)性，脈沖(chong)PUND，疲(pi)勞(lao)Fatigue，電(dian)擊(ji)穿(chuan)強(qiang)度BDM，漏(lou)電(dian)流(liu)LM，電(dian)流(liu)-偏壓，保持力RM，

10. 電(dian)荷(he)解析度不(bu)小(xiao)於(yu)10 mC;

漏(lou)電流(liu)測(ce)量(liang)範圍:1pA~ 20 mA，分(fen)辨(bian)率(lv)不(bu)低(di)於(yu)0.1pA;

12、控(kong)制方式(shi)：計算(suan)機實(shi)時(shi)控(kong)制、實(shi)時(shi)顯示、實時(shi)數據(ju)計算(suan)、分(fen)析與(yu)存儲

13、軟(ruan)件采(cai)集：自動采(cai)集(ji)軟(ruan)件，分(fen)析可以(yi)兼容其(qi)他(ta)相(xiang)關主流(liu)軟(ruan)件。

14、測(ce)試(shi)精(jing)度：±0.05%

15、內置(zhi)電(dian)壓：±20V

可(ke)增(zeng)模塊(kuai)：

印(yin)跡(ji)印痕IM

變溫(wen)測(ce)試(shi)THM

POM 模塊(kuai)實(shi)現(xian)極化測(ce)量(liang)功能(neng)

CVM模塊(kuai)實(shi)現(xian)小(xiao)信號電容測(ce)試(shi)，獲得C-V曲(qu)線

PZM模塊(kuai)實(shi)現(xian)壓電特(te)性測(ce)試(shi)

DPM模塊(kuai)測(ce)試(shi)介(jie)電(dian)性能

RTM模塊(kuai)測(ce)試(shi)電(dian)阻(zu)/電阻率(lv)性(xing)能(neng)

CCDM模塊(kuai)實(shi)現(xian)電容充放(fang)電(dian)測(ce)試(shi)。

薄膜(mo)探(tan)針臺

          FC-5000和(he)美國(guo)TF-2000測(ce)試(shi)數(shu)據(ju)對比(bi)圖(tu)

                         實(shi)測(ce)電(dian)滯回(hui)線，漏(lou)電(dian)流(liu)，擊(ji)穿(chuan)測(ce)試(shi)等功能(neng)