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目前常規的(de)方法(fa)是(shi)通(tong)過電滯回線(xian)計算(suan)高壓下電介質(zhi)的(de)能量密(mi)度(du)，測試(shi)時，樣(yang)品(pin)的(de)電荷是(shi)放(fang)回(hui)到(dao)高壓源上(shang)，而(er)不(bu)是(shi)釋(shi)放(fang)到(dao)負(fu)載(zai)上(shang)，通(tong)過電滯回線(xian)測得的(de)儲(chu)能密度(du)壹般(ban)會大於(yu)樣(yang)品(pin)實(shi)際釋(shi)放(fang)的(de)能量密(mi)度(du)，無(wu)法(fa)正(zheng)確評估(gu)電介質(zhi)材料的(de)正常放(fang)電性能。DCD-100儲(chu)能型(xing)電介質(zhi)充放(fang)電測試(shi)系(xi)統(tong)專為(wei)研(yan)究(jiu)儲(chu)能電介質(zhi)材料快速充(chong)放(fang)電性能而(er)設計，適(shi)用(yong)陶瓷、薄(bo)膜(mo)材料，可進行(xing)變(bian)溫下(xia)的(de)欠、過阻(zu)尼(ni)充(chong)放(fang)電測試(shi)。是(shi)目前研(yan)究(jiu)儲(chu)能材料的(de)重要科(ke)研(yan)設備(bei)，是(shi)目前高等(deng)院(yuan)校(xiao)和(he)
