描(miao)述(shu)：FE-2000A型(xing)鐵(tie)電測(ce)試儀是(shi)壹款可(ke)以兼(jian)容(rong)多(duo)種(zhong)功能(neng)的(de)鐵(tie)電綜(zong)合測(ce)試系統(tong)，即(ji)用(yong)於鐵(tie)電體的(de)鐵(tie)電性(xing)能(neng)測(ce)量(liang)、可(ke)用(yong)於鐵(tie)電體的(de)科學研究及近代物理(li)實(shi)驗(yan)中的(de)固(gu)體物理(li)實(shi)驗(yan)以及工業(ye)化(hua)生(sheng)產(chan)鐵(tie)電存(cun)儲器(qi)的(de)鐵(tie)電性(xing)能(neng)檢測(ce)中。本測(ce)試系統(tong)主要(yao)包(bao)括可(ke)編(bian)程信號源(yuan)、微(wei)電(dian)流放大器(qi)、積分器(qi)、放大倍數可(ke)編(bian)程放大器(qi)、模(mo)/數轉換(huan)器(qi)數/模(mo)轉換(huan)器(qi)、微(wei)機(ji)接口(kou)部(bu)分、微(wei)機(ji)和應(ying)用(yong)軟件等(deng)部(bu)分組成(cheng)。

FE -2000鐵(tie)電材料(liao)參數測(ce)試儀主要(yao)由正弦(xian)波(bo)、三(san)角(jiao)波(bo)、間歇

FE-2000A型(xing)鐵(tie)電測(ce)試儀

關鍵(jian)詞(ci)：

PYM 熱(re)釋電測(ce)量(liang)

DTS 介(jie)電溫(wen)譜測(ce)量(liang)

RT 電(dian)阻測(ce)量(liang)

PZM 壓(ya)電測(ce)量(liang)

CHM 態(tai)電滯(zhi)回(hui)線測(ce)量(liang)

IM 印跡測(ce)量(liang) 

RM 保(bao)持力測(ce)量(liang)

      FE-2000A型(xing)鐵(tie)電測(ce)試儀是(shi)壹款可(ke)以兼(jian)容(rong)多(duo)種(zhong)功能(neng)的(de)鐵(tie)電綜(zong)合測(ce)試系統(tong)，即(ji)用(yong)於鐵(tie)電體的(de)鐵(tie)電性(xing)能(neng)測(ce)量(liang)、可(ke)用(yong)於鐵(tie)電體的(de)科學研究及近代物理(li)實(shi)驗(yan)中的(de)固(gu)體物理(li)實(shi)驗(yan)以及工業(ye)化(hua)生(sheng)產(chan)鐵(tie)電存(cun)儲器(qi)的(de)鐵(tie)電性(xing)能(neng)檢測(ce)中。本測(ce)試系統(tong)主要(yao)包(bao)括可(ke)編(bian)程信號源(yuan)、微(wei)電(dian)流放大器(qi)、積分器(qi)、放大倍數可(ke)編(bian)程放大器(qi)、模(mo)/數轉換(huan)器(qi)數/模(mo)轉換(huan)器(qi)、微(wei)機(ji)接口(kou)部(bu)分、微(wei)機(ji)和應(ying)用(yong)軟件等(deng)部(bu)分組成(cheng)。

 FE -2000鐵(tie)電材料(liao)參數測(ce)試儀主要(yao)由正弦(xian)波(bo)、三(san)角(jiao)波(bo)、間歇三(san)角(jiao)波(bo)、梯(ti)形波(bo)發(fa)生器(qi)及正、負(fu)矩形脈(mai)沖(chong)和雙極性(xing)雙脈(mai)沖(chong)發(fa)生器(qi)外加(jia)鐵(tie)電材料(liao)電(dian)滯(zhi)回(hui)線、I-V特性(xing)及開關特性(xing)測(ce)量(liang)電(dian)路(lu)構成(cheng)。適(shi)用(yong)於鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)、鐵(tie)電體材料(liao)的(de)電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)量(liang),可(ke)測(ce)量(liang)鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)電(dian)滯(zhi)回(hui)線、IーV特性(xing)及開關特性(xing),可(ke)地測(ce)出(chu)具有非(fei)對稱(cheng)電滯回(hui)線鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)的(de)Pr值(zhi)。可(ke)測(ce)鐵(tie)電體材料(liao)的(de)電(dian)滯(zhi)回(hui)線及IV特性(xing)。同時(shi)也(ye)可(ke)作(zuo)為ー臺(tai)通(tong)用(yong)信號發(fa)生器(qi)、高壓(ya)信號發(fa)生器(qi)使(shi)用(yong)。

壹、測(ce)試系統(tong)：

本測(ce)試系統(tong)采用(yong)虛地模(mo)式(shi)測(ce)量(liang)電(dian)路(lu),與(yu)傳(chuan)統(tong)的(de)Sawyer- Tower模(mo)式(shi)相比(bi),此電路(lu)取(qu)消了(le)外(wai)接電(dian)容,可(ke)減小(xiao)寄生元(yuan)件的(de)影(ying)響(xiang)。此電路(lu)的(de)測(ce)試精度僅取(qu)決(jue)於積分器(qi)積分電容(rong)的(de)精度。減少(shao)了(le)對測(ce)試的(de)影(ying)響(xiang)環(huan)節,比(bi)較容(rong)易(yi)定(ding)標和校準(zhun),並且能(neng)實(shi)現(xian)較高(gao)的(de)測(ce)量(liang)準(zhun)確(que)度。它不(bu)僅能(neng)畫(hua)出(chu)鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)的(de)電(dian)滯(zhi)回(hui)線,還(hai)可(ke)以定(ding)量得(de)到(dao)鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)材料(liao)的(de)飽(bao)和極(ji)化(hua)Ps、剩(sheng)余(yu)極(ji)化(hua)Pr、矯頑(wan)場(chang)Ec、漏(lou)電流lk等(deng)參數,以及對鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)材料(liao)的(de)鐵(tie)電疲勞(lao)性(xing)能(neng)、鐵(tie)電保(bao)持性(xing)能(neng)的(de)測(ce)試。能(neng)夠(gou)較(jiao)準(zhun)確(que)地測(ce)量(liang)鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)的(de)鐵(tie)電性(xing)能(neng)。儀(yi)器(qi)采用(yong)壹體化(hua)設(she)計(ji),實(shi)現(xian)測(ce)試結果(guo)全數字(zi)化(hua),操(cao)作簡單(dan)方便。

二(er)、主要(yao)及可(ke)擴(kuo)展功能(neng)：

DHM 動態(tai)電(dian)滯回(hui)線測(ce)量(liang)

CVM CV測(ce)量(liang)

LM 漏(lou)電流(liu)測(ce)量(liang)

FM 疲勞(lao)測(ce)試PM

脈(mai)沖(chong)測(ce)量(liang)

PYM 熱(re)釋電測(ce)量(liang)女

DTS 介(jie)電溫(wen)譜測(ce)量(liang)女

RT 電(dian)阻測(ce)量(liang)女

PZM 壓(ya)電測(ce)量(liang)

CHM 態(tai)電滯(zhi)回(hui)線測(ce)量(liang)

IM 印跡測(ce)量(liang)

RM 保(bao)持力測(ce)量(liang)

BDM擊穿測(ce)試女

TSDC 熱(re)刺激電流(liu)測(ce)量(liang)

ECM 電(dian)卡測(ce)試女

POM 油(you)浴(yu)極(ji)化(hua)

三(san)、主要(yao)軟件功(gong)能(neng)：

采用(yong)labview系統(tong)開發(fa)，符合導體、半導體材料(liao)的(de)各(ge)項(xiang)測(ce)試需求(qiu)，具備(bei)穩定(ding)性(xing)，並具備(bei)斷(duan)電資(zi)料(liao)的(de)保(bao)存(cun)功(gong)能(neng)，圖(tu)像資(zi)料(liao)可(ke)保(bao)存(cun)恢(hui)復(fu)，兼(jian)容(rong)，XP、win7、win10系統(tong)。

本測(ce)試系統(tong)由主控器(qi)、高壓(ya)放大器(qi)、變溫(wen)綜(zong)合測(ce)試平臺(tai)（配鐵(tie)電測(ce)試盒）或(huo)高低(di)溫探針(zhen)臺（配高(gao)壓(ya)探(tan)針(zhen)）、計算機(ji)及系統(tong)軟件部(bu)分組成(cheng)。主控器(qi)集成了(le)可(ke)編(bian)程波(bo)形發(fa)生器(qi)、內(nei)置(zhi)驅動電(dian)壓(ya)、電荷(he)積(ji)分器(qi)、可(ke)編(bian)程放大器(qi)、模(mo)數轉換(huan)器(qi)、通(tong)訊總(zong)線等(deng)功(gong)能(neng)，主控器(qi)提(ti)供擴(kuo)展外置(zhi)高壓放大器(qi)接口(kou)，可(ke)擴(kuo)展±5 kV或(huo)±10 kV的(de)高(gao)壓(ya)放大器(qi)。系統(tong)軟件包(bao)括可(ke)視(shi)化(hua)數據(ju)采集和管(guan)理(li)功(gong)能(neng)，測(ce)試時(shi)，無(wu)需改(gai)變測(ce)試樣品(pin)的(de)連(lian)接，即(ji)可(ke)實(shi)現(xian)滯回(hui)，脈(mai)沖(chong)，漏電，IV等(deng)性(xing)能(neng)測(ce)試。

四(si)、主要(yao)性(xing)能(neng)指標：

1)  輸(shu)出(chu)信號電壓(ya)：±10000V

2)  施(shi)加頻(pin)率：1Hz到(dao)1000Hz

3)  波(bo)形：正(zheng)弦(xian)波(bo)、三(san)角(jiao)波(bo)、方(fang)波(bo)

4)   USB示波(bo)器(qi)：4CH；70MHz

5)   絕緣電(dian)阻(zu)/漏電流(liu)測(ce)量(liang)：10TΩ/1pA,1000V

6)    電(dian)滯回(hui)線測(ce)試變溫(wen)範(fan)圍：RT~200℃

7)    變(bian)溫測(ce)量(liang)控制單(dan)元(yuan)：精度0.1℃；功率：500W；接口(kou)：RS485

8)     測(ce)試采樣速(su)度：<5秒/樣品(pin)•溫(wen)度點 

9)    樣品(pin)規(gui)格(ge)：陶瓷塊(kuai)體：Φ10-100mm，厚(hou)度0.1~10mm

        薄(bo)膜(mo)樣品(pin)：Φ10-100mm，厚(hou)度1~100μm

10)    控制方(fang)式(shi)：計算(suan)機實時(shi)控制、實(shi)時(shi)顯(xian)示、實(shi)時(shi)數據(ju)計算

11)    數據(ju)采集分析(xi)軟件：

a)   運(yun)行環(huan)境 windows 7；

b)     測(ce)量(liang)時(shi)實(shi)時(shi)顯(xian)示采集到(dao)的(de)電(dian)滯(zhi)回(hui)線，可(ke)定(ding)量得(de)到(dao)鐵(tie)電材料(liao)的(de)飽(bao)和極(ji)化(hua)Ps、剩(sheng)余(yu)極(ji)化(hua)Pr、矯頑(wan)場(chang)Ec、漏(lou)電流等(deng)參數；可(ke)以進(jin)行鐵(tie)電材料(liao)的(de)鐵(tie)電疲勞(lao)性(xing)能(neng)、鐵(tie)電保(bao)持性(xing)能(neng)的(de)測(ce)試，可(ke)選(xuan)擇(ze)測(ce)量(liang)模(mo)式(shi)、掃描(miao)電場(chang)的(de)幅值(zhi)等(deng)；

c)   依(yi)據(ju)位(wei)移(yi)回(hui)歸法(fa)繪制樣品(pin)D33應(ying)變(bian)/位移曲(qu)線(xian)（蝴蝶(die)曲(qu)線(xian)）

d)   測(ce)量(liang)結(jie)果(guo)可(ke)以保(bao)存(cun)為數據(ju)文件供(gong)Origin等(deng)數據(ju)處理軟件調用(yong)處理(li)，也(ye)可(ke)保(bao)存(cun)和打(da)印微(wei)機(ji)屏(ping)幕顯(xian)示結(jie)果(guo)界面；

e)   具有數據(ju)平滑化(hua)、電(dian)滯(zhi)回(hui)線校正(zheng)等(deng)