描(miao)述(shu)：熱刺(ci)激(ji)電流(liu)（Thermally Stimulated Current，TSD）技(ji)術是(shi)通(tong)過將樣品(pin)線性升溫，使材料(liao)中不同(tong)陷(xian)阱能級(ji)內的空間電(dian)荷脫阱，或使(shi)取向的(de)偶(ou)極分子發生松弛(chi)，在(zai)外(wai)電(dian)路上(shang)產生電流(liu)，獲得(de)電(dian)流(liu)隨溫(wen)度(du)的(de)變(bian)化關(guan)系的壹門(men)技(ji)術。通(tong)過對(dui)所(suo)獲得(de)的(de)電(dian)流(liu)-溫度(du)譜(pu)的分析、計(ji)算(suan)，可(ke)得(de)到(dao)捕獲空間(jian)電(dian)荷和取向(xiang)偶(ou)極分子的束(shu)縛(fu)能級(ji)、活(huo)化(hua)能分布(bu)和(he)儲(chu)存(cun)的(de)電(dian)荷密度(du)、脫(tuo)阱電荷的逃逸頻率和(he)平均渡越時(shi)間等參數，是(shi)研究材料(liao)內部空間電(dian)荷

TSC/TSDC-200型(xing)熱刺(ci)激(ji)電流(liu)測試(shi)儀(yi)

關(guan)鍵(jian)詞：熱刺(ci)激(ji)電流(liu)，熱激(ji)勵去極化，溫度(du)

熱刺(ci)激(ji)電流(liu)（Thermally Stimulated Current，TSD）技(ji)術是(shi)通(tong)過將樣品(pin)線性升溫，使材料(liao)中不同(tong)陷(xian)阱能級(ji)內的空間電(dian)荷脫阱，或使(shi)取向的(de)偶(ou)極分子發生松弛(chi)，在(zai)外(wai)電(dian)路上(shang)產生電流(liu)，獲得(de)電(dian)流(liu)隨溫(wen)度(du)的(de)變(bian)化關(guan)系的壹門(men)技(ji)術。通(tong)過對(dui)所(suo)獲得(de)的(de)電(dian)流(liu)-溫度(du)譜(pu)的分析、計(ji)算(suan)，可(ke)得(de)到(dao)捕獲空間(jian)電(dian)荷和取向(xiang)偶(ou)極分子的束(shu)縛(fu)能級(ji)、活(huo)化(hua)能分布(bu)和(he)儲(chu)存(cun)的(de)電(dian)荷密度(du)、脫(tuo)阱電荷的逃逸頻率和(he)平均渡越時(shi)間等參數，是(shi)研究材料(liao)內部空間電(dian)荷受(shou)激(ji)脫阱後(hou)的(de)遷(qian)移(yi)以及(ji)衰(shuai)減規律、偶極電荷的松弛(chi)變(bian)化規(gui)律、各種電(dian)荷之間(jian)的相(xiang)互作用(yong)等的(de)重要(yao)工具(ju)。其在絕(jue)緣材(cai)料(liao)的老(lao)化(hua)以及(ji)擊穿研究(jiu)、半導(dao)體光電(dian)材料(liao)及(ji)其元器(qi)件(jian)的開發、駐(zhu)極體材料(liao)的研(yan)究(jiu)等領(ling)域(yu)中得(de)到(dao)了(le)廣(guang)泛的(de)應(ying)用(yong)。

1、優(you)點：

壹(yi)個系統(tong)就可(ke)以進(jin)行塊(kuai)體陶(tao)瓷材(cai)料(liao)的熱激(ji)發極化電流(liu)TSDC、壓(ya)電和(he)鐵(tie)電(dian)進(jin)行綜合(he)評(ping)價，如傳感器(qi)和(he)執行器(qi)

單壹(yi)軟(ruan)件(jian)進行外(wai)部(bu)硬(ying)件(jian)控(kong)制(zhi)（如溫度(du)控(kong)制(zhi)器(qi)、高(gao)壓(ya)放(fang)大器(qi)、位(wei)移傳感器(qi)、示(shi)波(bo)器(qi)）和(he)數據采集

2、遠(yuan)程接(jie)入(ru)和(he)腳本控(kong)制(zhi)

選(xuan)件(jian)可(ke)實現(xian)數據庫(ku)連接(jie)（ODBC）方便(bian)對(dui)材(cai)料(liao)/設(she)備進(jin)行表(biao)征

針(zhen)對用(yong)戶(hu)應(ying)用(yong)和(he)要(yao)求的(de)硬(ying)件(jian)

升級服(fu)務，用(yong)戶(hu)支持(chi)

3、特點：

支持(chi)的硬(ying)件(jian)：

內置或外(wai)置的高(gao)壓(ya)放(fang)大器(qi)（+/-100V到(dao)+/-10 kV）

塊(kuai)體陶(tao)瓷樣(yang)品(pin)夾具(ju)

溫(wen)度(du)控(kong)制(zhi)器(qi)和(he)溫度(du)腔(qiang)

位(wei)移傳感器(qi)（如(ru)激光幹涉(she)儀(yi)、電(dian)容(rong)或電(dian)感）

外(wai)置鎖相(xiang)放(fang)大器(qi)或阻(zu)抗(kang)橋(qiao)

4、測(ce)試功(gong)能：

信號電極化和位移（單壹(yi)極化和雙化）

信號電容(rong)、損(sun)耗(hao)、壓(ya)電系數與單壹(yi)和(he)雙極直(zhi)流(liu)偏壓(ya)

電(dian)和機(ji)電(dian)隨(sui)溫度(du)的(de)變(bian)化研(yan)究

熱釋(shi)電(dian)測(ce)試(shi)

漏(lou)電(dian)流(liu)測試(shi)

疲(pi)勞測(ce)試

5、主(zhu)要(yao)技(ji)術參數：

熱激(ji)勵溫度(du)：-160℃-600℃

控(kong)溫(wen)精(jing)度(du)：±1%

極化電壓(ya)：±10KV

電(dian)流(liu)：0.5MA

電(dian)流(liu)測量(liang)分辨率:10aA (10×10-18A) 電(dian)流(liu)測量(liang)分辨率

偏(pian)置電流(liu):小於 3fA 輸入偏(pian)置電流(liu)

高(gao)精(jing)度(du)測(ce)量模式(shi)：6 1/2 位(wei)

電(dian)流(liu)範(fan)圍(wei)內的負載電(dian)壓(ya)：小於 20μV

輸入阻(zu)抗(kang) >200TO 時(shi)電壓(ya)測量(liang)高(gao)達(da) 200V

內置 +/-1000V 電壓(ya)源

多種獨(du)立變(bian)量：溫(wen)度(du)、極化電壓(ya)、極化時(shi)間、升降溫速率等

多種測(ce)量模式(shi)：熱激(ji)勵去極化、熱激(ji)勵極化、等溫(wen)極化時(shi)域、等溫(wen)電導率時(shi)域、等溫(wen)弛(chi)豫(yu)譜(pu)、熱窗(chuang)弛(chi)豫(yu)譜(pu)，多種測(ce)量參數：樣品電(dian)流(liu)、電流(liu)密度(du)、電(dian)荷變(bian)化、介(jie)電常(chang)數變(bian)化等

通(tong)訊(xun)：USB接(jie)口(kou)