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2025-12-01訪(fang)問量(liang)
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材(cai)料電學(xue)性(xing)能測試(shi)儀
ARTICLES致(zhi)力(li)於成為更好(hao)的解決(jue)方案(an)供(gong)應(ying)商!
詳(xiang)細(xi)介(jie)紹
| 品(pin)牌 | Microtrac MRB/拜(bai)爾(er) | 產地(di)類別(bie) | 國(guo)產(chan) |
|---|---|---|---|
| 應(ying)用領(ling)域(yu) | 電子(zi)/電池,鋼(gang)鐵/金(jin)屬,航空(kong)航天(tian),汽(qi)車(che)及零(ling)部(bu)件(jian),電氣(qi) |
FTTD-5000B型(xing)變溫鐵電測試(shi)儀
關鍵(jian)詞:鐵電,電滯(zhi)回(hui)線,脈(mai)沖,漏(lou)電,IV

FTTD-5000B型(xing)變溫鐵電測試(shi)儀是(shi)壹(yi)款(kuan)擴展靈活(huo)的變溫鐵電測試(shi)系(xi)統(tong),也(ye)是(shi)壹(yi)款(kuan)可替代德國(guo)aixACCT公(gong)司(si)生產的TF Analyzer 2000鐵電分(fen)析(xi)儀的國(guo)產(chan)鐵電材(cai)料(liao)性(xing)能測試(shi)設備(bei),可廣泛地應用(yong)於(yu)如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜(mo)、厚(hou)膜、體(ti)材料和電子(zi)陶瓷(ci)、鐵電傳(chuan)感(gan)器(qi)/執(zhi)行(xing)器(qi)/存儲(chu)器等(deng)領(ling)域(yu)的研究(jiu)。
壹(yi)、產品(pin)主要性(xing)能:
1、本測試(shi)系(xi)統(tong)由(you)主控器(qi)、高壓放(fang)大(da)器、變溫綜(zong)合測試(shi)平(ping)臺(配(pei)鐵電測試(shi)盒(he))或(huo)高(gao)低(di)溫探針(zhen)臺(配高(gao)壓探針(zhen))、計(ji)算機及系(xi)統(tong)軟(ruan)件(jian)部(bu)分(fen)組(zu)成(cheng)。
2、主控器(qi)集(ji)成(cheng)了(le)可編(bian)程(cheng)波形發生器、內置驅動(dong)電壓、電荷(he)積(ji)分(fen)器(qi)、可(ke)編程(cheng)放(fang)大(da)器、模(mo)數轉換(huan)器、通訊總線等(deng)功(gong)能,
3、主控器(qi)提供(gong)擴展外(wai)置高壓放(fang)大(da)器接(jie)口(kou),可擴展±5 kV或(huo)±10 kV的高壓放(fang)大(da)器。
4、系(xi)統(tong)軟(ruan)件(jian)包括可(ke)視(shi)化數據(ju)采(cai)集(ji)和管理功(gong)能,測試(shi)時,無(wu)需(xu)改(gai)變測試(shi)樣品(pin)的連接,即(ji)可(ke)實現(xian)滯(zhi)回(hui),脈(mai)沖,漏(lou)電,IV等(deng)性(xing)能測試(shi)。
5、本測試(shi)系(xi)統(tong)鐵電性(xing)能測試(shi)采用(yong)基(ji)於虛(xu)地(di)模(mo)式的測量方(fang)法,與傳(chuan)統(tong)的Sawyer- Tower模式(shi)相比(bi),此(ci)電路(lu)取(qu)消(xiao)了(le)外(wai)接電容,可減(jian)小寄生元件(jian)的影響(xiang)。
6、此電路(lu)的測試(shi)精(jing)度(du)僅取(qu)決(jue)於積(ji)分(fen)器(qi)積(ji)分(fen)電容的精(jing)度(du),減少了(le)對測試(shi)的影響(xiang)環節(jie),容易定標(biao)和校準,並(bing)且(qie)能實現(xian)較高的測量準確(que)度(du)。
二、鐵電參(can)數(shu)測試(shi)主要性(xing)能指(zhi)標(biao):
1、 外(wai)接5 kV高(gao)壓放(fang)大(da)器(可(ke)擴展至(zhi)10 kV)(國(guo)產(chan)、進(jin)口均(jun)適(shi)用(yong));
2、. 動(dong)態(tai)電滯(zhi)回(hui)線測試(shi)頻(pin)率(lv)範(fan)圍0.01 Hz ~ 5 kHz;
3、 最大(da)電荷(he)解析(xi)度:10 mC(可(ke)擴展);
4、 疲(pi)勞(lao)測試(shi)頻(pin)率(lv)300 kHz(振幅(fu)10 Vpp,負(fu)載(zai)電容1 nF);
5、 漏(lou)電流(liu)測量範(fan)圍 1 pA ~ 20 mA(可擴展),分(fen)辨(bian)率(lv)0.1 pA;
6、 配有(you)高壓擊(ji)穿(chuan)保護模塊(kuai);
7、溫度(du)範(fan)圍:-160℃~260℃。
本測試(shi)系(xi)統(tong)鐵電性(xing)能測試(shi)采用(yong)基(ji)於虛(xu)地(di)模(mo)式的測量方(fang)法,與傳(chuan)統(tong)的Sawyer- Tower模式(shi)相比(bi),此(ci)電路(lu)取(qu)消(xiao)了(le)外(wai)接電容,可減(jian)小寄生元件(jian)的影響(xiang)。此電路(lu)的測試(shi)精(jing)度(du)僅取(qu)決(jue)於積(ji)分(fen)器(qi)積(ji)分(fen)電容的精(jing)度(du),減少了(le)對測試(shi)的影響(xiang)環節(jie),容易定標(biao)和校準,並(bing)且(qie)能實現(xian)較高的測量準確(que)度(du)。
變溫鐵電測試(shi)系(xi)統(tong)采(cai)用(yong)模塊(kuai)化(hua)設(she)計(ji),不同(tong)的模塊(kuai)對應不同(tong)的電特(te)性(xing)測量。測量功(gong)能如(ru)下,可(ke)按需(xu)選(xuan)擇:
動(dong)態(tai)電滯(zhi)回(hui)線DHM
靜態(tai)電滯(zhi)回(hui)線SHM
I-V特(te)性(xing)
脈(mai)沖PUND
疲(pi)勞(lao)Fatigue
電擊(ji)穿(chuan)強(qiang)度(du)BDM
漏(lou)電流(liu)LM
電流(liu)-偏壓
保持力(li)RM
印跡印痕(hen)IM
變溫測試(shi)THM
可選(xuan)的模塊(kuai):
POM 模塊(kuai)實現(xian)極(ji)化(hua)測量功(gong)能
CVM模塊(kuai)實現(xian)小信(xin)號電容測試(shi),獲得(de)C-V曲線
PZM模塊(kuai)實現(xian)壓電特(te)性(xing)測試(shi)
DPM模塊(kuai)測試(shi)介(jie)電性(xing)能
RTM模塊(kuai)測試(shi)電阻/電阻率(lv)性(xing)能
CCDM模塊(kuai)實現(xian)電容充放(fang)電測試(shi)。
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