描述：TDFE-5000A型(xing)是壹款(kuan)擴(kuo)展(zhan)靈(ling)活(huo)的變溫鐵(tie)電測(ce)試(shi)系統(tong)，也是壹款(kuan)可替代德國(guo)aixACCT公(gong)司生產的(de)TF Analyzer 2000鐵(tie)電分析(xi)儀的(de)國(guo)產鐵(tie)電材(cai)料性能測(ce)試(shi)設備(bei)，可(ke)廣(guang)泛(fan)地應(ying)用(yong)於如(ru)各(ge)種(zhong)鐵(tie)電/壓(ya)電/熱釋(shi)電(dian)薄(bo)膜、厚膜、體材(cai)料(liao)和(he)電子(zi)陶(tao)瓷(ci)、鐵(tie)電傳(chuan)感(gan)器/執行(xing)器/存儲器等領域(yu)的(de)研究。

關(guan)鍵(jian)詞(ci)：鐵(tie)電(dian)薄(bo)膜、厚膜，陶(tao)瓷(ci),電(dian)滯(zhi)回(hui)線

核(he)心(xin)功(gong)能(neng) 

　　‌電(dian)滯(zhi)回(hui)線測(ce)試(shi)‌：通(tong)過(guo)施(shi)加(jia)不(bu)同波形電(dian)壓(ya)信號，采集材(cai)料(liao)電荷或形變信(xin)號，分析(xi)材料(liao)的(de)極(ji)化(hua)特(te)性。 ‌ 

　　‌漏(lou)電流(liu)測(ce)量(liang)‌：評(ping)估(gu)材(cai)料在電(dian)場(chang)下的電(dian)流(liu)泄漏(lou)情況，反映材(cai)料穩(wen)定性。 ‌ 

　　‌剩(sheng)余(yu)極(ji)化(hua)率測(ce)試(shi)‌：測(ce)量(liang)材料斷(duan)電(dian)後的剩(sheng)余(yu)極(ji)化(hua)強(qiang)度，反(fan)映材(cai)料記憶(yi)特(te)性。 ‌ 

　　‌擴(kuo)展(zhan)功(gong)能(neng)‌：部分型號支(zhi)持(chi) 熱(re)釋(shi)電(dian) 、 壓(ya)電 等聯合(he)測(ce)試(shi).

TDFE-5000A型(xing)是壹款(kuan)擴(kuo)展(zhan)靈(ling)活(huo)的變溫鐵(tie)電測(ce)試(shi)系統(tong)，也是壹款(kuan)可替代德國(guo)aixACCT公(gong)司生產的(de)TF Analyzer 2000鐵(tie)電分析(xi)儀的(de)國(guo)產鐵(tie)電材(cai)料性能測(ce)試(shi)設備(bei)，可(ke)廣(guang)泛(fan)地應(ying)用(yong)於如(ru)各(ge)種(zhong)鐵(tie)電/壓(ya)電/熱釋(shi)電(dian)薄(bo)膜、厚膜、體材(cai)料(liao)和(he)電子(zi)陶(tao)瓷(ci)、鐵(tie)電傳(chuan)感(gan)器/執行(xing)器/存儲器等領域(yu)的(de)研究。

鐵(tie)電參(can)數測(ce)試(shi)主(zhu)要性能(neng)指(zhi)標(biao)：

a. 外接5 kV高(gao)壓(ya)放(fang)大器（可擴(kuo)展(zhan)至(zhi)10 kV）（國(guo)產、進(jin)口(kou)均適用(yong)）；

b. 動態電(dian)滯(zhi)回(hui)線測(ce)試(shi)頻率範圍(wei)0.01 Hz ～ 5 kHz；

c. 最大電(dian)荷解(jie)析(xi)度：10 mC（可(ke)擴(kuo)展(zhan)）；

d. 疲(pi)勞測(ce)試(shi)頻率300 kHz（振(zhen)幅10 Vpp，負(fu)載(zai)電(dian)容1 nF）；

e. 漏(lou)電流(liu)測(ce)量(liang)範圍 1 pA ～ 20 mA（可擴(kuo)展(zhan)），分辨率0.1 pA；

f. 配(pei)有(you)高(gao)壓(ya)擊穿(chuan)保護模(mo)塊(kuai)；

g.溫度範(fan)圍(wei)：-160℃～260℃。

本(ben)測(ce)試(shi)系統(tong)由主(zhu)控(kong)器、高壓(ya)放(fang)大器、變溫綜(zong)合(he)測(ce)試(shi)平臺(tai)（配(pei)鐵(tie)電測(ce)試(shi)盒）或高(gao)低(di)溫探針臺（配(pei)高壓(ya)探針）、計(ji)算(suan)機及(ji)系統(tong)軟(ruan)件部分組成。主(zhu)控(kong)器集成了可(ke)編程(cheng)波形發(fa)生器、內(nei)置(zhi)驅(qu)動電壓(ya)、電荷積分器、可編(bian)程(cheng)放(fang)大器、模數(shu)轉換(huan)器、通訊(xun)總(zong)線(xian)等功(gong)能(neng)，主(zhu)控(kong)器提供(gong)擴(kuo)展(zhan)外置(zhi)高壓(ya)放(fang)大器接口(kou)，可(ke)擴(kuo)展(zhan)±5 kV或±10 kV的(de)高(gao)壓(ya)放(fang)大器。系統(tong)軟(ruan)件包括(kuo)可視化數(shu)據采集和(he)管(guan)理(li)功(gong)能(neng)，測(ce)試(shi)時，無(wu)需改變測(ce)試(shi)樣(yang)品(pin)的(de)連(lian)接(jie)，即可實(shi)現滯(zhi)回(hui)，脈沖，漏(lou)電，IV等性能(neng)測(ce)試(shi)。

本(ben)測(ce)試(shi)系統(tong)鐵(tie)電性(xing)能測(ce)試(shi)采用(yong)改進(jin)的(de)Sawyer- Tower測(ce)量(liang)方法，與(yu)傳(chuan)統(tong)的(de)Sawyer- Tower模(mo)式相比(bi)，此(ci)電路(lu)取(qu)消了外接電(dian)容，可(ke)減(jian)小寄(ji)生元(yuan)件(jian)的影響。此(ci)電(dian)路(lu)的(de)測(ce)試(shi)精度僅(jin)取決(jue)於(yu)積(ji)分器積分電容的精度，減(jian)少了對測(ce)試(shi)的影響環(huan)節，容易(yi)定標(biao)和(he)校準，並(bing)且能(neng)實(shi)現較高的(de)測(ce)量(liang)準確(que)度。

變溫鐵(tie)電測(ce)試(shi)系統(tong)采用(yong)模塊(kuai)化設計(ji)，不(bu)同的模(mo)塊(kuai)對應(ying)不(bu)同的電(dian)特性測(ce)量(liang)。測(ce)量(liang)功(gong)能(neng)如(ru)下，可按(an)需選(xuan)擇：

動態電(dian)滯(zhi)回(hui)線DHM

靜(jing)態(tai)電滯(zhi)回(hui)線SHM

I-V特(te)性(xing)

脈(mai)沖PUND

疲(pi)勞Fatigue

電(dian)擊(ji)穿(chuan)強(qiang)度BDM

漏(lou)電流(liu)LM

電(dian)流(liu)-偏(pian)壓(ya)

保(bao)持(chi)力RM

印(yin)跡(ji)印痕(hen)IM

變溫測(ce)試(shi)THM

可(ke)選(xuan)的模塊(kuai)：

POM 模(mo)塊(kuai)實(shi)現極(ji)化(hua)測(ce)量(liang)功(gong)能(neng)

CVM模(mo)塊(kuai)實(shi)現小信(xin)號電(dian)容(rong)測(ce)試(shi)，獲得C-V曲線(xian)

PZM模(mo)塊(kuai)實(shi)現壓(ya)電特性測(ce)試(shi)

DPM模(mo)塊(kuai)測(ce)試(shi)介電性能(neng)

RTM模(mo)塊(kuai)測(ce)試(shi)電阻(zu)/電(dian)阻(zu)率性能(neng)

CCDM模(mo)塊(kuai)實(shi)現電(dian)容充(chong)放(fang)電測(ce)試(shi)。