描(miao)述(shu)：Radiant Multiferroic II鐵(tie)電材料(liao)測(ce)試(shi)儀無需改變測(ce)試(shi)樣(yang)品(pin)的連(lian)接(jie)，即(ji)可(ke)實現滯回(hui)，脈(mai)沖(chong)，漏電(dian)，IV和(he)IC的測(ce)試(shi)。配(pei)備(bei)額外的模(mo)塊，可實現熱釋電性能(neng)、磁(ci)電特性、晶體(ti)管(guan)特性、低(di)溫(wen)性能(neng)、塊(kuai)體(ti)陶(tao)瓷和/或(huo)薄(bo)膜(mo)壓(ya)電(dian)性能(neng)的(de)測(ce)試(shi)。

Multiferroic II提供了多(duo)種(zhong)內部(bu)放大(da)器，±100V/200V/500v內置驅(qu)動電(dian)壓(ya)的(de)可(ke)供選擇。可(ke)外置擴展10KV的(de)高(gao)壓接(jie)口和(he)壹個(ge)放大(da)器。系(xi)統(tong)包括(kuo)可視化(hua)數據采(cai)

美(mei)國(guo)Radiant鐵(tie)電(dian)測(ce)試(shi)儀Precision LC II 100V  

Radiant Multiferroic II鐵(tie)電(dian)材(cai)料(liao)測(ce)試(shi)儀無需改變測(ce)試(shi)樣(yang)品(pin)的連(lian)接(jie)，即(ji)可(ke)實現滯回(hui)，脈(mai)沖(chong)，漏電(dian)，IV和(he)IC的測(ce)試(shi)。配(pei)備(bei)額外的模(mo)塊，可實現熱釋電性能(neng)、磁(ci)電特性、晶體(ti)管(guan)特性、低(di)溫(wen)性能(neng)、塊(kuai)體(ti)陶(tao)瓷和/或(huo)薄(bo)膜(mo)壓(ya)電(dian)性能(neng)的(de)測(ce)試(shi)。

Multiferroic II提供了多(duo)種(zhong)內部(bu)放大(da)器，±100V/200V/500v內置驅(qu)動電(dian)壓(ya)的(de)可(ke)供選擇。可(ke)外置擴展10KV的(de)高(gao)壓接(jie)口和(he)壹個(ge)放大(da)器。系(xi)統(tong)包括(kuo)可視化(hua)數據采(cai)集(ji)和管(guan)理(li)系(xi)統(tong)軟件(jian)。

壹．可(ke)實現的(de)測(ce)試(shi)功能(neng)：

1.電(dian)滯回(hui)線(xian)測(ce)試(shi)；

2.記憶特性測(ce)試(shi)；

3.漏電(dian)流(liu)測(ce)試(shi)；

4.疲(pi)勞(lao)測(ce)試(shi)；

5.PUND脈(mai)沖(chong)測(ce)試(shi)；

6.IV測(ce)試(shi)；

7.CV測(ce)試(shi)保(bao)持力(li)測(ce)試(shi)；

8.印痕測(ce)試(shi)；

備(bei)註：另(ling)外(wai)還(hai)有壓(ya)電(dian)測(ce)試(shi)、熱釋電測(ce)試(shi)、磁(ci)電測(ce)試(shi)需(xu)配合(he)另(ling)外(wai)升(sheng)級選購(gou)件(jian)實現。

二．LC II 100V 詳(xiang)細(xi)參(can)數說(shuo)明

1. 主(zhu)機(ji)基本參數：

主(zhu)機(ji)測(ce)試(shi)電(dian)壓範圍：0~± 100V

18位(wei)的模(mo)數轉換(huan)器；內部(bu)同(tong)步(bu)時(shi)鐘(zhong)的響應(ying)速度(du)25ns

2. 電(dian)滯回(hui)線(xian)測(ce)試(shi)參(can)數：

測(ce)量(liang)頻(pin)率：0.03Hz~5kHz；

電(dian)荷(he)測(ce)量(liang)解(jie)析度(du)範圍: 10fC~276uC

材(cai)料(liao)測(ce)量(liang)面積解(jie)析度(du)範圍1µm2 ~2.76cm2

在(zai)使用外(wai)部(bu)高(gao)壓電源(yuan)時(shi)測(ce)量(liang)電(dian)荷的大(da)解析(xi)度(du)為27.6mC

3.記憶特性測(ce)試(shi)參(can)數：

五(wu)脈(mai)沖(chong)系(xi)列測(ce)試(shi)鐵(tie)電體(ti)記憶特性

脈(mai)沖(chong)測(ce)試(shi):50us~1s

0V上(shang)升(sheng)到(dao)5V的快時(shi)間(jian): 40us

5個(ge)脈(mai)沖的電壓,寬(kuan)度(du),預設(she)直流(liu)偏(pian)壓和偏(pian)置時(shi)間(jian)可(ke)以任意設(she)定

脈(mai)沖(chong)之(zhi)間(jian)大(da)可以設定40000秒(miao)的(de)延(yan)遲

4.漏電(dian)流(liu)測(ce)試(shi)

可(ke)進(jin)行(xing)漏電(dian)流(liu)-偏(pian)置(zhi)電(dian)壓測(ce)試(shi)和(he)漏電(dian)流(liu)-時(shi)間(jian)測(ce)試(shi)

分(fen)辨(bian)率:1pA

大(da)漏電(dian)流(liu)測(ce)試(shi):12.5mA

5．疲(pi)勞(lao)測(ce)試(shi)

大(da)疲勞(lao)測(ce)量(liang)頻(pin)率: 20kHz

小(xiao)脈(mai)沖(chong)寬(kuan)度(du):50us