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        1. 當前(qian)位(wei)置:首(shou)頁  >  產(chan)品(pin)中(zhong)心(xin)  >  材(cai)料電(dian)學(xue)性能(neng)測(ce)試儀(yi)  >  鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀(yi)  >  FE-5000精(jing)科智(zhi)創PVDF薄(bo)膜(mo)材(cai)料鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀(yi)
          型(xing)號(hao):FE-5000
          精(jing)科智(zhi)創PVDF薄(bo)膜(mo)材(cai)料鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀(yi)

          描(miao)述:本(ben)測(ce)試系(xi)統由(you)主(zhu)控器(qi)、高壓(ya)放(fang)大器(qi)、變溫綜合(he)測(ce)試平臺(tai)(配(pei)鐵(tie)電(dian)測(ce)試盒(he))或(huo)高(gao)低溫探(tan)針(zhen)臺(tai)(配(pei)高(gao)壓探(tan)針(zhen))、計(ji)算(suan)機(ji)及(ji)系(xi)統軟件部分(fen)組成。主控器(qi)集(ji)成了可編(bian)程(cheng)波形發生(sheng)器(qi)、內(nei)置(zhi)驅動電壓(ya)、電(dian)荷(he)積分(fen)器(qi)、可編(bian)程(cheng)放(fang)大器(qi)、模(mo)數轉(zhuan)換(huan)器(qi)、通訊總線(xian)等(deng)功(gong)能(neng),主(zhu)控器(qi)提(ti)供擴展外(wai)置高(gao)壓放(fang)大器(qi)接(jie)口,可擴(kuo)展(zhan)±5 kV或(huo)±10 kV的(de)高壓(ya)放(fang)大器(qi)。系(xi)統軟件包(bao)括可視(shi)化數據(ju)采(cai)集(ji)和管理功(gong)能(neng),測(ce)試時(shi),無需改變(bian)測(ce)試樣(yang)品(pin)的(de)連接(jie),即(ji)可實(shi)現滯回,脈沖,漏電(dian),IV等(deng)性(xing)

          • 廠(chang)商(shang)性質

            生產廠(chang)家(jia)
          • 更新時間

            2025-12-02
          • 訪(fang)問(wen)量(liang)

            566
          產品(pin)分(fen)類PRODUCT

          我們相(xiang)信好的(de)產品(pin)是(shi)信譽的(de)保證(zheng)!

          詳(xiang)細介紹(shao)
          品(pin)牌(pai)Microtrac MRB/拜爾產(chan)地類別(bie)國產
          應(ying)用領(ling)域(yu)能(neng)源(yuan),電子/電(dian)池(chi),鋼鐵(tie)/金屬,航空(kong)航天,電氣

          FE-5000型(xing)鐵(tie)電(dian)薄膜(mo)測(ce)試儀(yi)


          精(jing)科智(zhi)創PVDF薄(bo)膜(mo)材(cai)料鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀(yi)

             FE-5000W型(xing)電(dian)致應(ying)變鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀(yi)是(shi)壹(yi)款高量程(cheng)款的(de)鐵(tie)電(dian)性能材(cai)料測(ce)試裝(zhuang)置,這(zhe)款設(she)備(bei)可以(yi)適(shi)用於鐵(tie)電(dian)薄膜(mo)、鐵(tie)電(dian)體材(cai)料(既(ji)可塊(kuai)體材(cai)料)的(de)電性(xing)能測(ce)量,可測(ce)量鐵(tie)電(dian)薄膜(mo)電(dian)滯回線(xian)、可測(ce)出具(ju)有(you)非對(dui)稱電滯回線(xian)鐵(tie)電(dian)薄膜(mo)值(zhi)。可以(yi)進(jin)行(xing)電(dian)致應(ying)變測(ce)試,可以(yi)蝴(hu)蝶曲(qu)線(xian)功(gong)能(neng),設(she)備(bei)還(hai)可以(yi)擴(kuo)展高(gao)溫電阻,高溫介電,電(dian)容-電(dian)壓(ya)曲(qu)線(xian),TSC/TSDC等(deng)功(gong)能(neng)。本(ben)儀(yi)器(qi)是從(cong)事壓電材(cai)料及(ji)壓(ya)電(dian)元件生產、應(ying)用與研究部門的(de)重要(yao)設(she)備(bei)之(zhi)壹(yi),已(yi)經在(zai)各大高校和科研院所(suo)廣泛使用。

          二(er)、主要技(ji)術指標(biao):

          1、輸(shu)出信號(hao)電(dian)壓(ya)::±5000V(可擴(kuo)展(zhan)至(zhi)10 kV,可擴(kuo)展(zhan)電致應(ying)蝴(hu)蝶曲(qu)線(xian)功(gong)能(neng)

          2、溫度;室溫-200℃,控溫精度:±1

          3、控(kong)制(zhi)施加頻率0.01到(dao)250KHz(陶(tao)瓷(ci)、單晶,薄膜(mo))PC端(duan)軟件控制(zhi)自定(ding)義(yi)設(she)置(zhi);

          4、控(kong)制(zhi)輸(shu)出電流0到(dao)±50mA連續可調,PC端軟件控制(zhi)自定(ding)義(yi)設(she)置(zhi)。

          5、動(dong)態(tai)電滯回線(xian)測(ce)試頻率範(fan)圍(wei) 0.01Hz-5kHz

          7、最(zui)小(xiao)脈寬保(bao)持時(shi)間為(wei)20us;最小(xiao)上升沿(yan)時(shi)間為(wei)10us;

          8、疲(pi)勞(lao)測(ce)試頻率500kHz(振(zhen)幅(fu)10 Vpp,負(fu)載(zai)電容1 nF);使用高壓放(fang)大器(qi)後(hou)疲(pi)勞(lao)頻率最(zui)高(gao)5kHz;

          9測(ce)試速度(du):測(ce)量時(shi)間《5秒(miao)/樣(yang)品(pin)•溫度點(dian)   

          10、樣(yang)品(pin)規格:塊(kuai)體材(cai)料尺(chi)寸(cun):直徑(jing)2-100mm,厚(hou)度0.1-10mm

          11主(zhu)要(yao)功能: 動(dong)態(tai)電滯回線(xian)DHM,靜態(tai)電滯回線(xian)SHMI-V特(te)性(xing),脈沖PUND,疲(pi)勞(lao)Fatigue,電擊(ji)穿(chuan)強度BDM,漏(lou)電流(liu)LM,電(dian)流(liu)-偏(pian)壓,保(bao)持力RM

          10. 電(dian)荷(he)解析度(du)不(bu)小於10 mC;

          漏(lou)電(dian)流測(ce)量範(fan)圍(wei):1pA~ 20 mA,分(fen)辨率不(bu)低於0.1pA;

          12、控(kong)制(zhi)方(fang)式(shi):計(ji)算(suan)機(ji)實(shi)時控制(zhi)、實(shi)時顯示(shi)、實(shi)時數據(ju)計(ji)算(suan)、分(fen)析與存儲

          13、軟件采(cai)集(ji):自動采(cai)集(ji)軟件,分(fen)析可以(yi)兼(jian)容其他(ta)相(xiang)關(guan)主(zhu)流軟件。

          14、測(ce)試精(jing)度:±0.05%

          15、內(nei)置(zhi)電壓:±20V

           

           

          鐵(tie)電(dian)參數測(ce)試主(zhu)要性能指標(biao):

          a. 外(wai)接(jie)5 kV高(gao)壓放(fang)大器(qi);

          b. 動態(tai)電滯回線(xian)測(ce)試頻率範(fan)圍(wei)0.01 Hz ~ 1 kHz;

          c. 最大電荷(he)解(jie)析度(du):10 mC;

          d. 疲(pi)勞(lao)測(ce)試頻率300 kHz(振(zhen)幅(fu)10 Vpp,負(fu)載(zai)電容1 nF);

          e. 漏(lou)電流(liu)測(ce)量範(fan)圍(wei) 1 pA ~ 20 mA,分(fen)辨率0.1 pA;

          f. 配(pei)有(you)高(gao)壓擊穿(chuan)保護(hu)模(mo)塊(kuai)。

          本(ben)測(ce)試系(xi)統由(you)主(zhu)控器(qi)、高壓(ya)放(fang)大器(qi)、變溫綜合(he)測(ce)試平臺(tai)(配(pei)鐵(tie)電(dian)測(ce)試盒(he))或(huo)高(gao)低溫探(tan)針(zhen)臺(tai)(配(pei)高(gao)壓探(tan)針(zhen))、計(ji)算(suan)機(ji)及(ji)系(xi)統軟件部分(fen)組成。主控器(qi)集(ji)成了可編(bian)程(cheng)波形發生(sheng)器(qi)、內(nei)置(zhi)驅動電壓(ya)、電(dian)荷(he)積分(fen)器(qi)、可編(bian)程(cheng)放(fang)大器(qi)、模(mo)數轉(zhuan)換(huan)器(qi)、通訊總線(xian)等(deng)功(gong)能(neng),主(zhu)控器(qi)提(ti)供擴展外(wai)置高(gao)壓放(fang)大器(qi)接(jie)口,可擴(kuo)展(zhan)±5 kV或(huo)±10 kV的(de)高壓(ya)放(fang)大器(qi)。系(xi)統軟件包(bao)括可視(shi)化數據(ju)采(cai)集(ji)和管理功(gong)能(neng),測(ce)試時(shi),無需改變(bian)測(ce)試樣(yang)品(pin)的(de)連接(jie),即(ji)可實(shi)現滯回,脈沖,漏電(dian),IV等(deng)性(xing)能(neng)測(ce)試。

          本(ben)鐵(tie)電(dian)參數測(ce)試儀(yi)/PUND測(ce)試采(cai)用(yong)改進的(de)Sawyer- Tower測(ce)量方(fang)法,與傳(chuan)統的(de)Sawyer- Tower模(mo)式(shi)相(xiang)比(bi),此電路(lu)取消(xiao)了外(wai)接(jie)電(dian)容,可減小寄生元件的(de)影響(xiang)。此電路(lu)的(de)測(ce)試精(jing)度僅(jin)取決(jue)於積分(fen)器(qi)積分(fen)電容(rong)的(de)精度(du),減少了對(dui)測(ce)試的(de)影響(xiang)環(huan)節,容易定(ding)標(biao)和校準,並(bing)且能實(shi)現較(jiao)高的(de)測(ce)量準確(que)度。

          該(gai)系(xi)統測(ce)試功(gong)能:

          動態電滯回線(xian)DHM

          I-V特(te)性(xing)

          脈沖PUND

          疲(pi)勞(lao)Fatigue

          漏電(dian)流(liu)LM

          電(dian)流-偏壓(ya)。


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