描(miao)述：高(gao)低(di)溫(wen)介電測(ce)試系(xi)統用(yong)於高(gao)低(di)溫(wen)環境(jing)下(xia)材料(liao)、器件的介電性能測試與分(fen)析，可測試以下(xia)參數隨(sui)溫(wen)度(T)、頻(pin)率(f)、電平(ping)(V)、偏壓(Vi)的變(bian)化規律：電容(rong)(C)、電感(gan)(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(kang)(Z)、相(xiang)位角(Ø)、電導(dao)(B)、導(dao)納(na)(Y)、損(sun)耗(hao)(D)、品(pin)質(zhi)因(yin)數(Q)等(deng)參數，同(tong)時(shi)計算獲得反應材料(liao)介電性能的復(fu)介(jie)電常數和(he)介電損(sun)耗(hao)參數。系(xi)統操作簡單、方便，可靈活(huo)定(ding)制(zhi)測試項目(mu)。測試材料(liao)的介電頻(pin)譜(pu)、

高(gao)低(di)溫(wen)介電測(ce)試系(xi)統（用(yong)於陶(tao)瓷(ci)，薄(bo)膜(mo)，粉(fen)末，塊(kuai)體）

高(gao)低(di)溫(wen)介電測(ce)試系(xi)統用(yong)於高(gao)低(di)溫(wen)環境(jing)下(xia)材料(liao)、器件的介電性能測試與分(fen)析，可測試以下(xia)參數隨(sui)溫(wen)度(T)、頻(pin)率(f)、電平(ping)(V)、偏壓(Vi)的變(bian)化規律：電容(rong)(C)、電感(gan)(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(kang)(Z)、相(xiang)位角(Ø)、電導(dao)(B)、導(dao)納(na)(Y)、損(sun)耗(hao)(D)、品(pin)質(zhi)因(yin)數(Q)等(deng)參數，同(tong)時(shi)計算獲得反應材料(liao)介電性能的復(fu)介(jie)電常數和(he)介電損(sun)耗(hao)參數。

系(xi)統操作簡單、方便，可靈活(huo)定(ding)制(zhi)測試項目(mu)。測試材料(liao)的介電頻(pin)譜(pu)、阻抗(kang)頻(pin)譜(pu)、介電溫(wen)譜(pu)、阻抗(kang)溫(wen)譜(pu)、導納(na)譜(pu)、cole-cole圖以及(ji)C-V特(te)性。

                       高(gao)低(di)溫(wen)介電系(xi)統組(zu)成(cheng)

                             高(gao)溫(wen)介電壹(yi)體(ti)化設計

                           介電測(ce)試夾(jia)具的關(guan)鍵(jian)性

                                                  高(gao)低(di)溫(wen)介電系(xi)統的功能特(te)點(dian)

                                 介電測(ce)試帶電極(ji)和(he)不帶電極(ji)都(dou)能測試

                        兼容國內外(wai)多(duo)種(zhong)LCR表(biao)，測(ce)試頻(pin)率無上(shang)限(xian)