
鐵電(dian)材(cai)料(liao)測(ce)試時需要註(zhu)意(yi)的壹(yi)些問題
鐵電(dian)材(cai)料(liao)是(shi)壹(yi)種具有鐵電(dian)性(xing)質的材(cai)料(liao),在應(ying)用(yong)領(ling)域中(zhong)有著廣(guang)泛(fan)的用(yong)途(tu),比如電容器、傳感(gan)器等。由於(yu)鐵電(dian)性(xing)質對材(cai)料(liao)的電(dian)學(xue)性能(neng)有著顯(xian)著的影響,因(yin)此(ci)對鐵電(dian)材(cai)料(liao)的測(ce)試至(zhi)關重要。鐵電(dian)材(cai)料(liao)測(ce)試方(fang)法主要包括(kuo)鐵電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試和(he)微(wei)觀結(jie)構(gou)分析。鐵電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試是(shi)指測(ce)量(liang)材(cai)料(liao)的鐵電(dian)常(chang)數(shu)、鐵電(dian)疇結(jie)構(gou)、極化(hua)強度等基(ji)本(ben)性(xing)能(neng)參(can)數(shu)。常(chang)用(yong)的測(ce)試方(fang)法包括(kuo)鐵電(dian)疇域觀測(ce)、極化(hua)-電(dian)場曲線測(ce)試以及介電弛豫測(ce)試等。這些測(ce)試方(fang)法可(ke)以(yi)幫助我(wo)們(men)了(le)解(jie)材(cai)料(liao)的鐵電(dian)性(xing)能(neng)和(he)特性,為(wei)材(cai)料(liao)的設(she)計(ji)和(he)應(ying)用(yong)提(ti)供重要的參(can)考(kao)。
5.表面處(chu)理:為(wei)了避免測(ce)試中的表面效應(ying)對結(jie)果產生幹擾(rao),需要對鐵電(dian)材(cai)料(liao)進行(xing)適當(dang)的表面處(chu)理。這(zhe)包括(kuo)清潔表面、去(qu)除表面氧化(hua)物(wu)等步驟,以(yi)確保(bao)測(ce)試結(jie)果的準確性(xing)。
壹(yi)、產品(pin)介紹:
FE-5000C擴(kuo)展(zhan)型(xing)鐵電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試儀是(shi)壹(yi)款高量(liang)程(cheng)款(kuan)的鐵電(dian)性(xing)能(neng)材(cai)料(liao)測(ce)試裝置(zhi),這(zhe)款設(she)備可以(yi)適用於(yu)鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)、鐵電(dian)體(ti)材(cai)料(liao)(既可(ke)塊(kuai)體(ti)材(cai)料(liao))的電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)量(liang),可(ke)測(ce)量(liang)鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)電滯(zhi)回(hui)線、可測(ce)出具有非(fei)對稱電滯(zhi)回(hui)線鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)值(zhi)。設(she)備可以(yi)擴(kuo)展(zhan)高溫電阻(zu),高溫介電(dian),電容(rong)-電(dian)壓(ya)曲(qu)線,TSC/TSDC等功(gong)能(neng)。本(ben)儀(yi)器是(shi)從(cong)事壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)及壓(ya)電(dian)元(yuan)件生產、應(ying)用(yong)與研究(jiu)部(bu)門(men)的重要設(she)備之壹(yi),已(yi)經在(zai)各大高校和(he)科研院所廣(guang)泛(fan)使用。
二(er)、主要技(ji)術(shu)指標:
1、輸出(chu)信(xin)號電壓(ya)::±5000V(可(ke)擴(kuo)展(zhan)至(zhi)10 kV)
2、溫度;室溫-260℃,控(kong)溫精度(du):±1℃
3、控(kong)制(zhi)施加(jia)頻(pin)率0.01到(dao)250KHz(陶(tao)瓷、單(dan)晶(jing),薄(bo)膜(mo))PC端軟件控(kong)制(zhi)自定(ding)義(yi)設(she)置(zhi)
4、控(kong)制(zhi)輸出(chu)電流0到(dao)±50mA連(lian)續(xu)可調(tiao),PC端軟件控(kong)制(zhi)自定(ding)義(yi)設(she)置(zhi)
5、動態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線測(ce)試頻(pin)率範圍 0.01Hz-5kHz
6、疲勞測(ce)試頻(pin)率300kHz(振(zhen)幅(fu)10 Vpp,負(fu)載電(dian)容(rong)1 nF)
7.測(ce)試速(su)度(du):測(ce)量(liang)時(shi)間(jian)《5秒(miao)/樣(yang)品(pin)•溫度點(dian)
8. 樣品(pin)規格(ge):塊(kuai)體(ti)材(cai)料(liao)尺寸(cun):直(zhi)徑2-100mm,厚度0.1-10mm
9.主要功(gong)能(neng): 動態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線DHM,靜態(tai)電(dian)滯(zhi)回(hui)線SHM,I-V特性,脈沖(chong)PUND,疲勞Fatigue,電(dian)擊穿(chuan)強度BDM,漏電(dian)流LM,電(dian)流-偏壓(ya),保(bao)持(chi)力RM,
10、控(kong)制(zhi)方(fang)式(shi):計算機實(shi)時(shi)控(kong)制(zhi)、實(shi)時(shi)顯(xian)示、實(shi)時(shi)數(shu)據計算、分析與存儲(chu)
11、軟件采(cai)集:自動(dong)采集(ji)軟件,分析可以(yi)兼(jian)容其他相(xiang)關主流軟件。
12、測(ce)試精度:±0.05%
13、內置(zhi)電(dian)壓(ya):±40V
可選的模塊(kuai):
印跡(ji)印痕(hen)IM
變溫測(ce)試THM
POM 模塊(kuai)實(shi)現(xian)極(ji)化(hua)測(ce)量(liang)功(gong)能(neng)
CVM模塊(kuai)實(shi)現(xian)小(xiao)信(xin)號電容(rong)測(ce)試,獲得(de)C-V曲(qu)線
PZM模塊(kuai)實(shi)現(xian)壓(ya)電(dian)特性測(ce)試
DPM模塊(kuai)測(ce)試介電性能(neng)
RTM模塊(kuai)測(ce)試電阻/電阻率性能(neng)
CCDM模塊(kuai)實(shi)現(xian)電(dian)容(rong)充放電測(ce)試