描述：BKTEM-D3型(xing)賽(sai)貝(bei)克(ke)系數測(ce)試儀/熱(re)電(dian)性(xing)能測試儀

BKTEM-D3型(xing)賽貝(bei)克(ke)系數測(ce)試儀/熱(re)電(dian)性(xing)能測試儀

關(guan)鍵(jian)詞(ci)：熱(re)電(dian)，賽(sai)貝(bei)克(ke)系數，Seebeck

當(dang)兩種(zhong)不同導(dao)體(ti)構(gou)成(cheng)閉合(he)回路(lu)時，如(ru)果兩個(ge)接(jie)點(dian)的(de)溫(wen)度(du)不同，則兩(liang)接(jie)點(dian)間(jian)有(you)電(dian)動勢(shi)產生(sheng)，且(qie)在(zai)回(hui)路(lu)中有(you)電(dian)流(liu)通(tong)過，即(ji)溫(wen)差(cha)電(dian)現(xian)象或塞(sai)貝(bei)克(ke)效(xiao)應。

熱(re)電(dian)材(cai)料（也(ye)稱溫(wen)差(cha)電(dian)材(cai)料(thermoelectric materials））是(shi)壹(yi)種(zhong)利(li)用(yong)固體(ti)內(nei)部(bu)載流子(zi)運(yun)動，實(shi)現(xian)熱(re)能和電(dian)能直(zhi)接(jie)相(xiang)互(hu)轉換的功(gong)能材料(liao)，熱(re)電(dian)效(xiao)應是電(dian)流(liu)引起的(de)可(ke)逆熱(re)效(xiao)應和溫(wen)差(cha)引起的(de)電(dian)效(xiao)應的總(zong)稱，包括塞貝(bei)克(ke)（Seebeck）效(xiao)應、波爾貼（Peltier）效應和湯姆遜（Thomson）效應。

塞(sai)貝(bei)克(ke)系數，也(ye)稱為(wei)塞(sai)貝(bei)克(ke)效(xiao)應，是熱(re)電(dian)轉換領域中的(de)壹(yi)個(ge)核(he)心概(gai)念(nian)，描述了(le)在(zai)兩(liang)種(zhong)不同的(de)導(dao)體(ti)之間(jian)，當存(cun)在(zai)溫(wen)度(du)差時(shi)，會(hui)產生(sheng)電(dian)動勢(shi)的(de)現(xian)象。塞貝(bei)克(ke)系數的(de)數值(zhi)大(da)小直(zhi)接(jie)反映了(le)材(cai)料熱(re)電(dian)轉換的效(xiao)率(lv)，是衡(heng)量(liang)電(dian)動勢(shi)大(da)小的物(wu)理量(liang)。隨著材(cai)料科學(xue)的不斷發展，人(ren)們發(fa)現(xian)許多(duo)新材(cai)料具(ju)有(you)優異的(de)塞貝(bei)克(ke)性(xing)能，這(zhe)為(wei)熱(re)電(dian)轉換技術的(de)實(shi)際應用(yong)提(ti)供(gong)了(le)可(ke)能。

該儀(yi)器主要用(yong)於測試兩種(zhong)不同電(dian)導(dao)體(ti)或半(ban)導(dao)體(ti)的(de)溫(wen)度(du)差異(yi)而引起兩(liang)種(zhong)物(wu)質間(jian)的電(dian)壓(ya)差。

熱(re)電(dian)動勢(shi)率(lv)，即塞(sai)貝(bei)克(ke)系數。它表(biao)示在(zai)給(gei)定(ding)溫(wen)度(du)下熱(re)電(dian)動勢(shi)隨溫(wen)度(du)的變(bian)化(hua)率(lv)，壹(yi)般用(yong)每(mei)單(dan)位溫(wen)度(du)的電(dian)動勢(shi)值(zhi)表(biao)示，單(dan)位名(ming)稱為(wei)微(wei)伏每(mei)攝氏(shi)度(du)（μV/℃）。這(zhe)壹(yi)系數是(shi)衡(heng)量(liang)物(wu)質熱(re)電(dian)性(xing)質的(de)重要(yao)參數。

通(tong)過開發出(chu)具有(you)可(ke)逆雙性(xing)塞貝(bei)克(ke)系數的(de)全固態離(li)子(zi)熱(re)電(dian)材(cai)料和可(ke)循(xun)環(huan)發(fa)電(dian)的(de)離(li)子(zi)熱(re)電(dian)器(qi)件，研究人(ren)員揭示了(le)電(dian)極(ji)調控離(li)子(zi)熱(re)電(dian)材(cai)料P/N型(xing)的微(wei)觀機制，實(shi)現了(le)在(zai)恒(heng)定溫(wen)差(cha)下連(lian)續(xu)產生(sheng)電(dian)量(liang)，並具(ju)有(you)高(gao)穩定(ding)性(xing)和循(xun)環(huan)特(te)性(xing)。這(zhe)壹(yi)成(cheng)果(guo)為(wei)離(li)子(zi)熱(re)電(dian)轉換循(xun)環(huan)連(lian)續(xu)供(gong)電(dian)提(ti)供(gong)了(le)關(guan)鍵(jian)技(ji)術。

二(er)：儀(yi)器(qi)測試原(yuan)理結構(gou)圖(tu)

三：主要熱(re)電(dian)材(cai)料體(ti)系：

Bi2Te3/Sb2Te3體(ti)系

PbTe體(ti)系

SiGe體(ti)系

CoSb3為(wei)代(dai)表(biao)的(de)方(fang)鉆(zuan)礦型(xing)熱(re)電(dian)材(cai)料

Zn4Sb3  

四(si)：高(gao)溫(wen)熱(re)電(dian)材(cai)料參數測(ce)試儀產品(pin)特點

1.可(ke)控溫(wen)場(chang)下可同(tong)步測(ce)量(liang)賽貝(bei)克(ke)系數和電(dian)阻率(lv)；

2.配(pei)置垂直(zhi)或水(shui)平(ping)放樣(yang)結構(gou)，滿(man)足不同用(yong)戶(hu)的(de)要(yao)求，方(fang)便樣(yang)品(pin)操作(zuo)；

3.鉑(bo)金大電(dian)極(ji)設計，與樣(yang)品(pin)充分接(jie)觸(chu)，對(dui)於不均勻(yun)樣(yang)品(pin)也(ye)可(ke)獲得(de)良(liang)好(hao)的(de)導(dao)電(dian)測(ce)試；

4.可(ke)配置雙(shuang)加(jia)熱(re)系統(tong)，不均勻(yun)樣(yang)品(pin)的溫(wen)差(cha)控制(zhi)；

5.高(gao)級應用(yong)程序控(kong)溫(wen)技(ji)術，包括溫(wen)差(cha)和測(ce)量(liang)步進(jin)等(deng)高(gao)級要(yao)求；

6. 0-50K範(fan)圍(wei)的(de)溫(wen)差(cha)可隨意設置溫(wen)差(cha)值(zhi)及(ji)溫(wen)差(cha)點的(de)個(ge)數；

7.自(zi)由(you)升(sheng)/降溫(wen)、可(ke)控制(zhi)溫(wen)度(du)程序，進(jin)行(xing)升(sheng)溫(wen)、恒(heng)溫(wen)與(yu)降溫(wen)過(guo)程中(zhong)的數據測(ce)量(liang)；

8.溫(wen)度(du)檢測(ce)可(ke)選S 型(xing)熱(re)電(dian)偶，適合測量(liang)Si系列熱(re)電(dian)材(cai)料（SiGe,MgSi等(deng)）；

9. 熱(re)電(dian)偶探針可選K、S、R型（無需(xu)鎧(kai)裝(zhuang)）配(pei)置，不會(hui)產生(sheng)非常大的(de)接(jie)觸(chu)電(dian)阻；

10.熱(re)電(dian)偶間(jian)距可(ke)以(yi)跟根據樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)調節或固定，滿(man)足不同科(ke)研要(yao)求；

11：標(biao)準(zhun)配置進(jin)口高(gao)級商(shang)用(yong)吉(ji)時利(li)（Keithley ）數(shu)采(cai)儀表(biao)，避(bi)免(mian)電(dian)路(lu)板集(ji)成(cheng)數(shu)據采(cai)集(ji)技(ji)術帶(dai)來(lai)的幹(gan)擾誤(wu)差；

12：恒(heng)流源(yuan)參數：0.000-220mA；恒(heng)流設(she)置分(fen)辨(bian)率(lv)：100nA；恒流(liu)穩定(ding)性(xing)：0.008+20nA/天；

13：溫(wen)度(du)範圍(wei)：RT up to 1150℃；

14：控(kong)溫(wen)速(su)率(lv)：0.01 –100K/min，可以(yi)節約(yue)用(yong)戶(hu)測(ce)試時間(jian)；

15：測(ce)量(liang)範圍(wei)：賽(sai)貝(bei)克(ke)系數：0.5μV/K-25V/K；電(dian)阻率(lv)：0.2μOhmm-2.5KOhmm；

16： 0-80K溫(wen)差(cha)範圍(wei)可(ke)任(ren)意設(she)置溫(wen)差(cha)值(zhi)及(ji)溫(wen)差(cha)點的(de)個(ge)數；

17：U-I曲(qu)線自動掃(sao)描，計算(suan)出(chu)合適的電(dian)流(liu)數值(zhi)，可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)電(dian)導(dao)率(lv)；

不會(hui)對(dui)大電(dian)阻樣(yang)品(pin)產生(sheng)誤(wu)差；

18：熱(re)電(dian)偶間(jian)距可(ke)以(yi)根據樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)調節後(hou)固定，滿(man)足不同科(ke)研要(yao)求；

19：精(jing)度：賽貝(bei)克(ke)系數：±7 %；電(dian)導(dao)系數：±10 %（熱(re)電(dian)材(cai)料測試，非康(kang)銅(tong)標(biao)樣(yang)）；

20:重復(fu)性(xing)：3%；

21：測(ce)量(liang)系統(tong)：柱(zhu)狀(zhuang)、片(pian)狀(zhuang)、長(chang)方(fang)體(ti)、薄(bo)膜等(deng)系統(tong)；

五(wu)：儀器主(zhu)要技術參數：

1：溫(wen)度(du)範圍(wei)：RT up to 1200℃；

2：溫(wen)度(du)分辨(bian)率(lv)：0.001℃；

3：控(kong)溫(wen)精(jing)度：+/-0.25K；

4：恒(heng)流源(yuan)：0.000-220mA；分(fen)辨(bian)率(lv)：100nA；穩定(ding)性(xing)：0.008+20nA/天，標(biao)準(zhun)配置進(jin)口高(gao)級商(shang)用(yong)吉(ji)時利(li)（Keithley ）數(shu)采(cai)儀表(biao)。Keithley技(ji)術： 100nV rms 噪音本底(di)，直(zhi)流電(dian)壓(ya)靈敏(min)度低(di)至10nV，基(ji)本精(jing)度為(wei)0.002%（90天(tian)）7ppm DCV可(ke)重復(fu)性(xing)，基(ji)本1年(nian)DCV準(zhun)確度(du)：0.0028%

讀(du)取速(su)度(du)範圍(wei)：2k讀(du)數/秒(miao)；

溫(wen)度(du)分辨(bian)率(lv)：0.001℃；

交(jiao)流電(dian)壓(ya)分辨率(lv)：0.1μV

電(dian)阻分辨(bian)率(lv)：1 μΩ

電(dian)流(liu)分辨率(lv)：1nA

5：U-I曲(qu)線自動掃(sao)描，計算(suan)出(chu)合適的電(dian)流(liu)數值(zhi)， 可(ke)以(yi)測(ce)量(liang)電(dian)導(dao)率(lv)

6：精(jing)度：賽貝(bei)克(ke)系數：±7 %；電(dian)導(dao)系數：±10 %（熱(re)電(dian)材(cai)料測試，非康(kang)銅(tong)標(biao)樣(yang)）

重復(fu)性(xing)：3%

7：試樣(yang)參考大小：4*4*20-----8*8*30mm

8、電(dian)源(yuan)：220V