描(miao)述(shu)：BKZEM-3電阻率(lv)/溫(wen)差(cha)電動勢(shi)測(ce)試(shi)系統(tong)
關鍵詞(ci)：塞(sai)貝(bei)克(ke)系數(shu)，半導體(ti)，熱(re)電(dian)材料
BKZEM-3電(dian)阻率(lv)/溫(wen)差(cha)電動勢(shi)測(ce)試(shi)系統(tong)可用(yong)於對於半導體(ti)，陶(tao)瓷(ci)材料，金(jin)屬材料等多(duo)種材料的(de)熱電性能分析(xi)。



熱力(li)發電(dian)是壹(yi)種(zhong)通過熱電效(xiao)應(ying)材料產生電(dian)力(li)的(de)方(fang)法，由J.T.Seebeck德(de)國物(wu)理(li)學家(jia)在(zai)1821年發現(xian)的(de)。面對當(dang)前的(de)全(quan)球由(you)二(er)氧化(hua)碳(tan)排(pai)放(fang)以及化學材料消(xiao)耗而(er)導致(zhi)的(de)溫(wen)室效(xiao)應，熱電轉變(bian)器件(jian)引(yin)起(qi)了註(zhu)意，因(yin)為可以有效(xiao)利(li)用(yong)余

BKZEM-3電(dian)阻率(lv)/溫(wen)差(cha)電動勢(shi)測(ce)試(shi)系統(tong)

關鍵詞(ci)：塞(sai)貝(bei)克(ke)系數(shu)，半導體(ti)，熱(re)電(dian)材料

BKZEM-3電(dian)阻率(lv)/溫(wen)差(cha)電動勢(shi)測(ce)試(shi)系統(tong)可用(yong)於對於半導體(ti)，陶(tao)瓷(ci)材料，金(jin)屬材料等多(duo)種材料的(de)熱(re)電(dian)性能分析(xi)。

熱(re)力(li)發電(dian)是壹(yi)種(zhong)通過熱電效(xiao)應(ying)材料產生電(dian)力(li)的(de)方(fang)法，由J.T.Seebeck德(de)國物(wu)理(li)學家(jia)在(zai)1821年發現(xian)的(de)。面對當(dang)前的(de)全(quan)球由(you)二(er)氧化(hua)碳(tan)排(pai)放(fang)以及化學材料消(xiao)耗而(er)導致(zhi)的(de)溫(wen)室效(xiao)應，熱電轉變(bian)器件(jian)引(yin)起(qi)了註(zhu)意，因(yin)為可以有效(xiao)利(li)用(yong)余熱。為了迎(ying)合這種急(ji)迫的(de)需求公(gong)司為(wei)這(zhe)些(xie)材料和(he)器件(jian)開發了(le)特性評估裝置(zhi)。

+  擁(yong)有溫(wen)度精(jing)確控制(zhi)的(de)紅外金面加(jia)熱爐(lu)和控制(zhi)溫(wen)差(cha)的(de)微(wei)型加(jia)熱器；

+  測(ce)量是由(you)計(ji)算機(ji)控制(zhi)的(de)，並且能夠在(zai)的(de)溫(wen)度下(xia)執(zhi)行(xing)測量，並(bing)允(yun)許自動(dong)測(ce)量消(xiao)除背底電(dian)動(dong)勢；

+  歐姆接(jie)觸(chu)自動(dong)檢測功(gong)能（V-I圖(tu)）；

+  可以用適配(pei)器來(lai)測量薄(bo)膜；

+  可定(ding)制(zhi)高阻型。

測(ce)試(shi)原理(li)：

樣(yang)品以圓柱(zhu)形或方(fang)柱的(de)形式(shi)垂(chui)直(zhi)放(fang)置(zhi)在加(jia)熱爐(lu)中(zhong)的(de)上塊和下(xia)塊(kuai)之間(jian)。通過下(xia)塊(kuai)中(zhong)的(de)加(jia)熱器給樣(yang)品施加(jia)溫(wen)度梯(ti)度，同(tong)時將樣(yang)品加(jia)熱並保(bao)持(chi)在規定(ding)的(de)溫(wen)度。塞(sai)貝克系數的(de)測量是通過測量壓(ya)在(zai)樣(yang)品側面的(de)熱電偶上的(de)上部和下(xia)部(bu)T1，T2與熱電(dian)偶(ou)壹側的(de)同(tong)壹股線之間(jian)的(de)熱電動勢dE來(lai)確定(ding)的(de)。
電阻測量采用(yong)直(zhi)流四(si)端法，通過在樣(yang)品兩端施加(jia)恒定(ding)電流I，測量熱(re)電(dian)偶同(tong)壹元(yuan)件(jian)線之間(jian)的(de)電壓降(jiang)dV，並去(qu)除引(yin)線之間(jian)的(de)熱電動勢來(lai)確定(ding)。

電(dian)阻測量系(xi)統(tong)可實(shi)現(xian)對(dui)金屬或半(ban)導體(ti)材料的(de)熱電性能的(de)評估。作(zuo)為ZEM的(de)特點，塞貝克(ke)系(xi)數(shu)（seebeck）和電(dian)阻都可以用壹種儀器來(lai)測量。該(gai)系統(tong)可用(yong)於對於半導體(ti)，陶(tao)瓷(ci)材料，金(jin)屬材料等多(duo)種材料的(de)熱(re)電(dian)性能分析(xi)。

主(zhu)要技(ji)術參(can)數(shu)：

溫(wen)度範(fan)圍：  室溫(wen)-600℃，800℃ ，1000℃多(duo)種範(fan)圍(wei)可選(xuan)擇(ze)

溫(wen)度設(she)定(ding)範圍:測(ce)溫(wen)步數(shu)和溫(wen)度采樣(yang)測(ce)量步(bu)數(shu)：最大125步

測(ce)量方(fang)法 :溫(wen)差(cha)電動勢(shi)：靜(jing)態直(zhi)流法

電(dian)阻率(lv)：四(si)電極(ji)法

氣(qi)氛(fen): 氬氣(qi)或氮(dan)氣(qi)

樣(yang)品尺(chi)寸(cun):2~4 mm正(zheng)方(fang)形或直(zhi)徑(jing)2~4 mm，長(chang)6~22 mm（最大）

導線間距:4，6，8 mm

電(dian)源(yuan)供應(ying):200 VAC，單相，40 A（M8，M10規格）

100 VAC，單相，20 A（L規格，M8和M10規格）

冷卻水(shui)需(xu)求:自(zi)來(lai)水(shui),水(shui)壓(ya)大於1.5 kgf/cm²,流(liu)量大(da)於7 L/min

樣(yang)品溫(wen)差(cha)：MAX.50℃

測量方(fang)式：電(dian)腦全(quan)自(zi)動(dong)測量