描(miao)述：2024新(xin)推出DHM型動(dong)態(tai)雙(shuang)電(dian)測功(gong)能(neng)鐵(tie)電(dian)測試(shi)儀(yi)
擴(kuo)展(zhan)型鐵(tie)電(dian)性能(neng)測試(shi)儀(yi)是(shi)壹款高量程(cheng)款的鐵(tie)電(dian)性能(neng)材料(liao)測試(shi)裝(zhuang)置，這(zhe)款設備可(ke)以(yi)適(shi)用(yong)於鐵(tie)電(dian)薄膜、鐵(tie)電(dian)體材料(liao)（既可(ke)塊(kuai)體材料(liao)）的(de)電(dian)性能(neng)測量，可(ke)測量鐵(tie)電(dian)薄膜電(dian)滯回(hui)線、可測出具有(you)非對稱電(dian)滯回(hui)線鐵(tie)電(dian)薄膜值(zhi)。設備可(ke)以(yi)擴(kuo)展(zhan)高溫(wen)電(dian)阻，高溫(wen)介(jie)電(dian)，電(dian)容-電(dian)壓曲線，TSC/TSDC等(deng)功(gong)能(neng)。本(ben)儀器(qi)是(shi)從事(shi)壓電(dian)材料(liao)及(ji)壓(ya)電(dian)元件(jian)生(sheng)產、應(ying)用與(yu)研(yan)究(jiu)部門(men)的(de)重(zhong)要(yao)設(she)備之壹(yi)，已經在(zai)各大高校和科(ke)研(yan)院所(suo)廣(guang)泛

 FE-5000C型擴(kuo)展(zhan)型鐵(tie)電(dian)性能(neng)綜合(he)測試(shi)儀(yi)

關(guan)鍵(jian)詞(ci):電(dian)滯回(hui)線 ,鐵(tie)電(dian)測試(shi)儀(yi)，電(dian)壓，頻率(lv) ，電(dian)致應變(bian)

壹(yi)、產品(pin)介紹：

    FE-5000C擴(kuo)展(zhan)型鐵(tie)電(dian)性能(neng)測試(shi)儀(yi)是(shi)壹款高量程(cheng)款的鐵(tie)電(dian)性能(neng)材料(liao)測試(shi)裝(zhuang)置，這(zhe)款設備可(ke)以(yi)適(shi)用(yong)於鐵(tie)電(dian)薄膜、鐵(tie)電(dian)體材料(liao)（既可(ke)塊(kuai)體材料(liao)）的(de)電(dian)性能(neng)測量，可(ke)測量鐵(tie)電(dian)薄膜電(dian)滯回(hui)線、可測出具有(you)非對稱電(dian)滯回(hui)線鐵(tie)電(dian)薄膜值(zhi)。設備可(ke)以(yi)擴(kuo)展(zhan)高溫(wen)電(dian)阻，高溫(wen)介(jie)電(dian)，電(dian)容-電(dian)壓曲線，TSC/TSDC等(deng)功(gong)能(neng)。本(ben)儀器(qi)是(shi)從事(shi)壓電(dian)材料(liao)及(ji)壓(ya)電(dian)元件(jian)生(sheng)產、應(ying)用與(yu)研(yan)究(jiu)部門(men)的(de)重(zhong)要(yao)設(she)備之壹(yi)，已經在(zai)各大高校和科(ke)研(yan)院所(suo)廣(guang)泛使(shi)用。

二(er)、主(zhu)要(yao)技術(shu)指(zhi)標：

1、輸(shu)出信號(hao)電(dian)壓：：±5000V（可(ke)擴(kuo)展(zhan)至(zhi)10 kV）。

2、溫(wen)度；室溫(wen)-260℃，控溫(wen)精(jing)度(du)：±1℃

3、控制施(shi)加(jia)頻率0.2到(dao)1000Hz（陶瓷、單晶，薄膜）PC端軟件(jian)控制自(zi)定(ding)義(yi)設置；

4、控制輸出電(dian)流(liu)0到±50mA連(lian)續可調(tiao)，PC端軟件(jian)控制自(zi)定(ding)義(yi)設置。

5、動(dong)態(tai)電(dian)滯回(hui)線測試(shi)頻(pin)率(lv)範圍(wei) 0.01Hz-5kHz

6、疲勞(lao)測試(shi)頻(pin)率(lv)300kHz（振(zhen)幅10 Vpp，負載(zai)電(dian)容1 nF）；

7.測試(shi)速(su)度(du)：測量時(shi)間(jian)《5秒/樣(yang)品•溫(wen)度點(dian)   

8. 樣(yang)品規格(ge)：塊(kuai)體材料(liao)尺(chi)寸：直(zhi)徑(jing)2-100mm，厚度0.1-10mm

9.主(zhu)要(yao)功(gong)能(neng)： 動(dong)態(tai)電(dian)滯回(hui)線DHM，靜(jing)態(tai)電(dian)滯回(hui)線SHM，I-V特性，脈沖(chong)PUND，疲勞(lao)Fatigue，電(dian)擊穿強(qiang)度BDM，漏(lou)電(dian)流(liu)LM，電(dian)流(liu)-偏(pian)壓，保持(chi)力(li)RM，

10、控制方式：計(ji)算(suan)機實(shi)時(shi)控制、實(shi)時(shi)顯示(shi)、實(shi)時(shi)數據計(ji)算(suan)、分(fen)析與(yu)存儲(chu)

11、軟件(jian)采集(ji)：自(zi)動(dong)采集(ji)軟件(jian)，分(fen)析可以(yi)兼容(rong)其(qi)他相(xiang)關(guan)主(zhu)流(liu)軟件(jian)。

12、測試(shi)精(jing)度(du)：±0.05%

13、內置電(dian)壓：±40V

14、

可(ke)選的(de)模塊(kuai)：

印(yin)跡印(yin)痕(hen)IM

變(bian)溫測試(shi)THM

POM 模塊(kuai)實(shi)現極(ji)化測量功(gong)能(neng)

CVM模塊(kuai)實(shi)現小信號(hao)電(dian)容測試(shi)，獲(huo)得(de)C-V曲線

PZM模塊(kuai)實(shi)現壓(ya)電(dian)特性測試(shi)

DPM模塊(kuai)測試(shi)介(jie)電(dian)性能(neng)

RTM模塊(kuai)測試(shi)電(dian)阻/電(dian)阻率性能(neng)

CCDM模塊(kuai)實(shi)現電(dian)容充放(fang)電(dian)測試(shi)。