描述(shu)：TDT-3000 Analyzer型(xing)擴(kuo)展型鐵電分析儀 是(shi)壹款的高速(su)型(xing)模(mo)塊化(hua)鐵(tie)電(dian)壓(ya)電(dian)分析儀，具(ju)備鐵(tie)電、壓(ya)電(dian)、熱釋(shi)電(dian)材(cai)料所有(you)基(ji)本(ben)特(te)性(xing)測(ce)試功(gong)能，可(ke)與激光幹涉儀和(he)SPM掃描探(tan)針(zhen)顯微(wei)鏡(jing)等(deng)微(wei)位(wei)移(yi)傳(chuan)感器聯(lian)用，可(ke)廣(guang)泛地(di)應用於如各種鐵電/壓(ya)電(dian)/熱釋(shi)電(dian)薄膜、厚膜(mo)、體材(cai)料和電(dian)子陶瓷(ci)、鐵(tie)電(dian)傳(chuan)感器/執(zhi)行器/存(cun)儲(chu)器等(deng)領(ling)域(yu)的研究。
模(mo)塊化(hua)設(she)計(ji)的(de)TDT-3000型鐵電分析儀 具(ju)有優(you)異的擴(kuo)展性，提(ti)供(gong)高達(da)15中(zhong)測試功(gong)能

TDTF-3000 Analyzer 型擴(kuo)展型鐵電分析儀 

關鍵(jian)詞(ci)：鐵電，電(dian)滯回線，脈沖，疲勞

TDT-3000 Analyzer型擴(kuo)展型鐵電分析儀 是(shi)壹款的高速(su)型(xing)模(mo)塊化(hua)鐵(tie)電(dian)壓(ya)電(dian)分析儀，具(ju)備鐵(tie)電、壓(ya)電(dian)、熱釋(shi)電(dian)材(cai)料所有(you)基(ji)本(ben)特(te)性(xing)測(ce)試功(gong)能，可(ke)與激光幹涉儀和(he)SPM掃描探(tan)針(zhen)顯微(wei)鏡(jing)等(deng)微(wei)位(wei)移(yi)傳(chuan)感器聯(lian)用，可(ke)廣(guang)泛地(di)應用於如各種鐵電/壓(ya)電(dian)/熱釋(shi)電(dian)薄膜、厚膜(mo)、體材(cai)料和電(dian)子陶瓷(ci)、鐵(tie)電(dian)傳(chuan)感器/執(zhi)行器/存(cun)儲(chu)器等(deng)領(ling)域(yu)的研究。
模(mo)塊化(hua)設(she)計(ji)的(de)TDT-3000型鐵電分析儀 具(ju)有優(you)異的擴(kuo)展性，提(ti)供(gong)高達(da)15中(zhong)測試功(gong)能

TDTF-3000 Analyzer主(zhu)要(yao)模塊標準(zhun)測試功(gong)能：
1、Dynamic Hysteresis 動態(tai)電滯(zhi)回線測試頻率(lv)（增(zeng)強(qiang)型(xing)FE模塊250kHz，高速(su)增(zeng)強(qiang)型(xing)FE模塊1MHz）； 
2、Static Hysterestic 靜態(tai)電滯(zhi)回線測試； 
3、PUND 脈沖測試；
4、Fatigue 疲勞(lao)測試；
5、Retention 保持力(li)；
6、Imprint 印跡(ji)；
7、Leakage current漏(lou)電(dian)流(liu)測(ce)試；
8、Thermo Measurement 變溫(wen)測試功(gong)能。

9、TSDC熱釋(shi)電(dian)測試功(gong)能

10、ECM電卡功(gong)能

11、RT電阻(zu)測量(liang)

12、POM油浴(yu)極(ji)化(hua)

• FE模(mo)塊-鐵電(dian)標準(zhun)測試；

• MR模塊-磁阻(zu)和鐵(tie)性(xing)材(cai)料測試；

• RX模塊-弛豫(yu)電流(liu)測(ce)試；

• DR模塊-自放(fang)電測試。

測試基(ji)本(ben)單(dan)元：包括內置(zhi)完整(zheng)的(de)專(zhuan)用計(ji)算(suan)機(ji)主(zhu)機(ji)和(he)測(ce)試版(ban)路、運(yun)算(suan)放(fang)大(da)器、數(shu)據(ju)處(chu)理單元等(deng)，Windows 10操(cao)作系(xi)統(tong)、鐵(tie)電(dian)分析儀專(zhuan)用測(ce)試軟(ruan)件等(deng)。

升級擴(kuo)展FE模塊可選(xuan)測試功(gong)能：
C-V curve電(dian)容(rong)-電壓(ya)曲線(xian)； 
Piezo Measurement壓(ya)電(dian)性能測試； 
Pyroelectric Measurement熱釋(shi)電(dian)性能測試； 
In-situ Compensation 原(yuan)位(wei)補(bu)償(chang)；
DLCC 動態(tai)漏電(dian)流(liu)補(bu)償(chang)功(gong)能；
Impedance Measurement 阻(zu)抗測試 (僅適用於高速(su)增(zeng)強(qiang)型(xing))。

主(zhu)要(yao)技術技術說(shuo)明(ming)：
電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)： +/- 25 V（可選(xuan)的附加高壓(ya)放(fang)大(da)器可(ke)擴(kuo)展至(zhi)+/- 10KV，20KV）； 

電荷測(ce)量(liang)解(jie)析(xi)度(du)範(fan)圍(wei): 0.80pC~5.26mC；

電荷分辨率(lv)：1u

材(cai)料測量(liang)面(mian)積(ji)解(jie)析(xi)度(du)範(fan)圍(wei)0.080μm² ~50cm²；

在(zai)使(shi)用外(wai)部高壓(ya)電(dian)源時(shi)，測量(liang)電(dian)荷的(de)最(zui)大(da)解(jie)析(xi)度(du)為526mC。
電滯(zhi)頻率：增(zeng)強(qiang)型(xing)FE模塊250kHz，高速(su)增(zeng)強(qiang)型(xing)FE模塊1MHz；
最(zui)小(xiao)脈沖寬(kuan)度：50ns；
最(zui)小(xiao)上(shang)升(sheng)時(shi)間：10ns；
最(zui)大(da)疲勞(lao)頻(pin)率：16MHz；
電(dian)流(liu)放(fang)大(da)範(fan)圍(wei)：1pA～1A；
最(zui)大(da)負(fu)荷電(dian)容(rong)：1nF；
輸出電(dian)流(liu)峰(feng)值(zhi)：+/-1 A。
輸入阻(zu)抗：等(deng)效(xiao)阻(zu)抗

小(xiao)信(xin)號頻(pin)率(lv)：500KHZ

大(da)信號頻(pin)率(lv)：1MHZ

信號轉(zhuan)換(huan)效率(lv)：28位(wei)(高(gao)精度(du)采集(ji))


MR模(mo)塊是用來(lai)研究磁阻(zu)和鐵(tie)性(xing)材(cai)料的。
此(ci)模(mo)塊提(ti)供(gong)連續電(dian)流(liu)激勵(li)和測(ce)試，樣品(pin)上的(de)電(dian)壓(ya)降(jiang)通過(guo)高(gao)精(jing)度(du)四點測試。

RX模塊是用來(lai)研究介電體(ti)和鐵(tie)電材(cai)料的極(ji)化(hua)和(he)去(qu)極(ji)化(hua)電(dian)流(liu)的(de)，即施加(jia)電壓(ya)階(jie)躍後的(de)電(dian)流(liu)響(xiang)應。
該測(ce)試能將(jiang)材(cai)料的馳豫電流(liu)和(he)漏(lou)電(dian)流(liu)分開(kai)，並(bing)可記錄(lu)極化(hua)響(xiang)應電流(liu)和(he)去(qu)極(ji)化(hua)響(xiang)應電流(liu)。

DR模塊用於研究電(dian)介質(zhi)材(cai)料的自漏電(dian)性。
由(you)於測試條(tiao)件非(fei)常接(jie)近實(shi)際情(qing)況(kuang)，因此(ci)通過(guo)這(zhe)種方式可(ke)容(rong)易(yi)地測(ce)試應用於DRAM材(cai)料的合(he)適性(xing)。

針(zhen)對(dui)工業方面(mian)的(de)應用，TDTF-3000 Analyzer提(ti)供(gong)了256個自動測試的通道，大(da)大(da)擴(kuo)展了該儀器的(de)測(ce)試功(gong)能。

以上所有的(de)模(mo)塊可根(gen)據(ju)您(nin)的(de)測試需(xu)求以及科研方向進行獨(du)立(li)選(xuan)擇(ze)或者任(ren)意組合(he)。

優(you)勢(shi)：

1、高集(ji)成(cheng)電路模(mo)塊，采集(ji)電壓(ya)電(dian)流(liu)各(ge)項(xiang)指(zhi)標，運(yun)行速(su)度(du)快(kuai)，采(cai)集(ji)率(lv)高提(ti)供(gong)了高(gao)集(ji)成(cheng)電(dian)路陶瓷(ci)基(ji)板技術（HCT），為NASA提(ti)供(gong)了解(jie)決(jue)方案。在(zai)可(ke)承(cheng)受平(ping)流(liu)層(ceng)的(de)特(te)殊(shu)環境而且耐用的(de)氧(yang)化(hua)鋁(lv)基(ji)板上(shang)，我們運用氮(dan)化(hua)鉭實(shi)現(xian)了(le)20μm寬(kuan)度的(de)高(gao)精(jing)密電路(lu)

2、全(quan)面(mian)的測試功(gong)能

3、

DH動態(tai)電滯(zhi)回線功(gong)能，SH靜態(tai)電滯(zhi)回線功(gong)能，PUND 脈沖測試，Retention 保持力(li)，Leakage current漏(lou)電(dian)流(liu)測(ce)試

4、 全(quan)過(guo)程(cheng)質(zhi)量(liang)管理與測試

原(yuan)材(cai)料和外(wai)購件的質(zhi)量(liang)控制(zhi)-嚴肅工藝(yi)紀律(lv)-驗(yan)證工序(xu)能(neng)力(li)-工序(xu)檢(jian)驗(yan)-驗(yan)證狀(zhuang)態(tai)的控制(zhi)-儀器合(he)格(ge)

優(you)勢(shi)五(wu)、完(wan)善(shan)的(de)售(shou)後(hou)服(fu)務(wu)體系(xi)

產(chan)品(pin)保修(xiu)5年(nian)，終身維(wei)護，24小(xiao)時(shi)接聽(ting)技術問答(da)，前期的技術溝通和(he)免(mian)費(fei)的來樣驗(yan)證測(ce)試，讓(rang)您的(de)測試放(fang)心。

可擴(kuo)展部件：
高壓(ya)放(fang)大(da)器、激光幹涉儀、AFM、溫(wen)度控制(zhi)器、薄(bo)膜(mo)探(tan)針(zhen)冷熱臺、變溫(wen)塊體樣品(pin)盒、塊體變(bian)溫(wen)爐、薄(bo)膜(mo)e31測(ce)試平臺(tai)、超導(dao)磁體(ti)、PPMS、阻(zu)抗分析儀等(deng)。