描(miao)述(shu)：高低(di)溫介(jie)電測(ce)量儀主要(yao)應(ying)用(yong)於(yu)高低(di)溫下(xia)材(cai)料(liao)的介(jie)電性能(neng)測(ce)試與(yu)分析(xi)，包(bao)括(kuo)介(jie)電常數、介(jie)電損耗、電容等參數，同(tong)時測(ce)試出測(ce)試材(cai)料(liao)的其他(ta)阻(zu)抗參(can)數(shu)，廣泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)、半導體(ti)器件(jian)及(ji)功能(neng)薄膜(mo)材(cai)料(liao)等研究 。

GDJD-600型高低(di)溫介(jie)電性能(neng)測(ce)量系統(tong)（四(si)通(tong)道(dao)測(ce)試，同(tong)時測(ce)試4個(ge)樣品(pin)）介(jie)紹：

關鍵詞：高低(di)溫介(jie)電測(ce)量儀，高低(di)溫介(jie)電測(ce)量系統(tong)。

GWJD-600型高溫(wen)介(jie)電性能(neng)測(ce)量系統(tong)主要(yao)應(ying)用(yong)於(yu)高低(di)溫下(xia)材(cai)料(liao)的介(jie)電性能(neng)測(ce)試與(yu)分析(xi)，包(bao)括(kuo)介(jie)電常數、介(jie)電損耗、電容等參數，同(tong)時測(ce)試出測(ce)試材(cai)料(liao)的其他(ta)阻(zu)抗參(can)數(shu)，廣泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)、半導體(ti)器件(jian)及(ji)功能(neng)薄膜(mo)材(cai)料(liao)等研究 。

產(chan)品(pin)優勢(shi)：

1.實(shi)現(xian)室(shi)溫(wen)-140°C-800°C的低(di)高溫(wen)介(jie)電轉(zhuan)換測(ce)量

2.四(si)通(tong)道(dao)測(ce)試，可(ke)以(yi)同(tong)時測(ce)試1-4個(ge)樣品(pin)，方(fang)便(bian)快捷(jie)

3.數據(ju)分析(xi)軟(ruan)件(jian)：提(ti)供(gong)多種(zhong)掃(sao)描(miao)曲(qu)線(xian)，可(ke)以(yi)在多(duo)窗(chuang)口(kou)之間切(qie)換數據

產(chan)品(pin)特(te)點(dian)：

1.可(ke)以(yi)在低(di)高溫(wen)、寬(kuan)頻、真空(kong)條件(jian)下測(ce)量固體(ti)、薄(bo)膜(mo)樣(yang)品(pin)的介(jie)電性能(neng)。

2.可(ke)以(yi)分樣品(pin)的頻(pin)率(lv)譜、溫(wen)度(du)譜、偏(pian)壓譜、阻(zu)抗譜、介(jie)電譜、時間譜等測(ce)量功能(neng)。

3.可(ke)以(yi)測(ce)量樣品(pin)的介(jie)電常數、介(jie)電損耗，電容C，損耗D，電感L，品(pin)質因(yin)數(shu)Q，阻(zu)抗Z等物理(li)量；以(yi)實現(xian)介(jie)電常數和(he)介(jie)電損耗隨(sui)多個溫(wen)度(du)、多(duo)個頻(pin)率變(bian)化(hua)的曲(qu)線(xian)，時間和(he)電壓變(bian)化(hua)的曲(qu)線(xian)。

4.可(ke)提(ti)供(gong)塊體(ti)，薄(bo)膜(mo)，單樣品(pin)，四(si)樣品(pin)夾(jia)具(ju)，滿足(zu)不同(tong)測(ce)試要(yao)求(qiu)。

高低(di)溫介(jie)電測(ce)量儀主要(yao)技(ji)術(shu)指(zhi)標(biao)：