描(miao)述：熱電材(cai)料(liao)性能測(ce)試(shi)儀(yi)由(you)高精(jing)度，高靈敏度溫(wen)度(du)可(ke)控的(de)電阻(zu)爐(lu)和(he)控制溫度(du)用(yong)的微型(xing)加(jia)熱源構(gou)成。通過PID程(cheng)序控溫(wen)，采用(yong)四(si)點法(fa)的方(fang)式(shi)測(ce)定(ding)半導(dao)體材(cai)料(liao)及熱電材(cai)料(liao)的Seebeck系數及電導(dao)率(lv)、電阻(zu)率(lv)。試樣(yang)與引線(xian)的(de)接觸是(shi)否(fou)正(zheng)常V-1裝(zhuang)置(zhi)可(ke)以(yi)自動(dong)檢(jian)出。

BKTEM-Dx熱電材(cai)料(liao)性能測(ce)試(shi)儀(yi)介紹：

關(guan)鍵詞：熱電，Seebeck系數，電導(dao)率(lv)，電阻(zu)率(lv)，n或(huo)p型熱電材(cai)料(liao)π對熱電轉(zhuan)換效(xiao)。

BKTEM-Dx熱電材(cai)料(liao)性能測(ce)試(shi)儀(yi)是(shi)是(shi)其對(dui)熱電材(cai)料(liao)π對與(yu)器件(jian)的熱電轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)測(ce)試(shi)，用(yong)於(yu)測(ce)試(shi)、分(fen)析和(he)研(yan)究(jiu)兩個(ge)相同(tong)或(huo)不相同(tong)的(de)n或(huo)p型熱電材(cai)料(liao)π對的(de)熱電轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)。對於(yu)熱電材(cai)料(liao)的研(yan)究(jiu)，熱電性能測(ce)試(shi)的(de)試(shi)驗數據(ju)。BKD-Dx(x=1,2,3)系列可(ke)以(yi)地(di)測(ce)定(ding)半導(dao)體材(cai)料(liao)、金屬(shu)材(cai)料(liao)及其他熱電材(cai)料(liao)(Bi2Te3, PbTe, Skutterudites等)的Seebeck系數及電導(dao)率(lv)，主(zhu)要(yao)原理和(he)特(te)點如(ru)下(xia):

該裝(zhuang)置(zhi)由高(gao)精(jing)度，高靈敏度溫(wen)度(du)可(ke)控的(de)電阻(zu)爐(lu)和(he)控制溫度(du)用(yong)的微型(xing)加(jia)熱源構(gou)成。通過PID程(cheng)序控溫(wen)，采用(yong)四(si)點法(fa)的方(fang)式(shi)測(ce)定(ding)半導(dao)體材(cai)料(liao)及熱電材(cai)料(liao)的Seebeck系數及電導(dao)率(lv)、電阻(zu)率(lv)。試樣(yang)與引線(xian)的(de)接觸是(shi)否(fou)正(zheng)常V-1裝(zhuang)置(zhi)可(ke)以(yi)自動(dong)檢(jian)出。

測(ce)試(shi)原(yuan)理：

原(yuan)理：

（1）通過測(ce)量(liang)派(pai)對(dui)或(huo)器件(jian)開路電(dian)壓(ya)和(he)短路電(dian)流(liu)求(qiu)得(de)派(pai)對(dui)或(huo)器件(jian)的輸出功率(lv)。

（2）采用(yong)合適(shi)尺寸(cun)的溫(wen)差(cha)電熱流(liu)量(liang)計(ji)測(ce)量(liang)通過熱電派(pai)對(dui)或(huo)器件(jian)的熱流(liu)量(liang)，其溫(wen)差(cha)電熱流(liu)量(liang)計(ji)的(de)工(gong)作(zuo)原(yuan)理是(shi)：當對(dui)溫差(cha)電制冷片通電時(shi)，其壹(yi)端降(jiang)溫(wen)壹(yi)端升(sheng)溫，降(jiang)溫(wen)端朝向熱電材(cai)料(liao)的冷端，升(sheng)溫端連(lian)接(jie)恒溫(wen)的(de)冷卻水(shui)（恒溫(wen)），利用經(jing)過校(xiao)準的(de)通過熱量計(ji)的(de)高低(di)溫(wen)端工作(zuo)溫(wen)度--制冷量關(guan)系方程式求(qiu)出不同(tong)溫(wen)度梯度(du)下(xia)流(liu)經(jing)溫(wen)差(cha)電熱流(liu)計(ji)的(de)熱流(liu)量(liang)，即(ji)為(wei)通過派(pai)對或(huo)器件(jian)的熱流(liu)。

（3）大輸出功率(lv)與通過的(de)熱流(liu)相比(bi)求(qiu)得(de)轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)。

適(shi)用範(fan)圍(wei)：

1、碲化鉍(bi)類(lei)、碲化鉛(qian)類(lei)、碲化鍺(zhe)類(lei)、方鈷(gu)礦(kuang)類(lei)、電子晶(jing)體(ti)-聲(sheng)子玻璃(li)類(lei)、納(na)米(mi)超晶(jing)格類(lei)、功能梯(ti)度(du)類(lei)、Half-Heusler類(lei)熱電材(cai)料(liao)π對與(yu)器件(jian)的熱電轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)測(ce)試(shi)，用(yong)於(yu)測(ce)試(shi)、分(fen)析和(he)研(yan)究(jiu)兩個(ge)相同(tong)或(huo)不相同(tong)的(de)n或(huo)p型熱電材(cai)料(liao)π對的(de)熱電轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)。

2、地(di)測(ce)定(ding)半導(dao)體材(cai)料(liao)、金屬(shu)材(cai)料(liao)及其他熱電(Bi2Te3,PbTe,Skutterudites康(kang)銅、鎳(nie)、鎢(wu)等金屬(shu)，Te、Bi2Te3、ZrNiSn、ZnAgSb、NiMoSb、SnTe、FeNbSb、CuGaTe2、GeTe、Ag1-xCuS、Cu2ZnSnSe4等)的Seebeck系數及電導(dao)率(lv)、電阻(zu)率(lv)。

3、試樣(yang)與引線(xian)的(de)接觸是(shi)否(fou)正(zheng)常V-1裝(zhuang)置(zhi)可(ke)以(yi)自動(dong)檢(jian)出。

4、擁有(you)自(zi)身分(fen)析軟(ruan)件(jian)，獨立(li)分(fen)析，過程(cheng)自動(dong)控制，界面(mian)友(you)好。

技(ji)術(shu)特點：

解決高溫(wen)下(xia)溫控精(jing)度不準的(de)問題，靜態法(fa)測(ce)量(liang)更(geng)加(jia)直觀(guan)的(de)了解產品(pin)熱電材(cai)料(liao)的真(zhen)正(zheng)表(biao)征(zheng)物(wu)理屬(shu)性。

熱電材(cai)料(liao)π對與(yu)器件(jian)的熱電轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)測(ce)試(shi)，用(yong)於(yu)測(ce)試(shi)、分(fen)析和(he)研(yan)究(jiu)兩個(ge)相同(tong)或(huo)不相同(tong)的(de)n或(huo)p型熱電材(cai)料(liao)π對的(de)熱電轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)。

溫度(du)檢測(ce)可(ke)采(cai)用(yong)J、K型(xing)熱電偶(ou)，降(jiang)低(di)測(ce)試(shi)成本(ben)。

每次(ci)可(ke)測(ce)試(shi)1-3個(ge)樣(yang)品(pin)。

采(cai)用(yong)高(gao)級數據(ju)采集(ji)技(ji)術(shu)，避免電路板(ban)數(shu)據采集技(ji)術(shu)帶來的幹(gan)擾誤差(cha)，可(ke)控溫(wen)場(chang)下(xia)同步(bu)測(ce)量(liang)賽(sai)貝(bei)克(ke)系數和(he)電(dian)阻(zu)率(lv)。

具(ju)備(bei)真空和(he)Ar氣(qi)保(bao)護兩種工況選(xuan)項。

主(zhu)要(yao)技(ji)術(shu)參數(shu)：

單(dan)壹樣(yang)品(pin)測(ce)試(shi)系統原理示意圖

圖2雙(shuang)樣(yang)品(pin)測(ce)試(shi)系統原理示意圖