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詳細介(jie)紹
| 品(pin)牌 | 其(qi)他(ta)品(pin)牌 | 應(ying)用(yong)領域(yu) | 地礦,能源(yuan),電(dian)子/電(dian)池(chi),航(hang)空(kong)航(hang)天(tian),電(dian)氣 |
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目前常(chang)規(gui)的方(fang)法(fa)是通(tong)過(guo)電滯(zhi)回(hui)線計算(suan)高壓下(xia)電介(jie)質的能量(liang)密(mi)度(du),測(ce)試(shi)時(shi),樣品(pin)的電荷(he)是放(fang)回(hui)到高壓源(yuan)上(shang),而(er)不是釋(shi)放(fang)到負載上,通過(guo)電(dian)滯(zhi)回(hui)線測得的儲能密(mi)度(du)壹(yi)般(ban)會大於樣品(pin)實(shi)際(ji)釋放的能量(liang)密(mi)度(du),無(wu)法(fa)正(zheng)確(que)評估(gu)電介(jie)質材(cai)料的正(zheng)常(chang)放(fang)電性能。DCD-100儲能型電介(jie)質充(chong)放電測試系(xi)統專(zhuan)為研(yan)究(jiu)儲(chu)能電介(jie)質材(cai)料快速(su)充(chong)放電性能而(er)設(she)計,適用(yong)陶瓷、薄膜材(cai)料,可進行(xing)變(bian)溫下(xia)的欠、過(guo)阻尼充放(fang)電測試(shi)。是目(mu)前(qian)研究(jiu)儲(chu)能材(cai)料的重要科研(yan)設(she)備(bei),是目(mu)前(qian)高等院校(xiao)和(he)科研(yan)院所(suo)的設(she)備(bei)。
1、內置直流高壓模塊,大電(dian)壓:10kV,20KV 多種(zhong)可選(xuan),電(dian)流:0-5mA;
2、通過(guo)電流(liu)探(tan)頭監測放(fang)電電(dian)流(liu),可(ke)達(da)100A-200A;
3、可以實(shi)現欠阻尼和(he)過阻尼兩種(zhong)測試模式,欠阻尼測試(shi)時(shi),放電(dian)回路(lu)短路,不使(shi)用電(dian)阻負載,過阻尼測試(shi)時(shi),使(shi)用較(jiao)大的高精度無感(gan)電(dian)阻作為放(fang)電(dian)負載;
4、通過示(shi)波(bo)器(qi)采(cai)集(ji)數(shu)據,並能直接計算(suan)儲能密(mi)度(du);
9、專(zhuan)業(ye)的載樣平(ping)臺(tai),適用(yong)於(yu)陶瓷和(he)薄膜樣品(pin)測(ce)試;
10、可以變(bian)溫測(ce)試(shi),0-250℃;
11、可(ke)以疲勞測試,飽(bao)和(he)極化,剩余(yu)極化等功(gong)能
12、本(ben)系(xi)統采(cai)用(yong)特(te)殊(shu)高壓開關(guan),通(tong)過單刀(dao)雙擲控制(zhi)充電(dian)和(he)放電(dian)過程,開關(guan)可(ke)以承(cheng)受10kV高壓,寄生電容(rong)小(xiao),動作時(shi)間(jian)短;
二、主(zhu)要(yao)參(can)數(shu)
1、電流探(tan)頭帶寬(kuan):120MHz
2、峰(feng)值電(dian)流:0-100A,150 A(多種(zhong)電流可(ke)監測)
3、電(dian)流采(cai)集(ji)精(jing)度(du):1mA
4、高壓源(yuan)模塊:3KV,5KV, 10kV,15KV多可選(xuan)(電(dian)流:0-5mA)
5、開關(guan)適用(yong):100萬次(ci),耐(nai)壓15kV。
6、溫控範圍(wei):0-250℃。
7、溫(wen)度(du)穩(wen)定(ding)性和(he)精度(du):0.1℃
8、測試樣品(pin):薄膜,厚膜,陶瓷,玻璃(li)等(deng)
9、可以疲勞測試,飽(bao)和(he)極化,剩余(yu)極化等多種(zhong)參數(shu)測試
10、可以配合各(ge)種(zhong)極化設(she)備(bei)進行(xing)多種(zhong)壓電材(cai)料和(he)介(jie)電材(cai)料的測試(shi)
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