描述(shu)：當(dang)兩種(zhong)不同(tong)導體(ti)構(gou)成(cheng)閉合回(hui)路時(shi)，如(ru)果兩(liang)個(ge)接點(dian)的(de)溫度(du)不(bu)同，則(ze)兩(liang)接點(dian)間(jian)有(you)電動(dong)勢產(chan)生，且在(zai)回(hui)路中(zhong)有電流(liu)通(tong)過(guo)，即(ji)溫差(cha)電現(xian)象(xiang)或塞(sai)貝(bei)克(ke)效(xiao)應。

熱電材(cai)料（也稱(cheng)溫差(cha)電材(cai)料(thermoelectric materials））是壹(yi)種(zhong)利(li)用固體內(nei)部(bu)載(zai)流(liu)子運動(dong)，實現(xian)熱(re)能和(he)電能直(zhi)接相互(hu)轉換(huan)的功(gong)能材(cai)料，熱電效(xiao)應(ying)是(shi)電流(liu)引(yin)起(qi)的可(ke)逆(ni)熱效(xiao)應和(he)溫差(cha)引(yin)起(qi)的電效(xiao)應(ying)的(de)總(zong)稱(cheng)，包(bao)括(kuo)塞貝(bei)克(ke)（Seebeck）效(xiao)應、波(bo)爾(er)貼（Peltier）效應和(he)湯姆

BKTEM-D3型(xing)賽貝(bei)克(ke)系(xi)數測試儀/熱(re)電性(xing)能測(ce)試(shi)儀

關(guan)鍵(jian)詞：熱電，賽貝(bei)克(ke)系(xi)數，Seebeck

當(dang)兩種(zhong)不同(tong)導體(ti)構(gou)成(cheng)閉合回(hui)路時(shi)，如(ru)果兩(liang)個(ge)接點(dian)的(de)溫度(du)不(bu)同，則(ze)兩(liang)接點(dian)間(jian)有(you)電動(dong)勢產(chan)生，且在(zai)回(hui)路中(zhong)有電流(liu)通(tong)過(guo)，即(ji)溫差(cha)電現(xian)象(xiang)或塞(sai)貝(bei)克(ke)效(xiao)應。

熱(re)電材(cai)料（也稱(cheng)溫差(cha)電材(cai)料(thermoelectric materials））是壹(yi)種(zhong)利(li)用固體內(nei)部(bu)載(zai)流(liu)子運動(dong)，實現(xian)熱(re)能和(he)電能直(zhi)接相互(hu)轉換(huan)的功(gong)能材(cai)料，熱電效(xiao)應(ying)是(shi)電流(liu)引(yin)起(qi)的可(ke)逆(ni)熱效(xiao)應和(he)溫差(cha)引(yin)起(qi)的電效(xiao)應(ying)的(de)總(zong)稱(cheng)，包(bao)括(kuo)塞貝(bei)克(ke)（Seebeck）效(xiao)應、波(bo)爾(er)貼（Peltier）效應和(he)湯姆遜（Thomson）效應(ying)。

塞(sai)貝(bei)克(ke)系(xi)數，也稱(cheng)為(wei)塞(sai)貝(bei)克(ke)效(xiao)應，是熱電轉換(huan)領域(yu)中(zhong)的壹(yi)個(ge)核心概(gai)念，描述(shu)了(le)在(zai)兩(liang)種(zhong)不同(tong)的導(dao)體之間(jian)，當(dang)存(cun)在(zai)溫度(du)差(cha)時(shi)，會產(chan)生電動(dong)勢的(de)現(xian)象(xiang)。塞(sai)貝(bei)克(ke)系(xi)數的數值大(da)小(xiao)直接反映了(le)材(cai)料熱電轉換(huan)的效(xiao)率，是衡(heng)量電動(dong)勢大(da)小(xiao)的物(wu)理量。隨著(zhe)材(cai)料科學的不(bu)斷(duan)發展，人們(men)發現(xian)許(xu)多(duo)新(xin)材(cai)料具有(you)優異的塞(sai)貝(bei)克(ke)性(xing)能，這(zhe)為(wei)熱(re)電轉換(huan)技(ji)術(shu)的(de)實際(ji)應(ying)用提供了(le)可(ke)能。

該儀器(qi)主(zhu)要用(yong)於(yu)測試(shi)兩種(zhong)不同(tong)電導(dao)體(ti)或半(ban)導(dao)體的溫度(du)差(cha)異而引(yin)起(qi)兩種(zhong)物(wu)質(zhi)間(jian)的(de)電壓(ya)差(cha)。

熱(re)電動(dong)勢率，即(ji)塞貝(bei)克(ke)系(xi)數。它(ta)表(biao)示(shi)在(zai)給定(ding)溫度(du)下(xia)熱電動(dong)勢隨(sui)溫度(du)的(de)變化率，壹(yi)般用(yong)每(mei)單位(wei)溫度(du)的(de)電動(dong)勢值(zhi)表(biao)示(shi)，單位(wei)名稱(cheng)為(wei)微(wei)伏每(mei)攝氏(shi)度（μV/℃）。這(zhe)壹(yi)系數(shu)是衡量物(wu)質(zhi)熱電性(xing)質(zhi)的重(zhong)要參(can)數(shu)。

通(tong)過(guo)開發出(chu)具有(you)可逆(ni)雙性(xing)塞貝(bei)克(ke)系(xi)數的全(quan)固態離子熱電材(cai)料和(he)可(ke)循環發電的(de)離(li)子(zi)熱(re)電器(qi)件(jian)，研(yan)究人員(yuan)揭(jie)示(shi)了(le)電極(ji)調控(kong)離子熱電材(cai)料P/N型的微(wei)觀機(ji)制(zhi)，實現(xian)了(le)在(zai)恒(heng)定(ding)溫差(cha)下(xia)連(lian)續產(chan)生電量，並具有(you)高穩定(ding)性(xing)和(he)循環特性(xing)。這(zhe)壹(yi)成(cheng)果為(wei)離(li)子熱電轉換(huan)循環連(lian)續供(gong)電提(ti)供(gong)了(le)關(guan)鍵技(ji)術(shu)。

二(er)：儀(yi)器(qi)測(ce)試(shi)原理結(jie)構(gou)圖(tu)

三(san)：主(zhu)要熱(re)電材(cai)料體系：

Bi2Te3/Sb2Te3體(ti)系(xi)

PbTe體(ti)系(xi)

SiGe體(ti)系(xi)

CoSb3為(wei)代(dai)表的方(fang)鉆(zuan)礦型(xing)熱電材(cai)料

Zn4Sb3  

四(si)：高(gao)溫熱(re)電材(cai)料參(can)數(shu)測試(shi)儀(yi)產(chan)品(pin)特點(dian)

1.可(ke)控(kong)溫場(chang)下(xia)可同(tong)步(bu)測(ce)量賽貝(bei)克(ke)系(xi)數和(he)電阻(zu)率；

2.配(pei)置垂直(zhi)或水平(ping)放(fang)樣結(jie)構(gou)，滿足不同用(yong)戶的(de)要求(qiu)，方(fang)便(bian)樣品操(cao)作；

3.鉑(bo)金大電極(ji)設計(ji)，與(yu)樣品充分(fen)接觸，對於(yu)不均(jun)勻樣品也(ye)可獲得(de)良好的導(dao)電測(ce)試(shi)；

4.可(ke)配(pei)置雙加熱系(xi)統(tong)，不均(jun)勻樣品的(de)溫差(cha)控(kong)制(zhi)；

5.高(gao)級(ji)應(ying)用程(cheng)序(xu)控(kong)溫技(ji)術(shu)，包(bao)括(kuo)溫差(cha)和(he)測(ce)量步(bu)進(jin)等高(gao)級(ji)要(yao)求(qiu)；

6. 0-50K範(fan)圍(wei)的溫差(cha)可(ke)隨(sui)意(yi)設置溫差(cha)值(zhi)及(ji)溫差(cha)點(dian)的(de)個(ge)數；

7.自由升(sheng)/降(jiang)溫、可(ke)精(jing)確(que)控(kong)制(zhi)溫度(du)程(cheng)序(xu)，進(jin)行(xing)升(sheng)溫、恒(heng)溫與(yu)降(jiang)溫過(guo)程(cheng)中(zhong)的數據(ju)測(ce)量；

8.溫度(du)檢(jian)測可(ke)選S 型(xing)熱(re)電偶，適(shi)合測(ce)量Si系列(lie)熱電材(cai)料（SiGe,MgSi等）；

9. 熱(re)電偶探針(zhen)可(ke)選K、S、R型(xing)（無(wu)需(xu)鎧裝(zhuang)）配(pei)置，不會產(chan)生非常大的接觸電阻(zu)；

10.熱(re)電偶間(jian)距(ju)可(ke)以(yi)跟根(gen)據(ju)樣品尺寸(cun)調(tiao)節或固定(ding)，滿足不同科(ke)研(yan)要(yao)求(qiu)；

11：標準配(pei)置進口(kou)高級(ji)商用(yong)吉(ji)時利(li)（Keithley ）數采(cai)儀表，避(bi)免電路板(ban)集成(cheng)數據(ju)采(cai)集技(ji)術(shu)帶來的(de)幹(gan)擾誤差(cha)；

12：恒(heng)流(liu)源(yuan)參(can)數(shu)：0.000-220mA；恒(heng)流(liu)設置分(fen)辨(bian)率：100nA；恒(heng)流(liu)穩(wen)定(ding)性(xing)：0.008+20nA/天(tian)；

13：溫度(du)範(fan)圍(wei)：RT up to 1150℃；

14：控(kong)溫速(su)率：0.01 –100K/min，可以(yi)節約(yue)用戶測試時間(jian)；

15：測(ce)量範(fan)圍(wei)：賽貝(bei)克(ke)系(xi)數：0.5μV/K-25V/K；電阻(zu)率：0.2μOhmm-2.5KOhmm；

16： 0-80K溫差(cha)範(fan)圍(wei)可任(ren)意(yi)設置溫差(cha)值(zhi)及(ji)溫差(cha)點(dian)的(de)個(ge)數；

17：U-I曲(qu)線自動(dong)掃(sao)描，計(ji)算(suan)出(chu)合適(shi)的電流(liu)數(shu)值(zhi)，可(ke)以(yi)精確(que)測(ce)量電導(dao)率；

不(bu)會對大電阻(zu)樣品產(chan)生誤差(cha)；

18：熱(re)電偶間(jian)距(ju)可(ke)以(yi)根據(ju)樣品尺寸(cun)調(tiao)節後(hou)固定(ding)，滿足不同科(ke)研(yan)要(yao)求(qiu)；

19：精(jing)度(du)：賽貝(bei)克(ke)系(xi)數：±7 %；電導(dao)系(xi)數(shu)：±10 %（熱(re)電材(cai)料測試，非康(kang)銅(tong)標樣）；

20:重(zhong)復性(xing)：3%；

21：測(ce)量系統(tong)：柱狀(zhuang)、片狀(zhuang)、長(chang)方體(ti)、薄膜(mo)等(deng)系(xi)統(tong)；

五：儀(yi)器(qi)主(zhu)要技(ji)術(shu)參(can)數(shu)：

1：溫度(du)範(fan)圍(wei)：RT up to 1200℃；

2：溫度(du)分(fen)辨(bian)率：0.001℃；

3：控(kong)溫精(jing)度(du)：+/-0.25K；

4：恒(heng)流(liu)源(yuan)：0.000-220mA；分(fen)辨(bian)率：100nA；穩定(ding)性(xing)：0.008+20nA/天(tian)，標準配(pei)置進口(kou)高級(ji)商用(yong)吉(ji)時利(li)（Keithley ）數采(cai)儀表。Keithley技(ji)術(shu)： 100nV rms 噪音本(ben)底，直(zhi)流電壓(ya)靈敏(min)度低(di)至(zhi)10nV，基(ji)本(ben)精(jing)度為(wei)0.002%（90天(tian)）7ppm DCV可重(zhong)復性(xing)，基(ji)本(ben)1年DCV準確(que)度(du)：0.0028%

最(zui)大(da)讀取(qu)速(su)度(du)範(fan)圍(wei)：2k讀數(shu)/秒；

溫度(du)分(fen)辨(bian)率：0.001℃；

交流電壓(ya)分(fen)辨(bian)率：0.1μV

電阻(zu)分(fen)辨(bian)率：1 μΩ

電流(liu)分(fen)辨(bian)率：1nA

5：U-I曲(qu)線自動(dong)掃(sao)描，計(ji)算(suan)出(chu)合適(shi)的電流(liu)數(shu)值(zhi)， 可(ke)以(yi)精確(que)測(ce)量電導(dao)率

6：精(jing)度(du)：賽貝(bei)克(ke)系(xi)數：±7 %；電導(dao)系(xi)數(shu)：±10 %（熱(re)電材(cai)料測試，非康(kang)銅(tong)標樣）

重(zhong)復性(xing)：3%

7：試(shi)樣參(can)考(kao)大小(xiao)：4*4*20-----8*8*30mm

8、電源(yuan)：220V