描(miao)述(shu)：SCTS-2000系型(xing)雙(shuang)電(dian)測四(si)探(tan)針(zhen)測試儀(yi)是(shi)運(yun)用(yong)直(zhi)線(xian)或(huo)方形(xing)四(si)探(tan)針(zhen)雙(shuang)位測(ce)-改進形(xing)範德(de)堡測(ce)量方法測試電(dian)阻率(lv)/方阻(zu)的(de)多用(yong)途(tu)綜合(he)測(ce)量儀(yi)器(qi)。該(gai)儀(yi)器(qi)設計符合(he)單(dan)晶(jing)矽物理測(ce)試(shi)方法國家標(biao)準(zhun)並(bing)參(can)考美國 A.S.T.M 標(biao)準(zhun)。利(li)用(yong)電(dian)流探(tan)針(zhen)、電(dian)壓探(tan)針(zhen)的(de)變換(huan)，進行兩(liang)次電(dian)測量，對數據(ju)進行雙(shuang)電(dian)測分(fen)析(xi)，自(zi)動消(xiao)除樣(yang)品幾(ji)何尺寸(cun)、邊(bian)界效應以(yi)及(ji)探(tan)針不(bu)等(deng)距(ju)和機械遊(you)移(yi)等(deng)因(yin)素對測量結(jie)果的(de)影(ying)響(xiang)，它(ta)與(yu)單(dan)電(dian)測直(zhi)線(xian)或(huo)方形(xing)四(si)探(tan)針(zhen)相比，大(da)大提(ti)高正(zheng)確度(du)，特(te)

SCTS-2000系型(xing)雙(shuang)電(dian)測式(shi)四(si)探(tan)針(zhen)測(ce)試儀(yi)

關鍵詞：雙(shuang)電(dian)測，導(dao)電(dian)薄膜(mo)，導(dao)體(ti)

SCTS-2000系型(xing)雙(shuang)電(dian)測式(shi)四(si)探(tan)針(zhen)測(ce)試儀(yi)是(shi)運(yun)用(yong)直(zhi)線(xian)或(huo)方形(xing)四(si)探(tan)針(zhen)雙(shuang)位測(ce)-改進形(xing)範德(de)堡測(ce)量方法測試電(dian)阻率(lv)/方阻(zu)的(de)多用(yong)途(tu)綜合(he)測(ce)量儀(yi)器(qi)。該(gai)儀(yi)器(qi)設計符合(he)單(dan)晶(jing)矽物理測(ce)試(shi)方法國家標(biao)準(zhun)並(bing)參(can)考美國 A.S.T.M 標(biao)準(zhun)。利(li)用(yong)電(dian)流探(tan)針(zhen)、電(dian)壓探(tan)針(zhen)的(de)變換(huan)，進行兩(liang)次電(dian)測量，對數據(ju)進行雙(shuang)電(dian)測分(fen)析(xi)，自(zi)動消(xiao)除樣(yang)品幾(ji)何尺寸(cun)、邊(bian)界效應以(yi)及(ji)探(tan)針不(bu)等(deng)距(ju)和機械遊(you)移(yi)等(deng)因(yin)素對測量結(jie)果的(de)影(ying)響(xiang)，它(ta)與(yu)單(dan)電(dian)測直(zhi)線(xian)或(huo)方形(xing)四(si)探(tan)針(zhen)相比，大(da)大提(ti)高正(zheng)確度(du)，特(te)別(bie)是(shi)適(shi)用(yong)於(yu)斜(xie)置式(shi)四(si)探(tan)針(zhen)對於(yu)微區(qu)的(de)測試(shi)。儀(yi)器(qi)適用(yong)於(yu)半導體(ti)材(cai)料(liao)廠(chang)器(qi)件廠、科(ke)研(yan)單(dan)位(wei)、高等(deng)院(yuan)校(xiao)對導體(ti)、半導體(ti)、類(lei)半導體(ti)材(cai)料(liao)的(de)導電(dian)性能的(de)測試(shi)，特(te)別(bie)是(shi)適(shi)用(yong)於(yu)斜(xie)置式(shi)四(si)探(tan)針(zhen)對於(yu)微區(qu)的(de)測試(shi)。

壹、主(zhu)要(yao)特(te)點(dian)：

1、根據(ju)不(bu)同材(cai)料(liao)特(te)性需(xu)要，探頭(tou)可(ke)有多款選(xuan)配。有高耐磨(mo)碳(tan)化鎢(wu)探針(zhen)探頭(tou)，以(yi)測試(shi)矽類(lei)半導體(ti)、金(jin)屬、導電(dian)塑(su)料類(lei)等(deng)硬質(zhi)材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻率(lv)/方阻(zu)；

2、也有球形(xing)鍍金銅合金(jin)探(tan)針(zhen)探頭(tou)，可(ke)測柔(rou)性材(cai)料(liao)導(dao)電(dian)薄膜(mo)、金(jin)屬(shu)塗(tu)層(ceng)或(huo)薄膜(mo)、陶(tao)瓷(ci)或(huo)玻(bo)璃等(deng)基底(di)上(shang)導電(dian)膜(mo)（ITO膜(mo)）或(huo)納米(mi)塗(tu)層(ceng)等(deng)半導體(ti)材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻率(lv)/方阻(zu)。

3、換上四端(duan)子測試(shi)夾(jia)具(ju)，還(hai)可(ke)對電(dian)阻器(qi)體電(dian)阻、金(jin)屬(shu)導(dao)體的(de)低、中(zhong)值(zhi)電(dian)阻以(yi)及(ji)開關類接(jie)觸(chu)電(dian)阻進行測(ce)量。

4、由主(zhu)機(ji)、選(xuan)配的(de)四探(tan)針探(tan)頭(tou)、測(ce)試臺(tai)以(yi)及(ji)PC軟(ruan)件等(deng)部(bu)分(fen)組成(cheng)。

二(er)、基本技(ji)術參(can)數(shu)

3.1  測量範圍(wei)

    電(dian)阻率(lv)：1×10^-4～2×10⁵ Ω-cm，分(fen)辨(bian)率：1×10^-5～1×10² Ω-cm

    方  阻(zu)：5×10^-4～2×10⁵ Ω/□，分辨率：5×10^-5～1×10² Ω/□

    電(dian)  阻：1×10^-5～2×10⁵ Ω   ，分(fen)辨(bian)率(lv)：1×10^-6～1×10² Ω

3.2  材(cai)料(liao)尺(chi)寸(cun)(由(you)選(xuan)配測(ce)試臺決定(ding)和測試方式(shi)決(jue)定(ding))

    直   徑：圓(yuan)測試(shi)臺直(zhi)接(jie)測(ce)試方式(shi) Φ15～130mm，手(shou)持方式(shi)不(bu)限

    SZT-B/C/F方測(ce)試臺直接(jie)測(ce)試方式(shi)180mm×180mm，手(shou)持方式(shi)不(bu)限.

    長(高)度(du)：測試(shi)臺直(zhi)接(jie)測(ce)試方式(shi) H≤100mm,    手(shou)持方式(shi)不(bu)限.

    測量方位(wei): 軸(zhou)向(xiang)、徑向(xiang)均可(ke)

3.3.  4-1/2 位數字電(dian)壓表(biao)：

    (1)量程(cheng)： 20.00mV～2000mV

    (2)誤差(cha)：±0.1%讀數(shu)±2 字

3.4  數控恒流(liu)源(yuan)

   (1)量程(cheng)：0.1μA，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，1A

   (2)誤差(cha)：±0.1%讀數(shu)±2 字

3.5  四探針探(tan)頭(tou)（選(xuan)配其壹或(huo)加(jia)配全部(bu)）

   (1)碳(tan)化鎢(wu)探針(zhen)：Φ0.5mm，直線(xian)探針間(jian)距1.0mm，探針(zhen)壓力(li): 0～2kg 可調(tiao)

   (2)薄膜(mo)方阻(zu)探針：Φ0.7mm，直線(xian)或(huo)方形(xing)探(tan)針(zhen)間(jian)距2.0mm，探針(zhen)壓力(li): 0～0.6kg 可調(tiao)

3.6 電(dian)源(yuan)

   輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗(hao)：<20W

3.7 外形(xing)尺(chi)寸(cun)：

   主(zhu)機(ji)  220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（高）