
當前位(wei)置(zhi):首頁 > 技(ji)術文(wen)章(zhang) > 疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構及(ji)其制(zhi)造工藝的制(zhi)作(zuo)方法
疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構及(ji)其制(zhi)造工藝的制(zhi)作(zuo)方法
具(ju)體(ti)涉及壹(yi)種(zhong)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構及(ji)其制(zhi)造工藝。
多(duo)層及疊(die)層壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料將(jiang)在未(wei)來壹(yi)段(duan)時間(jian)成(cheng)為重要(yao)的(de)*材料。ZJ-5型(xing)疊(die)層壓(ya)電測試(shi)儀是(shi)壹(yi)款(kuan)專(zhuan)用(yong)於(yu)疊(die)層壓(ya)電性(xing)質(zhi)測試(shi)的(de)儀器。為科研和(he)發(fa)展提供重要(yao)的(de)支(zhi)持(chi)。
背景技(ji)術:
2.疊(die)堆型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)是(shi)將(jiang)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)基片(pian),通過疊(die)層粘(zhan)結共燒工藝形成(cheng)的,這(zhe)種(zhong)工藝制備(bei)的(de)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)可(ke)以承(cheng)受很(hen)大(da)的(de)壓(ya)力(li),但(dan)所承受的(de)拉(la)力(li)和(he)剪(jian)切(qie)力(li)有限,由於壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜內(nei)部電極(ji)結構剛(gang)度和(he)附(fu)著(zhe)力非(fei)常小,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層會(hui)在壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜的(de)棱(leng)角(jiao)位置(zhi)分布(bu),當壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜的(de)棱(leng)角(jiao)有輕(qing)微(wei)劃痕時,會(hui)導(dao)致(zhi)正極(ji)銀鈀(ba)層以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層出現短(duan)路(lu)現象而(er)無法使用(yong),此外(wai),由於堆疊(die)式(shi)的(de)裝配(pei)方式(shi),導(dao)致(zhi)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)能(neng)夠(gou)承受壓(ya)應(ying)力,且(qie)不(bu)容(rong)易(yi)出現應(ying)力點(dian),但(dan)是(shi)不(bu)能(neng)承受剪(jian)切(qie)力(li),由於壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜之間(jian)通過正極(ji)銀鈀(ba)層或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層連接(jie),附著(zhe)力比(bi)較(jiao)小,當(dang)內(nei)部壓(ya)電結構承(cheng)受剪(jian)切(qie)力(li)時,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層容(rong)易(yi)出現裂痕。
技(ji)術實現(xian)要(yao)素:
3.針(zhen)對上(shang)述(shu)背景技(ji)術所提出的問題,本發(fa)明的(de)目(mu)的是(shi):旨(zhi)在提供壹(yi)種(zhong)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構及(ji)其制(zhi)造工藝。
4.為實現(xian)上(shang)述(shu)技(ji)術目(mu)的,本發(fa)明采(cai)用的(de)技(ji)術方案如(ru)下(xia):
5.疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構,包(bao)括內(nei)部壓(ya)電結構、包(bao)裹內(nei)部壓(ya)電結構的(de)外(wai)部保護(hu)結構;
6.所述內(nei)部壓(ya)電結構包(bao)括壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜、正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層,所述正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層呈(cheng)交(jiao)替分布(bu),所述正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)中(zhong)間(jian)介質(zhi)為壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜;
7.所述正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)壹(yi)端(duan)向外(wai)凸(tu)出分別(bie)形成(cheng)正引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji),所述內(nei)部壓(ya)電結構中(zhong)正極(ji)銀鈀(ba)層和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)分布(bu)方向相(xiang)反(fan),按正(zheng)引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji)相(xiang)對壹(yi)百(bai)八(ba)十度分布(bu),所述正(zheng)引出電極(ji)之間(jian)並聯(lian)形(xing)成(cheng)正電極(ji)接(jie)口面(mian),所述負(fu)引出電極(ji)之間(jian)並聯(lian)形(xing)成(cheng)負電極(ji)接(jie)口面(mian),正電極(ji)接(jie)口面(mian)和(he)負(fu)電極(ji)接(jie)口面(mian)同樣(yang)相(xiang)對壹(yi)百(bai)八(ba)十度;
8.所述外(wai)部保護(hu)結構包(bao)括上(shang)絕(jue)緣層(ceng)、下(xia)絕緣(yuan)層以及(ji)中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng),所述中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)包(bao)裹住(zhu)正極(ji)銀鈀(ba)層或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)外(wai)圓(yuan)周,並(bing)暴露(lu)出正電極(ji)接(jie)口面(mian)或(huo)負(fu)電極(ji)接(jie)口面(mian),所述上(shang)絕緣(yuan)層(ceng)、下(xia)絕(jue)緣層(ceng)分別(bie)與(yu)內(nei)部壓(ya)電結構的(de)兩端(duan)面(mian)連接(jie)。
9.進壹(yi)步限定(ding),所述正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)層(ceng)數均大(da)於(yu)等(deng)於(yu)九(jiu)十層,這(zhe)樣的(de)結構設(she)計(ji),通過壹(yi)定(ding)的正極(ji)銀鈀(ba)層或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)層(ceng)數來使壓(ya)電效(xiao)應(ying)產生(sheng)足(zu)夠(gou)的微(wei)小形(xing)變。
10.進壹(yi)步限定(ding),所述正(zheng)引出電極(ji)凸(tu)出正極(ji)銀鈀(ba)層端(duan)邊(bian)的二分之壹(yi),所述負(fu)引出電極(ji)凸(tu)出負極(ji)銀鈀(ba)層端(duan)邊(bian)的二分之壹(yi),所述正(zheng)引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji)的長度、寬度和(he)厚(hou)度相(xiang)等(deng),這(zhe)樣的(de)結構設(she)計(ji),使(shi)正(zheng)引出電極(ji)或(huo)負(fu)引出電備(bei)足(zu)夠(gou)的強(qiang)度。
11.進壹(yi)步限定(ding),所述壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜的(de)材料為鋯鈦(tai)酸鉛(qian),這(zhe)樣的(de)結構設(she)計(ji),易(yi)於(yu)改
變鋯鈦(tai)酸鉛(qian)介質(zhi)層(ceng)厚(hou)度大(da)小,提高壓(ya)電常(chang)數(shu)d33,易摻(chan)雜(za)其它材料,提高壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)的(de)居(ju)裏溫度點和(he)介(jie)電常(chang)數(shu)性(xing)能(neng)且結構穩定(ding)性(xing)好(hao)。
12.本發(fa)明還(hai)提供疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構的(de)制造(zao)工藝,包括下(xia)述(shu)步驟:
13.s1:選用(yong)合(he)適(shi)厚(hou)度的壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜;
14.s2:采(cai)用(yong)絲網印(yin)刷(shua)將(jiang)正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層印(yin)刷(shua)至(zhi)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜上(shang)表(biao)面;
15.s3:采(cai)用熱(re)壓(ya)粘(zhan)接(jie)的方式(shi),粘(zhan)接(jie)第二層(ceng)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層位(wei)於(yu)兩層(ceng)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜之間(jian);
16.s4:在第二層(ceng)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜的(de)另(ling)壹(yi)側(ce),絲網印(yin)刷(shua)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層,並(bing)熱(re)壓(ya)粘(zhan)接(jie)第三層壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜;
17.s5:根(gen)據(ju)需(xu)要的(de)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜層(ceng)數(shu),重復(fu)步驟二到步驟四(si),直至層(ceng)數(shu)滿足(zu)需(xu)求;
18.s6:滿足(zu)層(ceng)數(shu)後,進行(xing)溫等(deng)靜壓(ya);
19.s7:溫等(deng)靜壓(ya)完成(cheng)後,對壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜、正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)結合體(ti),進行(xing)切(qie)割,切(qie)割完成(cheng)後的(de)形(xing)狀(zhuang)為方形(xing);
20.s8:切(qie)割完成(cheng)後,結合體(ti)放入(ru)高溫爐(lu)按(an)壹(yi)定(ding)梯度進行(xing)燒結;
21.s9:燒結完成(cheng)後,將(jiang)正(zheng)引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji)的端(duan)面用(yong)絲網印(yin)刷(shua)銀(yin)層(ceng),經(jing)高溫燒結後,使(shi)正(zheng)引出電極(ji)並聯(lian)形成(cheng)正電極(ji)接(jie)口面(mian),負引出電極(ji)並聯(lian)形成(cheng)負電極(ji)接(jie)口面(mian);
22.s10:中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)高溫燒接(jie)後,結合成(cheng)壹(yi)體(ti),上絕(jue)緣(yuan)層(ceng)粘(zhan)接(jie)在結合體(ti)的上(shang)端面、下(xia)絕(jue)緣(yuan)層粘(zhan)接(jie)在結合體(ti)的下(xia)端面。
23.本(ben)發(fa)明的(de)有益效(xiao)果:
24.1.通過中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)包(bao)裹住(zhu)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜,僅(jin)暴露(lu)出正引出電極(ji)或(huo)負(fu)引出電極(ji),來提高疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)的(de)抗(kang)剪切(qie)力(li),由於增(zeng)加(jia)了中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng),提高了結構強(qiang)度,因此抗(kang)剪切(qie)力(li)也(ye)隨(sui)著(zhe)提高;
25.2.通過壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜四(si)周(zhou)的中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng),避(bi)免壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜的(de)棱(leng)角(jiao)出現劃(hua)痕;
26.3.通過設(she)置(zhi)正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層中(zhong)正引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji)的朝向相(xiang)反(fan),且正(zheng)引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji)均向外(wai)凸(tu)出,來保證(zheng)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)壹(yi)側(ce)存在(zai)正(zheng)引出電極(ji),另壹(yi)側(ce)存在(zai)負(fu)引出電極(ji),從而(er)提高疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)的(de)抗(kang)剪切(qie)力(li)。
附(fu)圖說(shuo)明(ming)
27.本發(fa)明可(ke)以通過附圖給(gei)出的非(fei)限定(ding)性(xing)實施例進壹(yi)步說明(ming);
28.圖1為疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構實施例的(de)結構示意(yi)圖;
29.圖2為疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構實施例中(zhong)去除上絕緣層(ceng)和(he)下(xia)絕緣(yuan)層(ceng)後的(de)結構示意(yi)圖;
30.圖3為疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構實施例中(zhong)的爆(bao)炸(zha)圖;
31.主要元(yuan)件符號說(shuo)明(ming)如(ru)下(xia):
32.內(nei)部壓(ya)電結構1、壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11、正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12、負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13、正(zheng)引出電極(ji)121、負引出電極(ji)131;
33.外(wai)部保護(hu)結構2、上(shang)絕緣(yuan)層21、下絕(jue)緣(yuan)層(ceng)22、中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23。
具(ju)體(ti)實施方式(shi)
34.為了使本(ben)領域(yu)的(de)技(ji)術人員(yuan)可以更好(hao)地(di)理解本(ben)發(fa)明,下(xia)面結合附(fu)圖和(he)實施例對本(ben)發(fa)明技(ji)術方案進壹(yi)步說明(ming)。
35.如(ru)圖1
‑
3所示,本(ben)發(fa)明的(de)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構,包(bao)括內(nei)部壓(ya)電結構1、包(bao)裹內(nei)部壓(ya)電結構1的(de)外(wai)部保護(hu)結構2;
36.內(nei)部壓(ya)電結構1包(bao)括壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11、正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13呈(cheng)交(jiao)替分布(bu),正極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)中(zhong)間(jian)介質(zhi)為壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11;
37.正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)壹(yi)端(duan)向外(wai)凸(tu)出分別(bie)形成(cheng)正引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131,內(nei)部壓(ya)電結構1中(zhong)正極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)分布(bu)方向相(xiang)反(fan),按正(zheng)引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131相(xiang)對壹(yi)百(bai)八(ba)十度分布(bu),正引出電極(ji)121之間(jian)並聯(lian)形(xing)成(cheng)正電極(ji)接(jie)口面(mian),負引出電極(ji)131之間(jian)並聯(lian)形(xing)成(cheng)負電極(ji)接(jie)口面(mian),正電極(ji)接(jie)口面(mian)和(he)負(fu)電極(ji)接(jie)口面(mian)同樣(yang)相(xiang)對壹(yi)百(bai)八(ba)十度;
38.外(wai)部保護(hu)結構2包(bao)括上(shang)絕(jue)緣層(ceng)21、下(xia)絕緣(yuan)層22以及(ji)中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23,中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23包(bao)裹住(zhu)正極(ji)銀鈀(ba)層12或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)外(wai)圓(yuan)周,並(bing)暴露(lu)出正電極(ji)接(jie)口面(mian)或(huo)負(fu)電極(ji)接(jie)口面(mian),上絕緣層21、下絕(jue)緣(yuan)層22分別(bie)與(yu)內(nei)部壓(ya)電結構1的(de)兩端(duan)面(mian)連接(jie)。
39.本案實施中(zhong),通過在正電極(ji)接(jie)口面(mian)和(he)負(fu)電極(ji)接(jie)口面(mian)施加電壓(ya),從(cong)而(er)通過正引出電極(ji)121和(he)正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12將(jiang)正(zheng)電荷(he)均布(bu)在壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)壹(yi)側(ce),通過負引出電極(ji)131和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13將(jiang)負(fu)電荷(he)均布(bu)在壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)另(ling)壹(yi)側(ce),當壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)兩側(ce)形(xing)成(cheng)電場(chang)後,壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11內(nei)部發(fa)生逆(ni)壓(ya)電效(xiao)應(ying),根據(ju)電壓(ya)的(de)不(bu)同,壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11發(fa)生大(da)小不(bu)同的(de)形變;
40.由於壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11內(nei)部的電極(ji)結構剛(gang)度非常(chang)小,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13會(hui)在壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)棱(leng)角(jiao)位置(zhi)分布(bu),當壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)棱(leng)角(jiao)有輕(qing)微(wei)劃痕時,會(hui)導(dao)致(zhi)正極(ji)銀鈀(ba)層12以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13出現短(duan)路(lu)現象而(er)無法使用(yong),此外(wai),由於堆疊(die)式(shi)的(de)裝配(pei)方式(shi),導(dao)致(zhi)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)能(neng)夠(gou)承受壓(ya)應(ying)力,且(qie)不(bu)容(rong)易(yi)出現應(ying)力點(dian),但(dan)是(shi)不(bu)能(neng)承受剪(jian)切(qie)力(li),由於壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11之間(jian)通過正極(ji)銀鈀(ba)層12或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13連接(jie),附著(zhe)力比(bi)較(jiao)小,當(dang)內(nei)部壓(ya)電結構1承(cheng)受剪(jian)切(qie)力(li)時,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13容(rong)易(yi)出現裂痕;
41.為了改善(shan)劃痕(hen)造(zao)成(cheng)的短(duan)路(lu)問題,通過在壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11四(si)周(zhou)粘(zhan)接(jie)中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23,從(cong)而(er)避免(mian)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)棱(leng)角(jiao)出現劃(hua)痕;
42.為了改善(shan)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)不(bu)能(neng)承受剪(jian)切(qie)力(li)的(de)問題,通過設(she)置(zhi)正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13中(zhong)正引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131的朝向相(xiang)反(fan),且正(zheng)引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131均向外(wai)凸(tu)出,來保證(zheng)疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)壹(yi)側(ce)存在(zai)正(zheng)引出電極(ji)121,另壹(yi)側(ce)存在(zai)負(fu)引出電極(ji)131,從而(er)提高疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)的(de)抗(kang)剪切(qie)力(li),以及(ji)正(zheng)引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131自身(shen)的(de)剛度,此外(wai),通過中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23包(bao)裹住(zhu)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11,僅(jin)暴露(lu)出正引出電極(ji)121或(huo)負(fu)引出電極(ji)131,來提高疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)的(de)抗(kang)剪切(qie)力(li),由於增(zeng)加(jia)了中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23,提高了結構強(qiang)度,因此抗(kang)剪切(qie)力(li)也(ye)隨(sui)著(zhe)提高;
43.外(wai)部保護(hu)結構2中(zhong)的上(shang)絕緣(yuan)層21和(he)下(xia)絕緣(yuan)層(ceng)22作(zuo)為與(yu)外(wai)接(jie)設(she)備(bei)安裝的(de)固定(ding)面,可隔(ge)絕內(nei)部壓(ya)電結構1與(yu)安裝位(wei)置設(she)備(bei)的(de)導(dao)電,中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23還(hai)作(zuo)為正極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)密(mi)封,避免(mian)了(le)相(xiang)鄰(lin)的(de)正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13直接(jie)裸露(lu)在空氣(qi)中(zhong),導(dao)致(zhi)電壓(ya)
過(guo)高時,氣(qi)生電弧,燒毀壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11,中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)23還(hai)可提升(sheng)內(nei)部壓(ya)電結構1整(zheng)體(ti)剛(gang)度和(he)抗(kang)拉性(xing)。
44.優(you)選,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)層(ceng)數均大(da)於(yu)等(deng)於(yu)九(jiu)十層,這(zhe)樣的(de)結構設(she)計(ji),通過壹(yi)定(ding)的正極(ji)銀鈀(ba)層12或(huo)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13的(de)層(ceng)數來使壓(ya)電效(xiao)應(ying)產生(sheng)足(zu)夠(gou)的微(wei)小形(xing)變。實際(ji)上(shang),也(ye)可以根(gen)據(ju)具(ju)體(ti)情況具(ju)體(ti)考慮正極(ji)銀鈀(ba)層12和(he)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層13其它的層數選擇(ze)。
45.優(you)選,正(zheng)引出電極(ji)121凸(tu)出正極(ji)銀鈀(ba)層12端(duan)邊(bian)的二分之壹(yi),負(fu)引出電極(ji)131凸(tu)出負極(ji)銀鈀(ba)層13端(duan)邊(bian)的二分之壹(yi),正(zheng)引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131的長度、寬度和(he)厚(hou)度相(xiang)等(deng),這(zhe)樣的(de)結構設(she)計(ji),使(shi)正(zheng)引出電極(ji)121或(huo)負(fu)引出電極(ji)131具(ju)備(bei)足(zu)夠(gou)的強(qiang)度。實際(ji)上(shang),也(ye)可以根(gen)據(ju)具(ju)體(ti)情況具(ju)體(ti)考慮正引出電極(ji)121和(he)負(fu)引出電極(ji)131其它的結構形(xing)狀(zhuang)。
46.優(you)選,壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11的(de)材料為鋯鈦(tai)酸鉛(qian),這(zhe)樣的(de)結構設(she)計(ji),易(yi)於(yu)改變鋯鈦(tai)酸鉛(qian)介質(zhi)層(ceng)厚(hou)度大(da)小,提高壓(ya)電常(chang)數(shu)d33,易摻(chan)雜(za)其它材料,提高壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)的(de)居(ju)裏溫度點和(he)介(jie)電常(chang)數(shu)性(xing)能(neng)且結構穩定(ding)性(xing)好(hao)。實際(ji)上(shang),也(ye)可以根(gen)據(ju)具(ju)體(ti)情況具(ju)體(ti)考慮壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜11其它的材料。
47.本(ben)發(fa)明還(hai)提供疊(die)層型(xing)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)電極(ji)結構的(de)制造(zao)工藝,包括下(xia)述(shu)步驟:
48.s1:選用(yong)合(he)適(shi)厚(hou)度的壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜;
49.s2:采(cai)用(yong)絲網印(yin)刷(shua)將(jiang)正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層印(yin)刷(shua)至(zhi)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜上(shang)表(biao)面;
50.s3:采(cai)用熱(re)壓(ya)粘(zhan)接(jie)的方式(shi),粘(zhan)接(jie)第二層(ceng)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜,正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層位(wei)於(yu)兩層(ceng)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜之間(jian);
51.s4:在第二層(ceng)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜的(de)另(ling)壹(yi)側(ce),絲網印(yin)刷(shua)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層,並(bing)熱(re)壓(ya)粘(zhan)接(jie)第三層壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜;
52.s5:根(gen)據(ju)需(xu)要的(de)壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜層(ceng)數(shu),重復(fu)步驟二到步驟四(si),直至層(ceng)數(shu)滿足(zu)需(xu)求;
53.s6:滿足(zu)層(ceng)數(shu)後,進行(xing)溫等(deng)靜壓(ya);
54.s7:溫等(deng)靜壓(ya)完成(cheng)後,對壓(ya)電陶(tao)瓷(ci)材料薄(bo)膜、正(zheng)極(ji)銀鈀(ba)層以及(ji)負(fu)極(ji)銀鈀(ba)層的(de)結合體(ti),進行(xing)切(qie)割,切(qie)割完成(cheng)後的(de)形(xing)狀(zhuang)為方形(xing);
55.s8:切(qie)割完成(cheng)後,結合體(ti)放入(ru)高溫爐(lu)按(an)壹(yi)定(ding)梯度進行(xing)燒結;
56.s9:燒結完成(cheng)後,將(jiang)正(zheng)引出電極(ji)和(he)負(fu)引出電極(ji)的端(duan)面用(yong)絲網印(yin)刷(shua)銀(yin)層(ceng),經(jing)高溫燒結後,使(shi)正(zheng)引出電極(ji)並聯(lian)形成(cheng)正電極(ji)接(jie)口面(mian),負引出電極(ji)並聯(lian)形成(cheng)負電極(ji)接(jie)口面(mian);
57.s10:中(zhong)間(jian)絕緣(yuan)層(ceng)高溫燒接(jie)後,結合成(cheng)壹(yi)體(ti),上絕(jue)緣(yuan)層(ceng)粘(zhan)接(jie)在結合體(ti)的上(shang)端面、下(xia)絕(jue)緣(yuan)層粘(zhan)接(jie)在結合體(ti)的下(xia)端面。
58.上(shang)述(shu)實施例僅(jin)示例(li)性(xing)說(shuo)明本發(fa)明的(de)原理及其功效,而(er)非用(yong)於限(xian)制本發(fa)明。任(ren)何(he)熟悉(xi)此技(ji)術的(de)人士皆(jie)可在(zai)不(bu)違(wei)背本(ben)發(fa)明的(de)精神(shen)及(ji)範(fan)疇下(xia),對上(shang)述(shu)實施例進行(xing)修(xiu)飾(shi)或(huo)改(gai)變。因此,凡所屬(shu)技(ji)術領域(yu)中(zhong)具(ju)有通常知識者(zhe)在未(wei)脫離本發(fa)明所揭示的(de)精(jing)神(shen)與(yu)技(ji)術思(si)想下(xia)所完成(cheng)的壹(yi)切(qie)等(deng)效(xiao)修(xiu)飾(shi)或(huo)改(gai)變,仍應(ying)由本發(fa)明的(de)權利要求(qiu)所涵(han)蓋(gai)。