描(miao)述：JKZC-JMZK25高頻精密(mi)壓(ya)電(dian)阻抗(kang)分析儀(yi)是(shi)壹款新的(de)使用自動平衡電(dian)橋技(ji)術及(ji)四端對(dui)開爾(er)文測(ce)試端(duan)、測(ce)量頻(pin)率範圍(wei)涵(han)蓋(gai)20Hz~25MHz，最小(xiao)分辨率1mHz，基本測(ce)量精度可達0.05%。,提供(gong)內(nei)部偏置電(dian)壓(ya)±40V偏置電(dian)壓(ya)源(yuan)，有多種測(ce)試夾(jia)具(ju)電(dian)導(dao)率σ·介(jie)電(dian)常數(shu)ε的(de)運(yun)算功(gong)能，是(shi)壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)，電(dian)阻，電(dian)容，電(dian)器等得重(zhong)要(yao)檢(jian)測(ce)設備。

JKZC-JMZK25高頻精密(mi)壓(ya)電(dian)阻抗(kang)分析儀(yi)(自動平衡,內(nei)置電(dian)壓(ya)）

關(guan)鍵(jian)詞：高精度，自動平衡，電(dian)導(dao)率

JKZC-JMZK25高頻精密(mi)壓(ya)電(dian)阻抗(kang)分析儀(yi)是(shi)壹款新的(de)使用自動平衡電(dian)橋技(ji)術及(ji)四端對(dui)開爾(er)文測(ce)試端(duan)、測(ce)量頻(pin)率範圍(wei)涵(han)蓋(gai)20Hz~25MHz，最小(xiao)分辨率1mHz，基本測(ce)量精度可達0.05%。,提供(gong)內(nei)部偏置電(dian)壓(ya)±40V偏置電(dian)壓(ya)源(yuan)，有多種測(ce)試夾(jia)具(ju)電(dian)導(dao)率σ·介(jie)電(dian)常數(shu)ε的(de)運(yun)算功(gong)能，是(shi)壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)，電(dian)阻，電(dian)容，電(dian)器等得重(zhong)要(yao)檢(jian)測(ce)設備。

壹、產品應用範(fan)圍(wei)：

1、高頻壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)器件(jian)科(ke)學(xue)研(yan)究

2、高頻壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)的(de)用於(yu)評定壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)片性(xing)能優劣(lie)

3、高頻壓(ya)電(dian)材(cai)料(liao)阻抗(kang)分析

4、半導(dao)體(ti)晶(jing)圓或陶(tao)瓷(ci)積層電(dian)容評估直流偏壓(ya)電(dian)壓(ya)特(te)性(xing)

5、液(ye)態(tai)介(jie)電(dian)、介(jie)電(dian)治具(ju)和(he)導(dao)磁(ci)系數參數測(ce)量

6、等效電(dian)路(lu)模型分析等功(gong)能測(ce)試

7、可以配合高溫平臺進行材(cai)料(liao)多參數聯(lian)合測(ce)試

二(er)、規格參(can)數:

1.測(ce)試頻(pin)率：20HZ-10MHZ,15MHZ,25MHZ多種可選

2.測(ce)試電(dian)平:.005-5Vrms(<=1mhz)>1MHz)

3.內(nei)部直流偏置電(dian)壓(ya) :-5V～+5V或是(shi)：-40V～+40V

4.控(kong)壓(ya)方式：全(quan)頻(pin)操(cao)作(zuo)

5.基(ji)本準確(que)度(du): 0.1%

4.測(ce)試參(can)數：C,L,R,Z,Y,X,B,G,D,Q,

5.基(ji)本準確(que)度(du): 0.05%,

6.顯(xian)示器: 350×260點(dian)陣(zhen)圖形(xing)LCD液晶(jing)顯(xian)示

7.可測(ce)量22種阻抗(kang)參數(shu)組合

8.接口方式:RS232C、UsbHost、USB Device、Handler、GPIB（選件(jian)）

9.電(dian)壓(ya):AC-220V

10.體(ti)積：450mmx135mmx420mm

11.重(zhong)量(liang):3.5KG

12.顯(xian)示方式：液(ye)晶(jing)顯(xian)示

13.可以配合ZJ-3，ZJ-6型壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)測(ce)試g33系數

14.觸(chu)發(fa)方式：手動，內(nei)觸發(fa)，外觸發(fa)

自動平衡電(dian)橋技(ji)術

以往(wang)低(di)端(duan)簡化的(de)運(yun)放阻抗(kang)測(ce)量電(dian)路(lu)如下圖：

以上電(dian)路(lu)在實(shi)際運(yun)作(zuo)時，隨著頻(pin)率的(de)升高，虛(xu)地點會越來(lai)越不(bu)理(li)想，導(dao)致流(liu)過(guo)被測(ce)件(jian)DUT的(de)電(dian)流信(xin)號(hao)不(bu)能(neng)全部(bu)進(jin)入(ru)IV轉換(huan)標(biao)準(zhun)電(dian)阻Rr，所(suo)以會造(zao)成(cheng)測(ce)量誤差(cha)越來(lai)越大(da)。

而(er)JKZC-JMZK25使用的(de)自動平衡電(dian)橋測(ce)試原(yuan)理，把(ba)上(shang)圖簡易的(de)測(ce)量運(yun)放改(gai)進成(cheng)：Lpot檢(jian)零電(dian)路(lu)，0度(du)90度(du)數(shu)字檢(jian)相及(ji)調(tiao)制(zhi)解調電(dian)路(lu)，Lcur高頻驅(qu)動電(dian)路(lu)等等組成(cheng)的(de)矢量(liang)負反(fan)饋網(wang)絡(luo)。從而(er)保證了(le)測(ce)量電(dian)路(lu)的(de)虛(xu)地端更接近理(li)想。下(xia)面(mian)2圖是(shi)簡易運(yun)放阻抗(kang)測(ce)量電(dian)路(lu)以及(ji)自動平衡電(dian)橋阻抗(kang)測(ce)量電(dian)路(lu)Lcur（虛(xu)地點）的(de)波(bo)形(xing)實測(ce)對(dui)比：

使用簡易運(yun)放阻抗(kang)測(ce)量電(dian)路(lu)1MHz測(ce)量6.8nF Lcur（虛(xu)地點）實測(ce)波(bo)形(xing)如下：

使用自動平衡電(dian)橋阻抗(kang)測(ce)量電(dian)路(lu)1MHz測(ce)量6.8nF Lcur（虛(xu)地點）實測(ce)波(bo)形(xing)如下：

以上可見，使用簡易運(yun)放阻抗(kang)測(ce)量電(dian)路(lu)虛(xu)地端電(dian)壓(ya)峰峰值(zhi)高達59mV，而(er)使用自動平衡電(dian)橋原(yuan)理的(de)虛(xu)地端電(dian)壓(ya)峰峰值(zhi)僅(jin)為2mV，所(suo)以：使用自動平衡電(dian)橋的(de)虛(xu)地性(xing)能遠遠好於(yu)使用壹個(ge)簡易運(yun)放做測(ce)量的(de)電(dian)路(lu)。

主要測(ce)量頁(ye)面(mian)

測(ce)量顯(xian)示：