DCD-100型(xing)儲(chu)能電介質(zhi)充(chong)放(fang)電(dian)測試(shi)系統(tong)

關鍵詞：儲能，電(dian)介質(zhi)，充(chong)放(fang)電(dian)

目(mu)前常規(gui)的方法(fa)是(shi)通(tong)過電滯(zhi)回(hui)線計(ji)算高壓下(xia)電(dian)介質(zhi)的能量(liang)密(mi)度，測試(shi)時，樣品(pin)的電荷(he)是(shi)放(fang)回(hui)到(dao)高壓源上，而(er)不(bu)是(shi)釋放(fang)到(dao)負載(zai)上(shang)，通過電(dian)滯(zhi)回(hui)線測得的儲能密(mi)度壹般(ban)會(hui)大於(yu)樣(yang)品(pin)實(shi)際(ji)釋放(fang)的能量(liang)密(mi)度，無(wu)法正(zheng)確評(ping)估電(dian)介質(zhi)材(cai)料的正(zheng)常放(fang)電(dian)性(xing)能。

DCD-100型(xing)儲能電介質(zhi)充(chong)放(fang)電(dian)測試(shi)系統(tong)專為研究(jiu)儲能電(dian)介質(zhi)材(cai)料快速充(chong)放(fang)電(dian)性(xing)能而(er)設(she)計(ji)，適用陶瓷(ci)、薄(bo)膜(mo)材(cai)料，可進行(xing)變溫下(xia)的欠、過(guo)阻尼充(chong)放(fang)電(dian)測試(shi)。

壹(yi)、產(chan)品(pin)特(te)點(dian)：

1、內(nei)置(zhi)直流高壓模(mo)塊(kuai)，大電壓：10kV，20KV 多(duo)種可選，電(dian)流：0-5mA；

2、通過電流探頭監(jian)測放(fang)電(dian)電(dian)流(liu)，高可達(da)100A-200A；

3、可以實(shi)現欠(qian)阻尼和過阻尼兩(liang)種測試(shi)模式，欠(qian)阻尼測試(shi)時，放(fang)電(dian)回(hui)路(lu)短路(lu)，不(bu)使(shi)用電阻負載(zai)，過(guo)阻尼測試(shi)時，使用較大的高精(jing)度無(wu)感電(dian)阻作(zuo)為放(fang)電(dian)負載(zai)；

4、通過(guo)示波器(qi)采(cai)集數(shu)據(ju)，並能直(zhi)接(jie)計(ji)算儲能密(mi)度；

9、專業的載(zai)樣(yang)平臺，適用於(yu)陶(tao)瓷(ci)和薄(bo)膜(mo)樣(yang)品(pin)測試(shi)；

10、可以變溫測試(shi)，0-250℃；

11、可以疲(pi)勞測試(shi)，飽和極化，剩余極化等(deng)功能

12、本系統采(cai)用特殊(shu)高壓開(kai)關，通過(guo)單(dan)刀雙擲(zhi)控(kong)制充(chong)電(dian)和放(fang)電(dian)過(guo)程(cheng)，開關可以承(cheng)受(shou)10kV高壓，寄生(sheng)電容小(xiao)，動(dong)作(zuo)時間(jian)短；

二(er)、DCD-100型儲(chu)能電介質(zhi)充(chong)放(fang)電(dian)測試(shi)系統(tong)主要(yao)參數(shu)

1、電流探頭帶(dai)寬(kuan)：120MHz

2、峰值電流(liu)：0-100A，150 A(多(duo)種電(dian)流可監(jian)測）

3、電(dian)流采(cai)集精(jing)度：1mA

4、高壓源模塊(kuai)：3KV，5KV， 10kV，15KV多(duo)可選（電流(liu)：0-5mA）

5、開關適用：100萬次，高耐壓(ya)15kV。

6、溫(wen)控(kong)範圍(wei)：0-250℃。

7、溫度穩(wen)定(ding)性(xing)和精(jing)度：0.1℃

8、測試(shi)樣品(pin)：薄(bo)膜(mo)，厚(hou)膜(mo)，陶瓷(ci)，玻璃等(deng)

9、可以疲(pi)勞測試(shi)，飽和極化，剩余極化等(deng)多(duo)種參數(shu)測試(shi)

10、可以配合(he)各種極化設備(bei)進(jin)行(xing)多(duo)種壓(ya)電材(cai)料和介電(dian)材(cai)料的測試(shi)