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        1. 當(dang)前位(wei)置(zhi):首(shou)頁  >  產(chan)品中(zhong)心(xin)  >  材(cai)料電(dian)學性能(neng)測(ce)試儀  >  高溫介電(dian)材料測(ce)試儀  >  GWGYJD-1000W全新高溫高壓介電(dian)測(ce)試儀(外(wai)加(jia)5000V高壓)
          型(xing)號(hao):GWGYJD-1000W
          全新高溫高壓介電(dian)測(ce)試儀(外(wai)加(jia)5000V高壓)

          描(miao)述(shu):GWGY-1000W型(xing)高溫高壓介電(dian)常(chang)數測(ce)試儀是(shi)壹款區別(bie)目前市(shi)場(chang)上高溫介電(dian)測(ce)試儀,也(ye)是(shi)研究材料介電(dian)性能(neng)的新領域,采用(yong)全新技(ji)術,打破(po)了之(zhi)前的(de)只能(neng)在變溫下的頻(pin)率下測(ce)試,該設(she)備能(neng)夠在對(dui)樣(yang)品進(jin)行(xing)高溫測(ce)試的(de)同時(shi),給樣(yang)品加高壓,最高可達5000V直(zhi)流(liu)高壓,更加直(zhi)觀的看到(dao)樣(yang)品在外(wai)加(jia)高壓的(de)條件下,內(nei)部(bu)相(xiang)關(guan)的(de)性質變化,很多(duo)關(guan)於(yu)薄(bo)膜(mo)和(he)壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)樣(yang)品,是在外(wai)加(jia)高壓條件下,性能(neng)會出現(xian)比較大的

          • 廠(chang)商性質

            生(sheng)產(chan)廠(chang)家
          • 更新時(shi)間

            2025-12-02
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          GWGYJD-1000W型(xing)高溫高壓介電(dian)測(ce)試儀(外(wai)加(jia)5000V高壓)

          關(guan)鍵(jian)詞:高溫,高壓5000V,介電(dian)損(sun)耗(hao),阻(zu)抗(kang)

             全新高溫高壓介電(dian)測(ce)試儀(外(wai)加(jia)5000V高壓)

                                                          

               GWGY-1000W型(xing)高溫高壓介電(dian)常(chang)數測(ce)試儀是(shi)壹(yi)款區別(bie)目前市(shi)場(chang)上高溫介電(dian)測(ce)試儀,也(ye)是(shi)研究材料介電(dian)性能(neng)的新領域,采用(yong)全新技(ji)術,打破(po)了之(zhi)前的(de)只能(neng)在變溫下的頻(pin)率下測(ce)試,該設(she)備能(neng)夠在對(dui)樣(yang)品進(jin)行(xing)高溫測(ce)試的(de)同時(shi),給樣(yang)品加高壓,最高可達5000V直(zhi)流(liu)高壓,更加直(zhi)觀的看到(dao)樣(yang)品在外(wai)加(jia)高壓的(de)條件下,內(nei)部(bu)相(xiang)關(guan)的(de)性質變化,很多(duo)關(guan)於(yu)薄(bo)膜(mo)和(he)壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)樣(yang)品,是在外(wai)加(jia)高壓條件下,性能(neng)會出現(xian)比較大的變化,無(wu)疑(yi)給(gei)新的科(ke)研提供新的研究方向(xiang),對(dui)於(yu)研究新產(chan)品及(ji)半導體材料有(you)著(zhe)重(zhong)要作用(yong)。也(ye)是(shi)目前高校研究和生產(chan)的重(zhong)要儀器(qi)。

          壹(yi)、應(ying)用(yong)範圍(wei)

          (1)介質材(cai)料:塑(su)料、陶(tao)瓷(ci)和(he)其(qi)它(ta)材料的(de)介電(dian)常(chang)數和(he)損(sun)耗(hao)角(jiao)評估(gu)

          (2)液晶(jing)單元:介電(dian)常(chang)數、彈(dan)性常(chang)數等(deng)C-V特(te)性

          (3)半導體材料:半導體材料的(de)介電(dian)常(chang)數、導(dao)電(dian)率和C-V特(te)性

          (4)半導體元件(jian):LED驅(qu)動集成(cheng)電(dian)路(lu)寄(ji)生參數測(ce)試分析;變容(rong)二(er)極管(guan)的C-VDC特(te)性;晶(jing)體管(guan)或集成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)寄(ji)生參數分析

          (5)無(wu)源(yuan)元件(jian):電(dian)容(rong)器(qi)、電感(gan)器、磁(ci)芯(xin)、電阻(zu)器、壓(ya)電器(qi)件(jian)、變壓器(qi)、芯(xin)片組件和網(wang)絡(luo)元件(jian)等(deng)的(de)阻(zu)抗(kang)參數評估(gu)和性能(neng)分析。

          二(er)、主要特(te)點(dian):

          1、電(dian)容(rong)(C), 電(dian)感(gan)(L), 電阻(zu)(R), 電導(dao)(G), 電納(B), 電抗(X), 消(xiao)耗(hao)因(yin)素(D), 品(pin)質因(yin)素(Q), 阻(zu)抗(kang)(Z), Y參數(Y), 相(xiang)位(wei)角(jiao)(Ø)

          2、高精(jing)度(du)量(liang)測(ce):電容(rong),電(dian)感(gan)及阻(zu)抗基(ji)本精(jing)度(du)為±0.05%.消(xiao)耗(hao)因(yin)素精(jing)度(du)為±0.0005及(ji)品質因(yin)素精(jing)度(du)為±0.05%.

          3、元件(jian)圖形(xing)掃(sao)描(miao);精(jing)密(mi)阻抗(kang)分析儀不(bu)僅(jin)提(ti)供(gong)高頻(pin)率,高精(jing)度(du)的(de)量(liang)測(ce). 該設(she)備還是壹個(ge)包(bao)含豐富(fu)特(te)性的元件(jian)分析儀.

          4、圖形(xing)掃(sao)描(miao)可依據(ju)頻(pin)率, 驅(qu)動值及(ji)直(zhi)流(liu)偏壓源同時(shi)在高清晰,大型彩(cai)色(se)顯示(shi)幕上(shang)顯示任意(yi)兩(liang)種參(can)數的(de)圖形(xing).

          5、顯(xian)示(shi)格式包(bao)括 串聯(lian) 或並(bing)聯(lian)等(deng)同電路(lu)和(he)兩(liang)極(ji)形(xing)式(shi).單(dan)測(ce)某壹(yi)頻(pin)率時(shi)可以從圖形(xing)掃(sao)描(miao)轉換(huan)成(cheng)標(biao)準電(dian)表(biao)讀(du)值模式.

          6、可(ke)變的輸(shu)出和偏壓源,最高達到(dao)5000V

          三(san)、符(fu)合(he)規範:

          1GB/T 3389.7-1986壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)材(cai)料性能(neng)測(ce)試方法

          2GBT 1409-2006 測(ce)量(liang)電氣絕(jue)緣材(cai)料在(zai)工(gong)頻(pin)、音(yin)頻(pin)、高頻(pin)(包(bao)括米波(bo)波(bo)長存內(nei))下電容(rong)率和介質損(sun)耗(hao)因(yin)數的(de)推薦(jian)方法

          3GBT 1693-2007 硫化(hua)橡膠(jiao) 介電(dian)常(chang)數和(he)介質損(sun)耗(hao)角(jiao)正切(qie)值的(de)測(ce)定(ding)方法

          4ASTM-D150-介電(dian)常(chang)數測(ce)試方法

          5GB9622.9-88/SJT 11043-1996 電(dian)子(zi)玻(bo)璃(li)高頻(pin)介質損(sun)耗(hao)和(he)介電(dian)常(chang)數的(de)測(ce)試方法

          四、主要技(ji)術參數:

          1、溫(wen)度(du)範圍(wei):  室溫(wen)-1000℃  測(ce)溫精(jing)度(du): 0.1℃

          2、外(wai)加(jia)電(dian)壓:0-5000V

          3、頻(pin)   率:10HZ-1MHZ,2MHZ,5MHZ,10MHZ,30MHZ可選

          4、升溫速(su)度: 1—20C/min

          5、控(kong)溫(wen)模式: 程(cheng)序(xu)控(kong)制,提供常(chang)溫(wen)、變溫、恒(heng)溫、升溫、降(jiang)溫等(deng)多(duo)種組合(he)方式(shi)

          6、通(tong)訊接(jie):   RS-485

          7、溫(wen)度(du)範圍(wei):  0—600℃0—800℃0—1000℃

          8、測(ce)試頻(pin)率:  200Hz—50MHz

          9、電(dian)極(ji)材質:  鉑銥合(he)金

          10、上(shang)電(dian)極: 直(zhi)徑1.6mm球(qiu)頭(tou)電極(ji),引線(xian)帶(dai)同軸(zhou)屏蔽層

          11、下電極:  直(zhi)徑26.8mm平(ping)面(mian)電(dian)極,引(yin)線(xian)帶(dai)同軸(zhou)屏蔽層

          12、保(bao)護電極:    帶(dai)保(bao)護電極,消(xiao)除(chu)寄(ji)生電容(rong)、邊(bian)界電(dian)容(rong)對(dui)測(ce)試的(de)影(ying)響(xiang)

          13、電(dian)極(ji)幹(gan)擾(rao)屏蔽:   電極引線(xian)帶(dai)同軸(zhou)屏蔽,樣(yang)品平臺帶(dai)屏(ping)蔽罩(zhao)

          14、夾(jia)具(ju)升降(jiang)控制:   帶(dai)程(cheng)序(xu)和(he)手(shou)動控制,可更換(huan)夾(jia)具(ju)的(de)電動升降(jiang)裝(zhuang)置(zhi)

          15、熱(re)電偶(ou):  熱(re)電偶(ou)探頭(tou)與(yu)樣(yang)品平臺為同壹熱(re)沈,測(ce)控溫(wen)度與(yu)樣(yang)品溫度保(bao)持壹致

          16、無(wu)電(dian)極樣(yang)品尺寸:      直(zhi)徑小(xiao)於(yu)40mm,厚度(du)小(xiao)於(yu)8mm

          17、帶(dai)電(dian)極(ji)樣(yang)品尺寸:      直(zhi)徑小(xiao)於(yu)26mm,厚度(du)小(xiao)於(yu)8mm

          18、軟件功能(neng):自動分析數據(ju),可(ke)以分類(lei)保(bao)存,樣(yang)品和測(ce)量(liang)方案結(jie)合(he)在壹(yi)起(qi),生成(cheng)系(xi)統(tong)所(suo)需(xu)的(de)實驗(yan)方案,輸(shu)出TXTXLSBMP等(deng)格(ge)式(shi)文(wen)件

          19、測(ce)量(liang)方案:    提供(gong)靈(ling)活(huo)、豐富(fu)的(de)測(ce)試設(she)置(zhi)功能(neng),包(bao)括頻(pin)率譜、阻抗(kang)譜、介電(dian)譜及其(qi)組合(he)

          20、接(jie)口(kou)方式(shi):包(bao)括Keysight\WayneKerr\Tonghui等(deng)多(duo)種LCR接(jie)口(kou),

          21、外(wai)形(xing)尺(chi)寸 :   L360mm*W370mm*H510mm

          22、凈(jing)   重(zhong):           22KG


          全新高溫高壓介電(dian)測(ce)試儀(外(wai)加(jia)5000V高壓)

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