描(miao)述：BKTEM-D5型(xing)塞(sai)貝克(ke)系(xi)數和電(dian)阻系(xi)數測試(shi)系(xi)統概(gai)述(shu)

熱電材(cai)料（也(ye)稱(cheng)溫差電材(cai)料，thermoelectric materials）是(shi)壹(yi)種(zhong)利(li)用(yong)固體(ti)內部載流(liu)子運動，實現(xian)熱能(neng)和(he)電能(neng)直(zhi)接相(xiang)互(hu)轉換的(de)功能(neng)材(cai)料。熱(re)電(dian)效應是(shi)電(dian)流(liu)引起的(de)可(ke)逆(ni)熱效(xiao)應和溫(wen)差引起的(de)電(dian)效應的總(zong)稱(cheng)，包括塞(sai)貝克(ke)（Seebeck）效應、波(bo)爾(er)貼(tie)(Peltier)效(xiao)應和湯(tang)姆(mu)遜(Thomson)效(xiao)應。

BKTEM-D5型(xing)塞(sai)貝克(ke)系(xi)數和電(dian)阻系(xi)數測試(shi)系(xi)統

關鍵詞：熱電，賽(sai)貝克系(xi)數，Seebeck,熱電(dian)轉換效(xiao)率

BKTEM-D5型(xing)塞(sai)貝克(ke)系(xi)數和電(dian)阻系(xi)數測試(shi)系(xi)統概(gai)述(shu)

熱電(dian)材(cai)料（也(ye)稱(cheng)溫差電材(cai)料，thermoelectric materials）是(shi)壹(yi)種(zhong)利(li)用(yong)固體(ti)內部載流(liu)子運動，實現(xian)熱能(neng)和(he)電能(neng)直(zhi)接相(xiang)互(hu)轉換的(de)功能(neng)材(cai)料。熱(re)電(dian)效應是(shi)電(dian)流(liu)引起的(de)可(ke)逆(ni)熱效(xiao)應和溫(wen)差引起的(de)電(dian)效應的總(zong)稱(cheng)，包括塞(sai)貝克(ke)（Seebeck）效應、波(bo)爾(er)貼(tie)(Peltier)效應和湯(tang)姆(mu)遜(Thomson)效應。

塞(sai)貝克(ke)效應

    1823年(nian)，德國人(ren)塞(sai)貝克(ke)(Seebeck)首(shou)先(xian)發現(xian)當兩(liang)種(zhong)不同(tong)導體(ti)構成(cheng)閉(bi)合(he)回路時，如(ru)果(guo)兩(liang)個接點(dian)的(de)溫度不同(tong)，則(ze)兩接點(dian)間(jian)有電(dian)動(dong)勢產(chan)生(sheng)，且在回路中有電(dian)流(liu)通過(guo)，即溫差電現(xian)象(xiang)或(huo)塞(sai)貝克(ke)效應。通常(chang)用無量綱熱電(dian)優值ZT來(lai)衡量材(cai)料的(de)熱(re).電性(xing)能(neng),

ZT=(S^2*σ*T)/λ 

S: 塞(sai)貝克(ke)系(xi)數; [S] = μV/K；I: 電導率; [σ] = 1/Ωm；K: 熱導率; [λ] = W/mK

熱電(dian)材(cai)料的(de)研(yan)發目(mu)標(biao)：

· 增大塞(sai)貝克(ke)系(xi)數：提高(gao)費米能(neng)級(ji)附(fu)近的狀(zhuang)態密度，增大載流(liu)子(zi)有效(xiao)質(zhi)量，降(jiang)低(di)載流(liu)子濃(nong)度；

· 增大電導率：提高(gao)載流(liu)子(zi)濃(nong)度，降(jiang)低(di)載流(liu)子有效(xiao)質(zhi)量； 

· 對於(yu)金屬和半導體(ti)：設法降(jiang)低(di)晶格(ge)熱(re)導率是(shi)提(ti)高(gao)材(cai)料熱(re)電(dian)性(xing)能(neng)的(de)關鍵。

主(zhu)要(yao)熱(re)電(dian)材(cai)料體(ti)系(xi)

· Bi2Te3/Sb2Te3體(ti)系(xi)

· PbTe體(ti)系(xi)

· SiGe體(ti)系(xi)

· CoSb3為(wei)代(dai)表的方(fang)鈷礦(kuang)型(xing)熱(re)電(dian)材(cai)料

· Zn4Sb3

· 金屬矽化物(wu)（如(ru)β-FeSi2、MnSi2、CrSi2等）

· NaCo2O4為(wei)代(dai)表的氧(yang)化物(wu)等。

二(er)、產(chan)品(pin)特點：

1、熱電(dian)偶(ou)間距(ju)可(ke)以(yi)跟(gen)根(gen)據(ju)樣(yang)品(pin)尺寸(cun)調節或(huo)固定(ding)，滿(man)足不同(tong)測(ce)試要(yao)求(qiu)；

2、標準(zhun)配置進(jin)口高級商(shang)用數采儀(yi)表，避免(mian)電(dian)路板集(ji)成(cheng)數據采(cai)集技(ji)術(shu)帶(dai)來(lai)的幹(gan)擾誤(wu)差；

3、高級(ji)應用程(cheng)序(xu)控溫技術(shu)，包括溫(wen)差和測(ce)量(liang)步進等(deng)高級(ji)要(yao)求(qiu)

4、自動(dong)化測(ce)量軟(ruan)件(jian)，具(ju)備數據記錄，記錄、存儲及(ji)圖(tu)表

5、軟件(jian)計算賽(sai)貝系(xi)數，電阻(zu)，電阻(zu)率，熱電(dian)轉換效(xiao)率等參數

三(san)：儀(yi)器(qi)主(zhu)要(yao)技(ji)術(shu)參數：

1、溫度(du)範(fan)圍：冷端溫度控制範(fan)圍:0-20；熱端溫度控制範(fan)圍:室(shi)溫-500℃;

2、測量(liang)精度：±0.2℃；

3、控溫精度：±0.5℃；

4、樣(yang)品(pin)控制臺；高精(jing)度(du)手動滑動測試臺(tai)

5、 壓力傳(chuan)感器分辨率：0.1N

6、 樣(yang)品(pin)範(fan)圍:長(chang)0mm-100mm，寬0mm-100mm，高(gao)0mm-30mm;

7、內阻(zu)測量範(fan)圍0-100Ω，分辨率1mΩ;

8、電壓測量範(fan)圍0-100V，分辨率優於(yu)0.1mV;

9、電流(liu)測量範(fan)圍0-10A，分辨率優於(yu)0.01mA;

10、 熱電(dian)器件測試系(xi)統在(zai)穩定(ding)、安全(quan)工(gong)作(zuo)狀態下(xia)可連(lian)續(xu)熱(re)疲勞(lao)測(ce)試(shi)100h;

11、 真空(kong)度(du)優於(yu)100Pa。

12、 熱電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試平臺(tai)須配備臺式(shi)計算機(ji)及打(da)印機(ji)，計算機(ji)與各測試(shi)裝(zhuang)置互(hu)聯，具備數據處(chu)理(li)、記錄、存儲等(deng)功能(neng)。

13、 設置(zhi)自動(dong)測(ce)量熱(re)電轉換器(qi)件(jian)在不同(tong)溫(wen)差條(tiao)件(jian)下(xia)穩(wen)定(ding)後(hou)的開(kai)路電壓、最(zui)大電流(liu)、最(zui)大負載(zai)功率，測量(liang)器件(jian)熱(re)端輸入熱(re)流(liu)，根(gen)據(ju)輸出(chu)功率計算器(qi)件熱(re)電(dian)轉換效(xiao)率;可開(kai)展器(qi)件(jian)熱疲勞(lao)、熱(re)沖(chong)擊實(shi)驗。

14、 熱電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試平臺(tai)主(zhu)要(yao)由樣(yang)品(pin)測試(shi)臺(tai)、溫(wen)度(du)控制及測量(liang)系(xi)統、熱(re)電器件測試系(xi)統、計算機(ji)系(xi)統等(deng)組成(cheng)，由相(xiang)應的軟(ruan)件(jian)系(xi)統控制，具備數字化功能(neng)，可(ke)實現測(ce)量過程和(he)數據分析自動(dong)化，具(ju)備數據的(de)記錄、存儲及(ji)圖(tu)表化功能(neng)。

15、 電源(yuan)：200V

16、 尺寸(cun): 1350 mm H x 1250mm W x 1080 mm D(以實(shi)際為(wei)準(zhun))