描(miao)述(shu)：為(wei)解(jie)決(jue)日(ri)益(yi)緊迫(po)的(de)能(neng)源危機，太(tai)陽(yang)能(neng)、風(feng)能(neng)、核能(neng)等多種(zhong)新(xin)能(neng)源不(bu)斷被(bei)開(kai)發利(li)用(yong)。新(xin)能(neng)源的(de)使用(yong)需要優質的(de)節(jie)能(neng)材(cai)料(liao)。利(li)用(yong)熱電材(cai)料(liao)制(zhi)成(cheng)的(de)制(zhi)冷(leng)和(he)發電系統，具有體積小(xiao)、重量輕(qing)、無(wu)任(ren)何機械(xie)噪(zao)音、不(bu)造(zao)成(cheng)任何環

境(jing)汙染(ran)等眾(zhong)多優點。因(yin)此(ci)對(dui)熱電材(cai)料(liao)的(de)研(yan)究(jiu)非常重要。為了(le)進壹步提(ti)高熱(re)電材(cai)料(liao)的(de)轉化效(xiao)率(lv)（熱電優值），對(dui)其研(yan)究(jiu)從塊體慢慢轉移到薄(bo)膜材(cai)料(liao)。

BKTEM-B2薄(bo)膜熱(re)電參數測(ce)試(shi)系統

關(guan)鍵詞：薄(bo)膜熱(re)電，賽貝(bei)克(ke)系數，Seebeck，四線(xian)法

為(wei)解(jie)決(jue)日(ri)益(yi)緊迫(po)的(de)能(neng)源危機，太(tai)陽(yang)能(neng)、風(feng)能(neng)、核能(neng)等多種(zhong)新(xin)能(neng)源不(bu)斷被(bei)開(kai)發利(li)用(yong)。新(xin)能(neng)源的(de)使用(yong)需要優質的(de)節(jie)能(neng)材(cai)料(liao)。利(li)用(yong)熱電材(cai)料(liao)制(zhi)成(cheng)的(de)制(zhi)冷(leng)和(he)發電系統，具有體積小(xiao)、重量輕(qing)、無(wu)任(ren)何機械(xie)噪(zao)音、不(bu)造(zao)成(cheng)任何環境(jing)汙染(ran)等眾(zhong)多優點。因(yin)此(ci)對(dui)熱電材(cai)料(liao)的(de)研(yan)究(jiu)非常重要。為了(le)進壹步提(ti)高熱(re)電材(cai)料(liao)的(de)轉化效(xiao)率(lv)（熱電優值），對(dui)其研(yan)究(jiu)從塊體慢慢轉移到薄(bo)膜材(cai)料(liao)。

技(ji)術原(yuan)理(li)

動(dong)態法：測(ce)量 Seebeck 系數

在待(dai)測(ce)溫(wen)場下給樣(yang)品(pin)兩(liang)端加(jia)壹個(ge)連續(xu)變化的(de)微(wei)小(xiao)溫(wen)差，通過記(ji)錄(lu)樣(yang)品(pin)兩(liang)端溫(wen)差和(he)熱電勢的(de)變化，

然後(hou)將溫(wen)差和(he)熱電勢擬(ni)合成(cheng)壹條直(zhi)線(xian)，直線斜(xie)率(lv)即為(wei)該(gai)材(cai)料(liao)在該(gai)溫(wen)場下的(de) Seebeck 系數。

采用(yong)四線(xian)法測(ce)量電阻率(lv)。 硬(ying)件特(te)點

 專門針對(dui)薄(bo)膜材(cai)料(liao)的(de) Seebeck 系數和(he)電阻率(lv)測(ce)量。

 采用(yong)動態法測(ce)量 Seebeck 系數,避免(mian)了靜(jing)態測(ce)量在溫(wen)差測(ce)量上(shang)的(de)系統誤(wu)差,測(ce)量更準(zhun)確(que)。

 采用(yong)四線(xian)法測(ce)量電阻率(lv)，測(ce)量更加穩(wen)定(ding)可(ke)靠。

薄(bo)膜熱(re)電參數測(ce)試(shi)系統

技(ji)術原(yuan)理(li)

動(dong)態法：測(ce)量 Seebeck 系數

在待(dai)測(ce)溫(wen)場下給樣(yang)品(pin)兩(liang)端加(jia)壹個(ge)連續(xu)變化的(de)微(wei)小(xiao)溫(wen)差，通過記(ji)錄(lu)樣(yang)品(pin)兩(liang)端溫(wen)差和(he)熱電勢的(de)變化，

然後(hou)將溫(wen)差和(he)熱電勢擬(ni)合成(cheng)壹條直(zhi)線(xian)，直線斜(xie)率(lv)即為(wei)該(gai)材(cai)料(liao)在該(gai)溫(wen)場下的(de) Seebeck 系數。

采用(yong)四線(xian)法測(ce)量電阻率(lv)。 硬(ying)件特(te)點

專門針對(dui)薄(bo)膜材(cai)料(liao)的(de) Seebeck 系數和(he)電阻率(lv)測(ce)量。

采用(yong)動態法測(ce)量 Seebeck 系數,避免(mian)了靜(jing)態測(ce)量在溫(wen)差測(ce)量上(shang)的(de)系統誤(wu)差,測(ce)量更準(zhun)確(que)。

采用(yong)四線(xian)法測(ce)量電阻率(lv)，測(ce)量更加穩(wen)定(ding)可(ke)靠。

1. 實(shi)現(xian)功(gong)能(neng)：在室溫(wen)溫(wen)場下可同步測(ce)量Seebeck系數和(he)電阻率(lv)；

2. 電勢測(ce)量：采集(ji)系統采用(yong)商(shang)業(ye)高分(fen)辨(bian)數字萬(wan)用(yong)表；

3. 溫(wen)差測(ce)量：溫(wen)差精度控制(zhi)：+/-0.1K，控溫(wen)速率(lv)：0.02–50K/min；溫(wen)差控制(zhi)：0-80K ；

4. Seebeck系數和(he)電阻測(ce)量方(fang)法(fa)：Seebeck系數-靜(jing)態直流(liu)法, 多溫(wen)差法，電阻率(lv)-四端法(fa)；

5. Seebeck系數測(ce)量範圍(wei)和(he)分(fen)辨(bian)率(lv)：1μV/K-25V/K；測(ce)量分(fen)辨(bian)率(lv)：10nV/K；

6. 電阻率(lv)測(ce)量範圍(wei)和(he)分(fen)辨(bian)率(lv)：0.2μOhmm-2.5Ohmm；測(ce)量分(fen)辨(bian)率(lv)：10nOhmm；

7. 測(ce)量精度：Seebeck 系數 : +/- 7%，電阻率(lv) : +/- 10%；

8. 樣(yang)品(pin)尺寸(cun)：直徑或(huo)正(zheng)方形 6-12mm，長度6-22mm，正(zheng)反(fan)面電極均(jun)可(ke)；

9. 探頭測(ce)試(shi)間距(ju)：6, 8 mm，任(ren)選(xuan)壹種(zhong)；

10. 外(wai)接電源：單相220V ，50Hz；

11. 軟(ruan)件：圖(tu)形化(hua)界面， windows 菜(cai)單，數據(ju)采集(ji)；加(jia)熱(re)恒溫(wen)降(jiang)溫(wen)溫(wen)度程序化(hua)設計(ji)；易於操作的(de)菜(cai)單設計(ji)，測(ce)量結果可以(yi)txt，EXC