描(miao)述(shu)：GW-JDZK高(gao)溫(wen)介(jie)電溫(wen)譜(pu)阻(zu)抗(kang)分(fen)析儀(yi)（溫(wen)度：1000℃，頻(pin)率(lv)：10HZ-20MHZ）提(ti)供(gong)頻(pin)率(lv)（10 Hz 至20MHz），可(ke)在(zai)不同測(ce)量(liang)條件下進行(xing)高(gao)速(su)連續(xu)測(ce)量(liang)。其(qi)等效(xiao)電路(lu)分(fen)析功(gong)能支持(chi)7種不同的(de)參(can)數(shu)模(mo)型(三(san)組(zu)件、四組(zu)件)，可(ke)協(xie)助客(ke)戶(hu)仿(fang)真組(zu)件的(de)等(deng)效(xiao)參(can)數(shu)值(zhi)。並(bing)支持(chi)RS232、 USB 、LAN和 GPIB PC聯機能力。

GW-JDZK高(gao)溫(wen)介(jie)電溫(wen)譜(pu)阻(zu)抗(kang)分(fen)析儀(yi)

GW-JDZK高(gao)溫(wen)介(jie)電溫(wen)譜(pu)阻(zu)抗(kang)分(fen)析儀(yi)（溫(wen)度：-160℃1000℃，頻(pin)率(lv)：10HZ-20MHZ）

GW-JDZK高(gao)溫(wen)介(jie)電溫(wen)譜(pu)阻(zu)抗(kang)分(fen)析儀(yi)（溫(wen)度：1000℃，頻(pin)率(lv)：10HZ-20MHZ）提(ti)供(gong)頻(pin)率(lv)（10 Hz 至20MHz），可(ke)在(zai)不同測(ce)量(liang)條件下進行(xing)高(gao)速(su)連續(xu)測(ce)量(liang)。其(qi)等效(xiao)電路(lu)分(fen)析功(gong)能支持(chi)7種不同的(de)參(can)數(shu)模(mo)型(三(san)組(zu)件、四組(zu)件)，可(ke)協(xie)助客(ke)戶(hu)仿(fang)真組(zu)件的(de)等(deng)效(xiao)參(can)數(shu)值(zhi)。並(bing)支持(chi)RS232、 USB 、LAN和 GPIB PC聯機能力。

支持(chi)各(ge)式各(ge)樣的(de)測(ce)試(shi)治(zhi)具與配件，例如(ru)可(ke)搭配介電系數治具，減(jian)少產品(pin)不良(liang)的(de)情況發(fa)生，導(dao)磁系數治具，各種環(huan)形(xing)磁芯或(huo)鐵(tie)氧(yang)體(ti)磁芯及電磁屏蔽塗層材(cai)料的(de)導(dao)磁系數量測，和懸臂(bi)治(zhi)具，各種尺(chi)寸(cun)貼(tie)片組(zu)件或電路(lu)板上(shang)組(zu)件阻抗(kang)量測(ce)。讓(rang)量(liang)測(ce)步(bu)驟(zhou)變(bian)得更為簡易(yi)及快(kuai)速(su)。量(liang)測度及多(duo)功(gong)能性為種不同類型(xing)的(de)工(gong)作(zuo)和應用(yong)程(cheng)序，用(yong)戶(hu)包括半導(dao)體(ti)、組(zu)件廠(chang)商(shang)、研(yan)發(fa)單(dan)位、進料檢驗(yan)、實(shi)驗室(shi)、學(xue)生(sheng)。

主要(yao)應(ying)用(yong)範圍(wei)：

1、半(ban)導(dao)體(ti)元件：LED驅(qu)動(dong)集成(cheng)電路(lu)寄生(sheng)參(can)數(shu)測(ce)試(shi)分(fen)析；變(bian)容二(er)極管的(de)C-VDC特(te)性；晶(jing)體(ti)管(guan)或集成(cheng)電路(lu)的(de)寄(ji)生(sheng)參(can)數(shu)分(fen)析

2、介(jie)質材(cai)料：塑料、陶(tao)瓷和其(qi)它材(cai)料的(de)介(jie)電常數和損(sun)耗(hao)角評估

3、半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料：半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)介(jie)電常數、導(dao)電率(lv)和C-V特性

4、液(ye)晶(jing)單(dan)元：介電常數、彈(dan)性常數等C-V特(te)性

二(er)、主要(yao)參(can)數(shu)

包括：諧振頻(pin)率(lv)Fs、反諧振頻(pin)率(lv)Fp、半功率(lv)點F1與(yu)F2、最(zui)大(da)導(dao)納Gmax、靜電容C0、動(dong)態電抗(kang)R1、動態電容C1、動(dong)態電感L1、自由(you)電容CT、自(zi)由(you)介(jie)電常數、機械品質因(yin)素(su)Qm、機電耦(ou)合系數Keff、Kp、K31、K33等，並(bing)可(ke)以(yi)繪制壓電器件的(de)五(wu)種特(te)性曲線(xian)(導(dao)納特性圖、阻抗(kang)特性圖、導(dao)納極坐標圖、阻(zu)抗(kang)極坐標圖、對數坐(zuo)標圖)。

　諧振頻(pin)率(lv)Fs：壓電振子(zi)等(deng)效(xiao)電路(lu)中(zhong)串聯支路(lu)的(de)諧振頻(pin)率(lv)，在這個頻(pin)率(lv)下，壓電振子(zi)的(de)阻(zu)抗(kang)最(zui)小(xiao)。

　反(fan)諧振頻(pin)率(lv)Fp：壓電振子(zi)並(bing)聯支路(lu)的(de)諧振頻(pin)率(lv)，在這個頻(pin)率(lv)下，壓電振子(zi)的(de)阻(zu)抗(kang)Zmax最(zui)大(da)。

　半(ban)功率(lv)點F1與(yu)F2：從(cong)導(dao)納圓上看，導(dao)納實部(bu)等於Gmax/2處(chu)的(de)頻(pin)率(lv)，這樣的(de)頻(pin)率(lv)有兩個(ge)，大(da)於Fs的(de)為F2，小於Fs的(de)為F1。

　最(zui)大(da)電導(dao)Gmax：壓電振子(zi)諧振時(shi)的(de)導(dao)納值的(de)實(shi)部(bu)，即(ji)“Fs"處(chu)的(de)導(dao)納實部(bu)。

　自(zi)由(you)電容CT：壓電器件在1kHz頻(pin)率(lv)下的(de)電容值(zhi)。此(ci)值(zhi)和數字(zi)電橋測(ce)得的(de)值(zhi)是壹致的(de)。這(zhe)個(ge)值減(jian)掉動(dong)態電容C1就(jiu)可(ke)以(yi)得到(dao)真正的(de)靜電容C0，使(shi)用(yong)時(shi)要(yao)以(yi)電感對C0進行(xing)平(ping)衡(heng)。在超聲(sheng)電源的(de)電路(lu)設計(ji)中(zhong)，正確(que)地平(ping)衡(heng)C0可(ke)以(yi)提(ti)高(gao)電源的(de)功(gong)率(lv)因素(su)。

主要(yao)技(ji)術參(can)數(shu)：

頻(pin)率(lv)範圍(wei)： 10Hz-20MHz

溫(wen)度：-160℃-1000℃

信(xin)號源(yuan)位準(zhun)： 10mV ~ 2V / 200μA ~ 20mA

基(ji)本阻抗(kang)量測(ce)精度：±0.05%

自(zi)動電平(ping)控制(zhi)：（ALC）功(gong)能

輸(shu)出(chu)阻(zu)抗(kang)：25Ω/100Ω可(ke)切(qie)換(huan)

功(gong)能擴展(zhan)：除基(ji)本量測(ce)及繪(hui)圖(tu)分(fen)析功(gong)能，更支持(chi)介(jie)電及導(dao)磁系數量測

開路(lu)／短(duan)路(lu)／負(fu)載(zai)校(xiao)正(zheng)功(gong)能

電表模(mo)式下(xia)最(zui)多(duo)可(ke)選擇四(si)個組(zu)件參(can)數(shu)：，電感值及DCR 值(zhi)可(ke)同(tong)時(shi)量(liang)測和顯示(shi)

自(zi)動組(zu)件分(fen)類：比較(jiao)器功能及Handler 接(jie)口(kou)BIN 分(fen)類功(gong)能

內建直流(liu)偏置(zhi)電壓： -12到(dao)+12V

USB/ GPIB/ LAN/RS232 接(jie)口，實現(xian)快(kuai)速(su)自(zi)動化與數據(ju)存(cun)取功能

PC 聯(lian)機：數(shu)據(ju)分(fen)析軟(ruan)件

超低(di)功耗(hao)：< 30W，無(wu)風扇(shan)設(she)計(ji)

探(tan)頭(tou)：鉑(bo)銥(yi)金電極

測(ce)試(shi)信(xin)號電壓範圍(wei): 10mV - 2Vrms

電壓最(zui)小(xiao)分(fen)辨率(lv): 1mV