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        1. 當前位(wei)置:首頁(ye)  >  產(chan)品(pin)中心  >  光電學(xue)測試(shi)系(xi)統(tong)  >  
          • TF Analyzer 2000E鐵(tie)電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi)
            TF Analyzer 2000E鐵電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi)

            TF ANALYZER 2000E是壹款(kuan)擴(kuo)展性的模(mo)塊(kuai)化鐵電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi),具備(bei)鐵(tie)電、壓(ya)電、熱(re)釋(shi)電材(cai)料(liao)所(suo)有(you)基(ji)本特性測試(shi)功能,可(ke)與(yu)激光幹涉儀(yi)和(he)SPM掃描(miao)探針(zhen)顯微鏡等(deng)微位移(yi)傳感(gan)器(qi)聯用(yong),可(ke)廣(guang)泛地應用(yong)於如(ru)各(ge)種鐵電/壓(ya)電/熱(re)釋(shi)電薄(bo)膜(mo)、厚膜(mo)、體(ti)材(cai)料(liao)和(he)電子(zi)陶(tao)瓷、鐵(tie)電傳感(gan)器(qi)/執行器/存(cun)儲器等(deng)領域的研究(jiu)。

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          • TF Analyzer 1000鐵(tie)電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi)
            TF Analyzer 1000鐵電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi)

            鐵電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi) TF Analyzer 1000 TF ANALYZER 1000是壹款(kuan)緊湊型鐵電壓(ya)電分(fen)析(xi)儀(yi),具備(bei)鐵(tie)電、壓(ya)電材(cai)料(liao)所(suo)有(you)基(ji)本特性測試(shi)功能,可(ke)與(yu)激光幹涉儀(yi)和(he)SPM掃描(miao)探針(zhen)顯微鏡等(deng)微位移(yi)傳感(gan)器(qi)聯用(yong),適(shi)用(yong)於薄(bo)膜(mo)、厚膜(mo)和(he)塊狀陶(tao)瓷及(ji)鐵(tie)電器(qi)件(jian)等(deng)分析(xi)測試(shi)。

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          • FeRAM鐵(tie)電隨(sui)機(ji)存儲器測試(shi)儀(yi)
            FeRAM鐵電隨(sui)機(ji)存儲器測試(shi)儀(yi)

            內(nei)存(cun)窗口信息(xi)是基(ji)於(yu)對(dui)器(qi)件(jian)*集(ji)成(cheng)後進行模(mo)擬(ni)電滯回(hui)線測量(liang)後得出(chu)的。 應用(yong)領域: 鐵(tie)電存(cun)儲(chu)器的生(sheng)產(chan) 生(sheng)產(chan)過程(cheng)中的質量(liang)控(kong)制(zhi),以(yi)便(bian)不會影響(xiang)到CMOS生(sheng)產(chan)過程(cheng) 在(zai)MHz的操作(zuo)速度下,單(dan)級電滯回(hui)線數據(ju) 優點: 生(sheng)產(chan)過程(cheng)的工藝優化(hua) 在(zai)MHz範圍(wei)的時間影響(xiang)測試(shi) 適(shi)用(yong)於2T-2C 設計(ji)和(he)1T-1C設計(ji)

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          • 鐵(tie)電遲(chi)豫電流測試(shi)儀(yi) aixPES-RX
            鐵電遲(chi)豫電流測試(shi)儀(yi) aixPES-RX

            本設備主要(yao)用(yong)來研(yan)究電子(zi)陶(tao)瓷材(cai)料(liao)的遲(chi)豫性能,也就(jiu)是介(jie)電體(ti)和(he)鐵電材(cai)料(liao)的極(ji)化和(he)去極(ji)化電流的,即施加(jia)電壓(ya)階(jie)躍後的電流響應(ying)。該測試(shi)能將材(cai)料(liao)的馳豫(yu)電流和(he)漏電流分開,並(bing)可(ke)記(ji)錄極(ji)化響(xiang)應電流和(he)去極(ji)化響(xiang)應電流。 技(ji)術說(shuo)明:

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          • 雙(shuang)光束激光幹涉儀(yi) aixDBLI
            雙(shuang)光束激光幹涉儀(yi) aixDBLI

            雙(shuang)光束激光幹涉儀(yi)專(zhuan)門(men)用(yong)於壓(ya)電薄(bo)膜(mo)的蝴(hu)蝶(die)曲(qu)線和(he)縱(zong)向壓(ya)電系(xi)數d33的測試(shi)。 這(zhe)壹臺(tai)適(shi)合於(yu)從小(xiao)尺寸(cun)薄(bo)膜(mo)到8英寸(cun)晶(jing)圓表(biao)征(zheng)的雙(shuang)光束激光幹涉儀(yi)。 半自動的系(xi)統(tong)用(yong)於8“晶(jing)圓上(shang)的MEMS器件(jian)的壓(ya)電性和(he)電性相關性能的測試(shi)。 大(da)量(liang)樣(yang)品(pin)測試(shi)的重復(fu)精度可(ke)達(da)2%以(yi)上。

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          • 熱(re)釋(shi)電性能測試(shi)儀(yi) aixPYM
            熱(re)釋(shi)電性能測試(shi)儀(yi) aixPYM

            熱(re)釋(shi)電性能測試(shi)儀(yi) aixPYM (Pyroelectric Measurement) 本系(xi)統(tong)主要(yao)用(yong)於薄(bo)膜(mo)及(ji)塊體(ti)材(cai)料(liao)變(bian)溫(wen)的熱(re)釋(shi)電性能測試(shi)。 薄膜(mo)材(cai)料(liao)變(bian)溫(wen)範圍:-196℃到+600℃; 塊體(ti)材(cai)料(liao)變(bian)溫(wen)範圍:室(shi)溫(wen)到200℃、室溫(wen)到600℃、室溫(wen)到800℃、-100℃到+600℃、-184℃到+315℃五(wu)種夾(jia)具可(ke)選(xuan)。

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