描(miao)述(shu)：TF ANALYZER 2000E是壹(yi)款(kuan)擴(kuo)展性(xing)的(de)模塊化鐵(tie)電(dian)壓(ya)電(dian)分析(xi)儀，具備鐵(tie)電(dian)、壓(ya)電(dian)、熱(re)釋電(dian)材料所(suo)有基本(ben)特(te)性測試功(gong)能(neng)，可與激光幹(gan)涉儀和SPM掃描(miao)探針(zhen)顯(xian)微(wei)鏡(jing)等微(wei)位(wei)移(yi)傳(chuan)感(gan)器聯(lian)用(yong)，可廣泛地應(ying)用(yong)於(yu)如各種鐵(tie)電(dian)/壓(ya)電(dian)/熱(re)釋電(dian)薄(bo)膜(mo)、厚(hou)膜、體材(cai)料和(he)電(dian)子陶(tao)瓷(ci)、鐵(tie)電(dian)傳(chuan)感(gan)器/執行器(qi)/存(cun)儲器等領(ling)域(yu)的(de)研(yan)究(jiu)。

鐵(tie)電(dian)壓(ya)電(dian)分析(xi)儀 TF Analyzer 2000E

TF ANALYZER 2000E是(shi)壹(yi)款(kuan)擴(kuo)展性(xing)的(de)模塊化鐵(tie)電(dian)壓(ya)電(dian)分析(xi)儀，具備鐵(tie)電(dian)、壓(ya)電(dian)、熱(re)釋電(dian)材料所(suo)有基本(ben)特(te)性測試功(gong)能(neng)，可與激光幹(gan)涉儀和SPM掃描(miao)探針(zhen)顯(xian)微(wei)鏡(jing)等微(wei)位(wei)移(yi)傳(chuan)感(gan)器聯(lian)用(yong)，可廣泛地應(ying)用(yong)於(yu)如各種鐵(tie)電(dian)/壓(ya)電(dian)/熱(re)釋電(dian)薄(bo)膜(mo)、厚(hou)膜、體材(cai)料和(he)電(dian)子陶(tao)瓷(ci)、鐵(tie)電(dian)傳(chuan)感(gan)器/執行器(qi)/存(cun)儲器等領(ling)域(yu)的(de)研(yan)究(jiu)。

模塊化設計的(de)TF Analyzer 2000 E具有優(you)異(yi)的(de)擴(kuo)展性(xing)。

· FE模塊-鐵(tie)電(dian)標準測試；

· MR模塊-磁(ci)阻和鐵(tie)性(xing)材料測試；

· RX模塊-弛(chi)豫電(dian)流測試；

· DR模塊-自放(fang)電(dian)測試。

測試基本(ben)單元(yuan)：包括內(nei)置完整(zheng)的(de)專用(yong)計算機(ji)主機(ji)和測試版路(lu)、運算放(fang)大(da)器、數(shu)據處理單元(yuan)等，Windows 7 操(cao)作系統(tong)、鐵(tie)電(dian)分析(xi)儀專用(yong)測試軟件等。

FE模塊標準測試功(gong)能(neng)：
Dynamic Hysteresis 動(dong)態電(dian)滯回(hui)線(xian)測試頻(pin)率(lv)（標準FE模塊0.001Hz~5kHz）； 
Static Hysterestic 靜(jing)態電(dian)滯回(hui)線(xian)測試； 
PUND 脈(mai)沖測試；
Fatigue 疲勞測試；
Retention 保持力；
Imprint 印(yin)跡(ji)；
Leakage current漏電(dian)流測試；
Thermo Measurement 變溫(wen)測試功(gong)能(neng)。

FE模塊可選(xuan)測試功(gong)能(neng)：
C-V curve電(dian)容(rong)-電(dian)壓(ya)曲線(xian)； 
Piezo Measurement壓(ya)電(dian)性能(neng)測試； 
Pyroelectric Measurement熱(re)釋電(dian)性能(neng)測試； 
In-situ Compensation 原(yuan)位補(bu)償(chang)；
DLCC 動(dong)態漏電(dian)流補(bu)償(chang)功能(neng)。

技(ji)術說(shuo)明：
電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)： +/- 25 V（可(ke)選(xuan)的(de)附加(jia)高壓(ya)放(fang)大(da)器可(ke)擴(kuo)展至(zhi)+/- 10KV）； 
電(dian)滯頻(pin)率(lv)：5 kHz（標準FE模塊）；
最(zui)小脈沖寬(kuan)度(du)：2 μs；
最(zui)小上(shang)升時(shi)間：1 μs；
電(dian)流放(fang)大(da)範(fan)圍(wei)：1pA～1A；
最(zui)大(da)負(fu)荷(he)電(dian)容(rong)：1μF；
輸(shu)出電(dian)流峰(feng)值：+/-1 A。

可(ke)擴(kuo)展部(bu)件：
高壓(ya)放(fang)大(da)器、激(ji)光幹(gan)涉儀、AFM、溫(wen)度(du)控制器(qi)、薄(bo)膜(mo)探(tan)針冷(leng)熱(re)臺(tai)、變溫(wen)塊(kuai)體(ti)樣(yang)品盒、塊體(ti)變溫(wen)爐(lu)、薄(bo)膜(mo)e31測試平(ping)臺(tai)、超導磁(ci)體(ti)、PPMS等。

MR模塊是用(yong)來(lai)研(yan)究(jiu)磁(ci)阻和鐵(tie)性(xing)材料的(de)。
此(ci)模塊提供(gong)連(lian)續電(dian)流激勵(li)和測試，樣(yang)品上(shang)的(de)電(dian)壓(ya)降(jiang)通(tong)過高精度(du)四點(dian)測試。

RX模塊是用(yong)來(lai)研(yan)究(jiu)介(jie)電(dian)體和(he)鐵(tie)電(dian)材料的(de)極化和(he)去極化電(dian)流的(de)，即施(shi)加(jia)電(dian)壓(ya)階躍(yue)後(hou)的(de)電(dian)流響應(ying)。
該(gai)測試能(neng)將材料的(de)馳豫電(dian)流和漏電(dian)流分開，並(bing)可記錄極(ji)化響(xiang)應(ying)電(dian)流和去極化響(xiang)應(ying)電(dian)流。

DR模塊用(yong)於(yu)研(yan)究(jiu)電(dian)介質(zhi)材料的(de)自漏電(dian)性。
由(you)於(yu)測試條(tiao)件(jian)非常(chang)接近(jin)實(shi)際情況，因(yin)此(ci)通(tong)過這(zhe)種方(fang)式可容(rong)易(yi)地測試應(ying)用(yong)於(yu)DRAM材(cai)料的(de)合(he)適性(xing)。

針(zhen)對工業方(fang)面(mian)的(de)應(ying)用(yong)，TF Analyzer 2000E提(ti)供(gong)了(le)256個自動測試的(de)通(tong)道(dao)，大(da)大(da)擴(kuo)展了(le)該(gai)儀器的(de)測試功(gong)能(neng)。

以(yi)上(shang)所有的(de)模塊可根據您(nin)的(de)測試需求以及科(ke)研(yan)方(fang)向(xiang)進行獨立選(xuan)擇(ze)或(huo)者(zhe)任(ren)意組合(he)。