描(miao)述：雙光(guang)束(shu)激(ji)光(guang)幹涉儀專門(men)用於(yu)壓(ya)電(dian)薄(bo)膜的蝴蝶曲線和(he)縱(zong)向壓(ya)電(dian)系(xi)數(shu)d33的(de)測試。
這(zhe)壹臺適合(he)於從小(xiao)尺(chi)寸薄膜到8英(ying)寸晶圓(yuan)表(biao)征的雙(shuang)光(guang)束(shu)激(ji)光(guang)幹涉儀。
半(ban)自(zi)動的(de)系(xi)統用於(yu)8“晶(jing)圓(yuan)上的(de)MEMS器(qi)件的壓(ya)電(dian)性(xing)和(he)電(dian)性(xing)相(xiang)關(guan)性(xing)能(neng)的(de)測(ce)試。
大(da)量(liang)樣品(pin)測試的(de)重復精(jing)度(du)可達2%以上。

雙光(guang)束(shu)激(ji)光(guang)幹涉儀 aixDBLI
(Double Beam Laser Interferometer)

雙光(guang)束(shu)激(ji)光(guang)幹涉儀專門(men)用於(yu)壓(ya)電(dian)薄(bo)膜的蝴蝶曲線和(he)縱(zong)向壓(ya)電(dian)系(xi)數(shu)d33的測(ce)試。
這壹(yi)臺適合(he)於從小(xiao)尺(chi)寸薄膜到8英寸晶圓(yuan)表(biao)征的雙(shuang)光(guang)束(shu)激(ji)光(guang)幹涉儀。
半(ban)自(zi)動的(de)系(xi)統用於(yu)8"晶圓(yuan)上的(de)MEMS器件的壓(ya)電(dian)性(xing)和(he)電(dian)性(xing)相(xiang)關(guan)性(xing)能(neng)的(de)測(ce)試。
大(da)量(liang)樣品(pin)測試的(de)重復精(jing)度(du)可達2%以上。

測試功能(neng)：
機(ji)電(dian)大(da)信號(hao)應(ying)變、極化(hua)、壓(ya)電(dian)系(xi)數(shu)、小(xiao)信號(hao)介(jie)電(dian)常(chang)數(shu)。
疲(pi)勞和(he)電(dian)性(xing)及(ji)機(ji)械性(xing)能(neng)可靠(kao)性(xing)。

樣品(pin)測試：
極化(hua)曲線和(he)位移曲線。
小信(xin)號電(dian)容(rong)及(ji)壓(ya)電(dian)系(xi)數(shu)。

技術(shu)參數：
分辨(bian)率(lv)： ≤1 pm（X晶向的(de)石(shi)英(ying)）
測量(liang)範圍：5pm- +/- 25nm
波長(chang)：632.8nm
位移/應(ying)力測試：>50Hz，最小(xiao)1Hz分辨(bian)率(lv)，100mV到10V（可選(xuan)到200V）
壓(ya)電(dian)d33系(xi)數(shu)：
  基電(dian)壓(ya)100mV到10V（1mHz到1Hz），可選(xuan)到200V
  小信(xin)號100mV到10V（1kHz到5kHz）
C-V測試：
  基電(dian)壓(ya)100mV到10V（1mHz到1Hz），可選(xuan)到200V
小信(xin)號100mV到10V（1kHz到5kHz）