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          • 電(dian)卡效(xiao)應(ying)測試(shi)儀(yi) ECM (ElectroCalori
            電(dian)卡效(xiao)應(ying)測試(shi)儀(yi) ECM (ElectroCalori

            電(dian)卡效(xiao)應(ying)測試(shi)儀(yi) ECM$n(ElectroCaloric Measurement)$n$n本(ben)系統(tong)除了(le)可以(yi)測(ce)試(shi)材(cai)料(liao)的鐵電(dian)、壓電(dian)、熱釋電(dian)性能(neng)外(wai),還(hai)可以(yi)用(yong)於測(ce)試(shi)材(cai)料(liao)在(zai)寬溫(wen)度(du)範圍(wei)內(nei)的電(dian)卡性能(neng)。$n$n電(dian)卡測(ce)試(shi)性能(neng)參(can)數(shu):$n溫(wen)度(du)範圍(wei): -50℃到(dao)200℃$n溫(wen)度(du)靈(ling)敏(min)度(du): 20mK

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          • SWXWY-600型(xing)*材(cai)料(liao)高低溫(wen)應(ying)變測量系統
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            SWXWY-600型*材(cai)料(liao)高低溫(wen)三維(wei)顯(xian)微(wei)應(ying)變測量系統系統(tong)——光(guang)學顯(xian)微(wei)鏡(jing)和(he)DIC數(shu)字(zi)圖像(xiang)相(xiang)關(guan)技(ji)術(shu)的結合(he),可以(yi)滿(man)足納(na)米(mi)級精度(du)測(ce)量(liang)需(xu)求。SWXWY-600型(xing)*材(cai)料(liao)三(san)維(wei)顯(xian)微(wei)應(ying)變測量系統系統(tong)彌(mi)補(bu)了傳統(tong)設(she)備(bei)無法進(jin)行微小(xiao)物體變形(xing)測量(liang)的不足,成(cheng)為(wei)微觀尺(chi)度(du)領(ling)域(yu)變形(xing)應(ying)變測量的壹(yi)個有(you)力工具(ju)。該設(she)備(bei)對(dui)於*材(cai)料(liao)各(ge)種參(can)數(shu)的測量,如(ru):楊氏模(mo)量(liang)、泊松(song)比、彈(dan)塑性,微(wei)觀應(ying)變等,對(dui)於材(cai)料(liao)的研究有(you)著重要(yao)作用(yong)。

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          • RRAM阻變式(shi)存(cun)儲器(qi)測(ce)試(shi)儀(yi)
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            應(ying)用領(ling)域(yu)主(zhu)要(yao)有(you): Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電(dian)/多鐵隧(sui)道結 Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電(dian)化反應(ying)存(cun)儲器(qi) Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁(ci)阻隧(sui)道結 Electronic Effect Memory (EE

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            aixPES壓電(dian)材(cai)料(liao)綜合(he)表(biao)征系(xi)統 本(ben)系統(tong)主(zhu)要(yao)用於壓(ya)電(dian)塊體陶瓷樣品的全(quan)面電(dian)性能(neng)和(he)機(ji)電(dian)性能(neng)的表征。 大信號(hao)和小(xiao)信號(hao)材(cai)料(liao)的特征可以(yi)在(zai)壹(yi)定溫(wen)度(du)範圍(wei)內(nei)表征。樣品上的電(dian)流響應(ying)測量是(shi)通(tong)過(guo)精確(que)的虛(xu)擬(ni)接(jie)地(di)方(fang)法衡量(liang)電(dian)壓激(ji)勵(li)信號(hao)。樣品(pin)的微位移同(tong)時(shi)通過激(ji)光(guang)幹涉(she)儀(yi)進(jin)行測量(liang)。

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          • aixPES-DR鐵(tie)電(dian)自放電(dian)測試(shi)儀(yi)
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            本(ben)設(she)備(bei)主(zhu)要(yao)用來研究電(dian)介質(zhi)材(cai)料(liao)的自漏電(dian)性。 由(you)於測(ce)試(shi)條(tiao)件(jian)非(fei)常(chang)接(jie)近(jin)實(shi)際(ji)情況,因(yin)此通過(guo)這種方式可容(rong)易地(di)測(ce)試(shi)應(ying)用於DRAM材(cai)料(liao)的合(he)適(shi)性。 技(ji)術(shu)說明(ming):

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          • TF Analyzer 3000鐵(tie)電(dian)壓電(dian)分析(xi)儀(yi)
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            TF Analyzer 3000鐵電(dian)壓電(dian)分析(xi)儀(yi) TF ANALYZER 3000E是(shi)壹(yi)款擴展性的高速(su)型模(mo)塊(kuai)化鐵(tie)電(dian)壓電(dian)分析(xi)儀(yi),具(ju)備(bei)鐵電(dian)、壓電(dian)、熱釋電(dian)材(cai)料(liao)所有(you)基本(ben)特性測(ce)試(shi)功(gong)能,可與(yu)激(ji)光(guang)幹涉(she)儀(yi)和(he)SPM掃描探針(zhen)顯微(wei)鏡(jing)等(deng)微(wei)位移傳感(gan)器聯用,可廣(guang)泛(fan)地(di)應(ying)用於如(ru)各種鐵電(dian)/壓電(dian)/熱釋電(dian)薄(bo)膜、厚膜、體材(cai)料(liao)和(he)電(dian)子陶瓷、鐵電(dian)傳感(gan)器/執(zhi)行器/存(cun)儲器(qi)等(deng)領(ling)域(yu)的研究。

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