描(miao)述(shu)：本設備(bei)主要用來研(yan)究電(dian)介(jie)質(zhi)材料的自(zi)漏(lou)電(dian)性。
由於(yu)測試(shi)條(tiao)件(jian)非(fei)常接(jie)近(jin)實(shi)際情況，因(yin)此通(tong)過(guo)這(zhe)種(zhong)方(fang)式(shi)可(ke)容易地(di)測試(shi)應用(yong)於(yu)DRAM材料的合(he)適(shi)性。

技術說明(ming)：

廠商(shang)性質
生(sheng)產廠家(jia)
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2025-12-01
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鐵電(dian)自(zi)放(fang)電(dian)測試(shi)儀 aixPES-DR
(aixPES Self-Discharge Measurement )

QQ截圖(tu)20220209153135.png

本設備(bei)主要用來研(yan)究電(dian)介(jie)質(zhi)材料的自(zi)漏(lou)電(dian)性。
由(you)於(yu)測試(shi)條(tiao)件(jian)非(fei)常接(jie)近(jin)實(shi)際情況，因(yin)此通(tong)過(guo)這(zhe)種(zhong)方(fang)式(shi)可(ke)容易地(di)測試(shi)應用(yong)於(yu)DRAM材料的合(he)適(shi)性。

技術說明(ming)：

電(dian)壓脈(mai)沖發生(sheng)器：

· 最(zui)大(da)電(dian)壓放(fang)大(da): +/- 10 V；

· 最(zui)小(xiao)脈(mai)沖長度(du)：50 ns；

· 最(zui)大(da)脈(mai)沖長度(du)：640 μs。

開(kai)關性能(neng)：

· 激(ji)勵(li)弛豫時(shi)間(jian)<2ns；

· Ron< 50 Ω；

· Roff >1013 Ω。

高(gao)阻(zu)抗電(dian)流(liu)計：

· 輸入(ru)阻抗：1013 Ω；

· 輸入(ru)電(dian)容：30 fF。

技術說明(ming)：

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