描述：應(ying)用(yong)領(ling)域主(zhu)要(yao)有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多(duo)鐵隧(sui)道(dao)結
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化(hua)反(fan)應(ying)存(cun)儲器(qi)
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻(zu)隧(sui)道(dao)結
Electronic Effect Memory (EE

RRAM阻(zu)變式存(cun)儲器(qi)測試(shi)儀(yi)
(RRAM or ReRAM Test Systems)

本(ben)設備是世界(jie)*的阻(zu)變式存(cun)儲器(qi) （ReRAM/RRAM，Resistive Random Access Memory）測試(shi)系(xi)統。

應(ying)用(yong)領(ling)域主(zhu)要(yao)有：
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多(duo)鐵隧(sui)道(dao)結
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化(hua)反(fan)應(ying)存(cun)儲器(qi)
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁(ci)阻(zu)隧(sui)道(dao)結
Electronic Effect Memory (EEM) 電子(zi)效(xiao)應(ying)存(cun)儲器(qi)
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱(re)化存(cun)儲器(qi)
Valence Change Memory (VCM) 價變存(cun)儲器(qi)
Phase Change Memory (PCM) 相(xiang)變存(cun)儲器(qi)
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納(na)米(mi)機(ji)電存(cun)儲器(qi)
Molecular Electronic Switch 分(fen)子(zi)電子(zi)開(kai)關(guan)

電阻(zu)開關(guan)測試(shi)系(xi)統Resistive Switching Test Systems RS系(xi)列(lie)儀器(qi)是aixACCT公(gong)司*產品(pin)，用(yong)於電阻(zu)特性(xing)隨(sui)機(ji)存(cun)儲器(qi)（RRAM）和電阻(zu)開關(guan)（RS）的研究(jiu)測試(shi)。
RS系(xi)列(lie)儀器(qi)能(neng)夠提供(gong)相(xiang)當(dang)廣的範圍的測試(shi)解(jie)決方案(an)，範圍涵(han)蓋從(cong)納(na)米(mi)尺度(du)的表(biao)征(zheng)到超高速(su)器(qi)件(jian)的測試(shi)，從(cong)獨立的研發(fa)級的桌上型測試(shi)系(xi)統到半導(dao)體(ti)生(sheng)產線(xian)。

研(yan)究(jiu)及工(gong)業(ye)級(ji)系統 Research and Industry Tools
模(mo)塊化(hua)的設計理念(nian)，使(shi)得aixACCT產品(pin)可(ke)以(yi)在任(ren)何時候從(cong)基本(ben)的材料表(biao)征(zheng)工(gong)具升(sheng)級其(qi)他(ta)的選件(jian)配置(zhi)。這(zhe)提供(gong)了最(zui)大(da)的靈活性(xing)，可(ke)以(yi)使(shi)您(nin)的測試(shi)系(xi)統達到針(zhen)對您(nin)的材料或(huo)器(qi)件(jian)發(fa)展(zhan)的任(ren)何階段(duan)的特定要(yao)求(qiu)。

RRAM測試(shi)系(xi)統可以(yi)很(hen)容易的和其(qi)他(ta)設備或(huo)通(tong)用(yong)軟(ruan)件(jian)聯用(yong)，如：
從(cong)1英(ying)寸到8英(ying)寸晶圓的熱(re)臺；
用(yong)於樣品(pin)平行(xing)測試(shi)的Switchbox系(xi)統
用(yong)於晶圓掃(sao)描信(xin)息(xi)的自動(dong)晶圓探(tan)針(zhen)臺
自(zi)動(dong)性(xing)能(neng)測試(shi)序列(lie)的遠程控制(zhi)
脈沖發(fa)生(sheng)器(qi)、數字(zi)采(cai)樣示波器(qi)

aixACCT公(gong)司開發(fa)出了壹種通(tong)用(yong)的RS模(mo)塊用(yong)於電阻(zu)開關(guan)存(cun)儲器(qi)的測試(shi)。系(xi)統基於TF Analyzer 2000系(xi)統，聯用(yong)RS模(mo)塊和特定的電流(liu)監(jian)視(shi)放大器(qi)，可以(yi)滿(man)足(zu)RRAM的表(biao)征(zheng)。 系(xi)統配置(zhi)了高(gao)精(jing)度電壓和電流(liu)源(yuan)以及高級(ji)電壓、電流(liu)監(jian)視(shi)放大器(qi)。aixACCT的超快電流(liu)和電壓適應(ying)性(xing)保證(zheng)了每次(ci)電阻(zu)開關(guan)系(xi)統測試(shi)的高精(jing)度和可(ke)靠性(xing)測量(liang)。

該(gai)測試(shi)系(xi)統*兼容aixACCT的測試(shi)軟(ruan)件(jian)和選配軟(ruan)件(jian)工(gong)具，可(ke)以提供(gong)可(ke)靠性(xing)測試(shi)和數(shu)據(ju)分(fen)析(xi)及交換(huan)。

應(ying)用(yong)：
單極(ji)及(ji)雙極(ji)偏(pian)壓的I-V表(biao)征(zheng)；
電壓驅動(dong)的電流(liu)響(xiang)應(ying)測試(shi)及(ji)電流(liu)驅(qu)動(dong)的電壓響應(ying)測試(shi)；
可(ke)靠性(xing)和疲(pi)勞(lao)測試(shi)；
可(ke)編程編成程序；
可(ke)靠性(xing)和耐(nai)久(jiu)性(xing)測試(shi)

優(you)點(dian)：
壹站(zhan)式單極(ji)偏(pian)壓和雙(shuang)極(ji)偏(pian)壓電阻(zu)開關(guan)材(cai)料的綜合評價（TCM,ECM和VCM系(xi)統）；
超(chao)快響(xiang)應(ying)系統（設置(zhi)時間(jian)<100ns）；
調停(ting)過(guo)程電流(liu)電壓響應(ying)的真實電流(liu)電壓值的記(ji)錄系(xi)統；
可(ke)實現(xian)遠程訪問和腳(jiao)本(ben)控制(zhi)；
可(ke)選的數據(ju)庫(ku)連接（ODBC）方(fang)便確定材料/器(qi)件(jian)特征；
升(sheng)級服(fu)務(wu)；客(ke)戶支持(chi)