描(miao)述(shu)：TF Analyzer 3000鐵(tie)電壓電分(fen)析(xi)儀(yi)

TF ANALYZER 3000E是壹款擴(kuo)展(zhan)性的(de)高(gao)速型(xing)模(mo)塊化(hua)鐵(tie)電壓電分(fen)析(xi)儀(yi)，具(ju)備鐵(tie)電、壓電、熱釋(shi)電材(cai)料(liao)所有基(ji)本特(te)性測試(shi)功(gong)能，可(ke)與(yu)激光(guang)幹(gan)涉儀(yi)和(he)SPM掃(sao)描(miao)探(tan)針顯微鏡等(deng)微位移(yi)傳感(gan)器聯用(yong)，可廣(guang)泛地應(ying)用(yong)於如(ru)各種鐵(tie)電/壓電/熱釋(shi)電薄(bo)膜(mo)、厚(hou)膜(mo)、體(ti)材料(liao)和(he)電(dian)子陶(tao)瓷、鐵(tie)電傳感(gan)器/執(zhi)行器/存儲器等(deng)領域的(de)研究。

TF Analyzer 3000鐵(tie)電壓電分(fen)析(xi)儀(yi) 

TF ANALYZER 3000E是(shi)壹款擴(kuo)展(zhan)性的(de)高(gao)速型(xing)模(mo)塊化(hua)鐵(tie)電壓電分(fen)析(xi)儀(yi)，具(ju)備鐵(tie)電、壓電、熱釋(shi)電材(cai)料(liao)所有基(ji)本特(te)性測試(shi)功(gong)能，可(ke)與(yu)激光(guang)幹(gan)涉儀(yi)和(he)SPM掃描(miao)探(tan)針顯微鏡等(deng)微位移(yi)傳感(gan)器聯用(yong)，可廣(guang)泛地應(ying)用(yong)於如(ru)各種鐵(tie)電/壓電/熱釋(shi)電薄(bo)膜(mo)、厚(hou)膜(mo)、體(ti)材料(liao)和(he)電(dian)子陶(tao)瓷、鐵(tie)電傳感(gan)器/執(zhi)行器/存儲器等(deng)領域的(de)研究。

模塊化(hua)設計(ji)的(de)TF Analyzer 3000具(ju)有優(you)異的(de)擴(kuo)展(zhan)性。

· FE模塊-鐵(tie)電標(biao)準測試(shi)；

· MR模(mo)塊-磁阻(zu)和(he)鐵(tie)性材料(liao)測試(shi)；

· RX模(mo)塊-弛豫(yu)電流(liu)測試(shi)；

· DR模(mo)塊-自(zi)放(fang)電(dian)測試(shi)。

測試(shi)基(ji)本單元(yuan)：包括(kuo)內置(zhi)完(wan)整的(de)專用(yong)計(ji)算(suan)機(ji)主機和(he)測試(shi)版路、運(yun)算(suan)放(fang)大(da)器、數(shu)據處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)等(deng)，Windows 7 操作系統、鐵(tie)電分(fen)析(xi)儀(yi)專用(yong)測試(shi)軟(ruan)件等(deng)。

FE模塊標(biao)準測試(shi)功(gong)能：
Dynamic Hysteresis 動態(tai)電(dian)滯回線(xian)測試(shi)頻率（增(zeng)強型(xing)FE模塊250kHz，高(gao)速增(zeng)強型(xing)FE模塊1MHz）； 
Static Hysterestic 靜態電(dian)滯回線(xian)測試(shi)； 
PUND 脈(mai)沖測試(shi)；
Fatigue 疲勞(lao)測試(shi)；
Retention 保(bao)持(chi)力(li)；
Imprint 印跡；
Leakage current漏(lou)電流(liu)測試(shi)；
Thermo Measurement 變(bian)溫測試(shi)功(gong)能。

FE模塊可選測試(shi)功(gong)能：
C-V curve電容(rong)-電壓曲線； 
Piezo Measurement壓(ya)電(dian)性能測試(shi)； 
Pyroelectric Measurement熱(re)釋(shi)電性能測試(shi)； 
In-situ Compensation 原(yuan)位補償；
DLCC 動態(tai)漏(lou)電流(liu)補(bu)償功能(neng)；
Impedance Measurement 阻(zu)抗測試(shi) (僅(jin)適用(yong)於高(gao)速增(zeng)強型(xing))。

技(ji)術(shu)說(shuo)明(ming)：
電(dian)壓(ya)範圍： +/- 25 V（可選的(de)附(fu)加(jia)高(gao)壓(ya)放(fang)大(da)器可擴(kuo)展(zhan)至+/- 10KV）； 
電(dian)滯頻率：增(zeng)強型(xing)FE模塊250kHz，高(gao)速增(zeng)強型(xing)FE模塊1MHz；
最小(xiao)脈(mai)沖寬度：50ns；
最小(xiao)上升時(shi)間(jian)：10ns；
最大(da)疲勞(lao)頻率：16MHz；
電(dian)流放(fang)大(da)範圍(wei)：1pA～1A；
最大(da)負(fu)荷電(dian)容(rong)：1nF；
輸出(chu)電流(liu)峰(feng)值(zhi)：+/-1 A。

可(ke)擴(kuo)展(zhan)部(bu)件：
高(gao)壓(ya)放(fang)大(da)器、激光(guang)幹(gan)涉儀(yi)、AFM、溫度控制(zhi)器、薄膜(mo)探(tan)針冷熱臺(tai)、變(bian)溫塊體樣品(pin)盒(he)、塊體變(bian)溫爐(lu)、薄(bo)膜(mo)e31測試(shi)平臺(tai)、超(chao)導(dao)磁體(ti)、PPMS、阻(zu)抗分(fen)析(xi)儀(yi)等(deng)。

MR模塊是用(yong)來研究磁阻(zu)和(he)鐵(tie)性材料(liao)的(de)。
此(ci)模塊提供連續電(dian)流激勵(li)和(he)測試(shi)，樣品(pin)上(shang)的(de)電(dian)壓(ya)降(jiang)通(tong)過(guo)高(gao)精度四點測試(shi)。

RX模(mo)塊是用(yong)來研究介電(dian)體(ti)和(he)鐵(tie)電材料(liao)的(de)極(ji)化(hua)和(he)去極化(hua)電(dian)流(liu)的(de)，即(ji)施加(jia)電(dian)壓(ya)階躍後(hou)的(de)電(dian)流(liu)響應(ying)。
該(gai)測試(shi)能(neng)將材(cai)料(liao)的(de)馳(chi)豫(yu)電流(liu)和(he)漏(lou)電流(liu)分(fen)開(kai)，並(bing)可(ke)記錄極化(hua)響應(ying)電(dian)流(liu)和(he)去極化(hua)響應(ying)電(dian)流(liu)。

DR模塊用(yong)於研究電(dian)介質(zhi)材(cai)料(liao)的(de)自(zi)漏(lou)電性。
由於(yu)測試(shi)條(tiao)件非常(chang)接(jie)近(jin)實際情(qing)況，因(yin)此(ci)通(tong)過(guo)這(zhe)種方(fang)式可(ke)容(rong)易(yi)地測試(shi)應(ying)用(yong)於DRAM材料(liao)的(de)合(he)適性。

針對工(gong)業(ye)方(fang)面(mian)的(de)應(ying)用(yong)，TF Analyzer 3000提供了256個自(zi)動測試(shi)的(de)通(tong)道(dao)，大(da)大(da)擴(kuo)展(zhan)了該儀(yi)器的(de)測試(shi)功(gong)能。

以上所有的(de)模(mo)塊可根(gen)據您(nin)的(de)測試(shi)需(xu)求(qiu)以及科研方(fang)向進(jin)行獨(du)立選擇(ze)或者(zhe)任意組(zu)合(he)。