JKZC-UC系列(lie)高(gao)低溫(wen)探(tan)針(zhen)臺(tai)是(shi)壹(yi)款在(zai)非真(zhen)空條件下實現(xian)低溫(wen)環(huan)境(jing)的測(ce)試探(tan)針(zhen)臺(tai)。該(gai)產(chan)品(pin)釆用(yong)液(ye)氮或(huo)者(zhe)空氣(qi)壓縮(suo)機(ji)制冷(leng) ,自動(dong)控(kong)溫(wen)，設(she)備(bei)配置非常(chang)豐(feng)富(fu)。自帶(dai)屏(ping)蔽(bi)暗(an)室，壹方面(mian)可以(yi)屏(ping)蔽(bi)無(wu)線(xian)電(dian)磁幹擾，另外壹方面(mian)也(ye)可以(yi)保(bao)持(chi)氮氣(qi)正壓(ya)環境(jing)下樣(yang)品在(zai)低溫(wen)時(shi)無(wu)結(jie)霜(shuang)。此(ci)設備(bei)對於(yu)壹(yi)些(xie)有溫(wen)度(du)需(xu)求(qiu)的測(ce)試，尤(you)其是低溫(wen)，運(yun)用(yong)非常(chang)廣(guang)泛。

JKZC-DSH系列(lie)探(tan)針(zhen)臺(tai)是(shi)我(wo)司自主研(yan)發(fa)的壹款(kuan)雙(shuang)面(mian)探(tan)針(zhen)臺(tai)，最(zui)大(da)可完成12英(ying)寸晶(jing)圓(yuan)的正反(fan)面(mian)點(dian)針(zhen)測(ce)試。在(zai)具備(bei)常(chang) 規(gui)探(tan)針(zhen)臺(tai)的功能(neng)基(ji)礎上(shang),可用(yong)於(yu)晶(jing)圓(yuan)和(he)PCB板(ban)的測(ce)試，對(dui)晶(jing)圓(yuan)或(huo)者(zhe)PCB板(ban)正面(mian)和(he)背(bei)面(mian)同時紮(zha)針(zhen)以(yi)實現(xian)各種(zhong) 光/電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試需(xu)求(qiu)的測(ce)試，或(huo)背(bei)面(mian)點(dian)針(zhen)，正(zheng)面(mian)收(shou)集光線(xian)等,運(yun)用(yong)十分(fen)豐(feng)富(fu)。該(gai)定(ding)制探(tan)針(zhen)臺(tai)具(ju)有(you)優(you)良(liang)的機(ji)械(xie)系統，穩(wen)定(ding)的結(jie)構(gou)，符(fu)合(he)人體工程(cheng)學(xue)，以(yi)及(ji)多項升(sheng)級(ji)功能(neng)。

JKZC-DM系列(lie)探(tan)針(zhen)臺(tai)是(shi)我(wo)司壹款基(ji)於高(gao)校(xiao)教育與實驗室而研(yan)發(fa)的基礎(chu)型晶(jing)圓(yuan)測(ce)試探(tan)針(zhen)臺(tai)。其(qi)結(jie)構(gou)緊(jin)湊(cou)，設計精(jing)密，價(jia)格(ge)實(shi)惠(hui)，配置靈活(huo)，高(gao)性(xing)價(jia)比(bi)。在(zai)高(gao)等院校(xiao)教學(xue)和(he)小(xiao)型實驗室科(ke)研(yan)過(guo)程(cheng)中(zhong)得到了廣(guang)泛運(yun)用(yong)，配合對(dui)應(ying)的儀(yi)器(qi)儀(yi)表(biao)，用(yong)於(yu)測(ce)試各類(lei)器(qi)件的IV、CV、l-t、V-t,光電(dian)信(xin)號，1/f噪聲測(ce)試，器(qi)件表(biao)征測(ce)試，RF射(she)頻等。如 果您的測(ce)試器(qi)件pad電極大(da)於(yu)50um,此(ci)系列(lie)探(tan)針(zhen)臺(tai)。

SCD-1500型半導體(ti)C-V特(te)性(xing)分(fen)析(xi)儀(yi)創(chuang)新(xin)性地采用(yong)了雙(shuang)CPU架(jia)構(gou)、Linux底層系統、10.1英(ying)寸電(dian)容(rong)式(shi)觸(chu)摸屏(ping)、中(zhong)英(ying)文操作界(jie)面(mian)、內置(zhi)使(shi)用(yong)說明(ming)及(ji)幫助等新壹(yi)代技術(shu)，適(shi)用(yong)於(yu)生產(chan)線(xian)快速(su)分(fen)選(xuan)、自動(dong)化集成測(ce)試及(ji)滿(man)足實(shi)驗室研(yan)發(fa)及(ji)分析(xi)。半導體(ti)C-V特(te)性(xing)分(fen)析(xi)儀(yi)測(ce)試頻(pin)率為10kHz-2MHz，VGS電(dian)壓(ya)可達±40V，足(zu)以(yi)滿(man)足二(er)極管、三(san)極管、MOS管及(ji)IGBT等半導體(ti)件CV特性測(ce)試分(fen)析(xi)。

WLRYJ-300型微流控(kong)芯(xin)片(pian)真(zhen)空熱壓(ya)機(ji)是(shi)壹款應(ying)用(yong)於(yu)PMMA、PC、PP、COP、COC、BOPET、CBC、樹脂（部(bu)分(fen)）、聚乙烯(xi)（部(bu)分(fen)）等硬質(zhi)塑料(liao)芯(xin)片(pian)的鍵合(he)，是硬(ying)質(zhi)塑(su)料(liao)微流控(kong)芯(xin)片(pian)加(jia)工專(zhuan)用(yong)設(she)備(bei)。 基於(yu)MEMS技術(shu)制備(bei)的微流控(kong)芯(xin)片(pian)，其(qi)表(biao)面(mian)多種(zhong)微(wei)結(jie)構(gou)（微(wei)通道、微儲(chu)液(ye)池、微孔等）需(xu)要(yao)經過(guo)鍵合形成密封的微流路(lu)才能(neng)用(yong)於(yu)微流控(kong)分析(xi)。熱壓(ya)鍵合(he)的原理(li)是(shi)，通(tong)過(guo)外部壓(ya)力使(shi)得工件表(biao)面(mian)緊(jin)密結(jie)合(he)，依(yi)靠氫鍵形成初(chu)步鍵(jian)合，當(dang)

JYJC-3型絕緣及(ji)抗靜電(dian)材(cai)料(liao)電阻(zu)率(lv)及(ji)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu)測(ce)試儀(yi)是(shi)壹款針專(zhuan)門(men)用(yong)於(yu)絕緣及(ji)抗靜電(dian)材(cai)料(liao)電阻(zu)率(lv)及(ji)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu)測(ce)試裝(zhuang)置，采用(yong)環(huan)形三(san)電極測(ce)試可以(yi)勝(sheng)任於防靜電(dian)產(chan)品(pin)(防(fang)靜電鞋、防靜電塑(su)料(liao)橡膠制品(pin)、計(ji)算(suan)機(ji)房(fang)防靜電(dian)活(huo)動(dong)地(di)板(ban)等)電阻(zu)值(zhi)的檢測(ce);材(cai)料(liao)體電(dian)阻(zu)(率(lv))和(he)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu)(率(lv))測(ce)量，是(shi)目(mu)前(qian)電阻(zu)率(lv)及(ji)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu)測(ce)試的重要(yao)材(cai)料(liao)測(ce)試設(she)備(bei)。 壹、主(zhu)要(yao)應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)： 1、防(fang)靜(jing)電(dian)橡(xiang)膠電阻(zu)率(lv)及(ji)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu) 2、絕(jue)緣防靜(jing)電(dian)塑電阻(zu)率(lv)及(ji)表(biao)面(mian)電(dian)阻(zu)