描(miao)述：SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)創(chuang)新(xin)性(xing)地(di)采(cai)用(yong)了(le)雙(shuang)CPU架構(gou)、Linux底(di)層(ceng)系統(tong)、10.1英(ying)寸(cun)電(dian)容(rong)式觸(chu)摸(mo)屏、中英(ying)文操作界(jie)面(mian)、內置使用(yong)說(shuo)明(ming)及(ji)幫(bang)助(zhu)等(deng)新(xin)壹代(dai)技(ji)術，適用(yong)於(yu)生(sheng)產線(xian)快(kuai)速分(fen)選、自(zi)動(dong)化集(ji)成測(ce)試及(ji)滿(man)足實驗(yan)室(shi)研發(fa)及(ji)分(fen)析(xi)。半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)測(ce)試頻率(lv)為10kHz-2MHz，VGS電(dian)壓(ya)可(ke)達(da)±40V，足以滿(man)足二(er)極(ji)管(guan)、三(san)極(ji)管(guan)、MOS管(guan)及(ji)IGBT等(deng)半(ban)導體件(jian)CV特性(xing)測(ce)試分(fen)析(xi)。

SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)

關鍵(jian)詞(ci)：半(ban)導體，C-V特(te)性(xing)，集成電(dian)路

SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)創(chuang)新(xin)性(xing)地(di)采(cai)用(yong)了(le)雙(shuang)CPU架構(gou)、Linux底(di)層(ceng)系統(tong)、10.1英(ying)寸(cun)電(dian)容(rong)式觸(chu)摸(mo)屏、中英(ying)文操作界(jie)面(mian)、內置使用(yong)說(shuo)明(ming)及(ji)幫(bang)助(zhu)等(deng)新(xin)壹代(dai)技(ji)術，適用(yong)於(yu)生(sheng)產線(xian)快(kuai)速分(fen)選、自(zi)動(dong)化集(ji)成測(ce)試及(ji)滿(man)足實驗(yan)室(shi)研發(fa)及(ji)分(fen)析(xi)。半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)測(ce)試頻率(lv)為10kHz-2MHz，VGS電(dian)壓(ya)可(ke)達(da)±40V，足以滿(man)足二(er)極(ji)管(guan)、三(san)極(ji)管(guan)、MOS管(guan)及(ji)IGBT等(deng)半(ban)導體件(jian)CV特性(xing)測(ce)試分(fen)析(xi)。

壹(yi)、主(zhu)要(yao)應用(yong)範圍：

半(ban)導體元(yuan)件(jian)/功率(lv)元件(jian)
二(er)極(ji)管(guan)、三(san)極(ji)管(guan)、MOSFET、IGBT、晶閘(zha)管(guan)、集(ji)成電(dian)路、光(guang)電(dian)子(zi)芯片(pian)等(deng)寄生(sheng)電(dian)容(rong)測(ce)試、C-V特(te)性(xing)分析(xi)

半(ban)導體材(cai)料(liao)
晶圓(yuan)、C-V特(te)性(xing)分析(xi)

液(ye)晶材料
彈(dan)性(xing)常(chang)數(shu)分(fen)析(xi)

二(er)、性(xing)能(neng)特(te)點(dian)：

通道：2（可(ke)擴展(zhan)至(zhi)6）

高偏(pian)置：VGS：0 - ±40V，VDS：0–200V,1500V,3000V

雙(shuang)CPU架構(gou)，最(zui)短積(ji)分(fen)時間0.56ms（1800次(ci)/秒）

10.1英(ying)寸(cun)電(dian)容(rong)式觸(chu)摸(mo)屏，分辨率(lv)1280*800，Linux系統(tong)

點(dian)測(ce)、列(lie)表(biao)掃(sao)描(miao)、圖(tu)形掃(sao)描(miao)(選件(jian))三種測(ce)試方(fang)式

四寄生(sheng)參數(shu)（Ciss、Coss、Crss、Rg）同(tong)屏顯示(shi)

快(kuai)速導(dao)通測(ce)試Cont

壹(yi)體(ti)化(hua)設計(ji)：LCR+高壓(ya)源+繼電(dian)器矩(ju)陣(zhen)

快(kuai)速充電(dian)，縮短電(dian)容(rong)充電(dian)時間，實現(xian)快(kuai)速測(ce)試

自(zi)動(dong)延時設置(zhi)

10檔分選(xuan)

三(san)、功(gong)能(neng)特(te)點(dian)

A.單(dan)點(dian)測(ce)試，10.1英(ying)寸(cun)大(da)屏，四種寄生(sheng)參數(shu)同(tong)屏顯示(shi)，讓(rang)細節(jie)壹覽(lan)無遺

10.1英(ying)寸(cun)觸(chu)摸(mo)屏、1280*800分辨率(lv)，Linux系統(tong)、中(zhong)英(ying)文操作界(jie)面(mian)，支持鍵盤、鼠(shu)標、LAN接(jie)口，帶(dai)來(lai)了(le)無以倫(lun)比的(de)操作便捷(jie)性(xing)。

MOSFET最(zui)重(zhong)要(yao)的(de)四個寄生(sheng)參數(shu)：Ciss、Coss、Crss、Rg在同壹(yi)個界(jie)面(mian)直接顯(xian)示(shi)測(ce)量(liang)結(jie)果(guo)，並(bing)將四個參數(shu)測(ce)試等(deng)效電(dian)路圖(tu)同時顯示(shi)，壹目(mu)了(le)然(ran)。

多(duo)至(zhi)6個通道測(ce)量(liang)參(can)數(shu)可(ke)快(kuai)速調(tiao)用(yong)，分(fen)選(xuan)結(jie)果(guo)在同壹(yi)界(jie)面(mian)直接顯(xian)示(shi)。

B.列(lie)表(biao)測(ce)試，靈活組(zu)合(he)

SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)支持最多(duo)6個通道、4個測(ce)量(liang)參(can)數(shu)的(de)測(ce)試及(ji)分(fen)析(xi)，列(lie)表(biao)掃(sao)描(miao)模式(shi)支持不(bu)同通道、不(bu)同參數(shu)、不(bu)同測(ce)量(liang)條(tiao)件(jian)任意(yi)組(zu)合(he)，並(bing)可(ke)設置(zhi)極(ji)限(xian)範圍，並顯(xian)示(shi)測(ce)量(liang)結(jie)果(guo) 。

C.曲(qu)線(xian)掃(sao)描(miao)功能(neng)（選(xuan)件(jian)）

SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)支持C-V特性(xing)曲線(xian)分(fen)析(xi)，可(ke)以(yi)對(dui)數(shu)、線(xian)性(xing)兩(liang)種方(fang)式實現(xian)曲(qu)線(xian)掃(sao)描(miao)，可(ke)同(tong)時顯示(shi)多(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)：同(tong)壹(yi)參(can)數(shu)、不(bu)同Vg的(de)多(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)；同(tong)壹(yi)Vg、不(bu)同參數(shu)多(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian) 。

。

C.曲(qu)線(xian)掃(sao)描(miao)功能(neng)（選(xuan)件(jian)）

SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)支持C-V特性(xing)曲線(xian)分(fen)析(xi)，可(ke)以(yi)對(dui)數(shu)、線(xian)性(xing)兩(liang)種方(fang)式實現(xian)曲(qu)線(xian)掃(sao)描(miao)，可(ke)同(tong)時顯示(shi)多(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)：同(tong)壹(yi)參(can)數(shu)、不(bu)同Vg的(de)多(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)；同(tong)壹(yi)Vg、不(bu)同參數(shu)多(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian) 。

D.簡單快(kuai)捷(jie)設置(zhi)

E.10檔分選(xuan)及(ji)可(ke)編程(cheng)HANDLER接口

儀(yi)器(qi)提(ti)供了(le)10檔分選(xuan)，為客戶產品(pin)質量(liang)分(fen)級(ji)提(ti)供了(le)可(ke)能(neng)，分(fen)選(xuan)結(jie)果(guo)直接輸(shu)出至(zhi)HANDLER接(jie)口。

在與(yu)自(zi)動(dong)化設備(bei)連接(jie)時，怎(zen)麽配(pei)置HANDLER接(jie)口輸(shu)出，壹(yi)直是(shi)自(zi)動(dong)化客戶的(de)難題，TH510系列(lie)將HANDLER接(jie)口腳(jiao)位、輸(shu)入(ru)輸(shu)出方(fang)式、對(dui)應信號、應答(da)方(fang)式等(deng)可(ke)視化，讓(rang)自(zi)動(dong)化連(lian)接更(geng)簡單。

F.支持定制(zhi)化(hua)，智(zhi)能(neng)固件(jian)升級(ji)方(fang)式

SCD-1500型(xing)半(ban)導體C-V特(te)性(xing)分析(xi)儀(yi)客戶而言是(shi)開放的(de)，儀器(qi)所有(you)接口、指(zhi)令(ling)集均(jun)為開放(fang)設計(ji)，客戶可(ke)自(zi)行(xing)編程(cheng)集成或進行(xing)功(gong)能(neng)定制(zhi)，定制(zhi)功(gong)能(neng)若(ruo)無硬(ying)件(jian)更(geng)改，可(ke)直接通過固件(jian)升級(ji)方(fang)式更(geng)新(xin)。

儀(yi)器(qi)本(ben)身功能(neng)完(wan)善(shan)、BUG解(jie)決、功(gong)能(neng)升級(ji)等，都(dou)可(ke)以(yi)通過升級(ji)固件(jian)(Firmware)來(lai)進行(xing)更(geng)新(xin)，而無需返(fan)廠進行(xing)。

固件(jian)升級(ji)非(fei)常(chang)智能(neng)，可(ke)以(yi)通過系統(tong)設置(zhi)界(jie)面(mian)或者文件(jian)管(guan)理(li)界(jie)面(mian)進行(xing)，智(zhi)能(neng)搜(sou)索儀器(qi)內存(cun)、外接優(you)盤(pan)甚(shen)至(zhi)是(shi)局域(yu)網內升級(ji)包，並自(zi)動(dong)進行(xing)升級(ji)

G.半(ban)導體元(yuan)件(jian)寄生(sheng)電(dian)容(rong)知(zhi)識

在高頻電(dian)路中，半(ban)導體器(qi)件(jian)的(de)寄生(sheng)電(dian)容(rong)往往會(hui)影(ying)響半(ban)導體的(de)動(dong)態特性(xing)，所以在設計(ji)半(ban)導體元(yuan)件(jian)時需要考(kao)慮下(xia)列(lie)因數(shu)在高頻電(dian)路設計(ji)中往(wang)往需要(yao)考(kao)慮二(er)極(ji)管(guan)結(jie)電(dian)容(rong)帶來(lai)的(de)影(ying)響；MOS管(guan)的(de)寄生(sheng)電(dian)容(rong)會(hui)影(ying)響管(guan)子(zi)的(de)動(dong)作時間、驅動(dong)能(neng)力(li)和(he)開(kai)關損(sun)耗(hao)等(deng)多(duo)方(fang)面(mian)特(te)性(xing)；寄生(sheng)電(dian)容(rong)的(de)電(dian)壓(ya)依(yi)賴性(xing)在電(dian)路設計(ji)中也(ye)是(shi)至(zhi)關重(zhong)要(yao)，以MOSFET為例(li)。

技(ji)術(shu)參(can)數(shu)

1、通道：2通道（可(ke)擴展(zhan)6通道）

2、顯(xian)示(shi)：液晶顯示(shi)，觸(chu)摸(mo)屏

3、 測(ce)量(liang)參(can)數(shu)：C、L、X、B、R、G、D、Q、ESR、Rp、θ、|Z|、|Y|

4、測(ce)試頻率(lv)：10kHz-2MHz

5、 精(jing)度(du)：0.01%

6、分(fen)辨率(lv)：10mHz  1.00000kHz-9.99999kHz

7、電(dian)壓(ya)範圍：5mVrms-2Vrms

8、精(jing)度(du)：±（10%×設定值+2mV）

9、 VGS電(dian)壓(ya)： ±40V，準確(que)度(du)：1%×設定電(dian)壓(ya)+8Mv,分辨率(lv);1mV(0V-±10V)

10、 VDS電(dian)壓(ya)：0 - 200V

11、精(jing)度(du)：1%×設定電(dian)壓(ya)+100mV

12、 1%×設定電(dian)壓(ya)+100mV

13、輸(shu)出阻(zu)抗(kang)：100Ω，±2%@1kHz

14、軟(ruan)件(jian)：C-V特性(xing)曲線(xian)分(fen)析(xi)，對(dui)數(shu)、線(xian)性(xing)兩(liang)種方(fang)式實現(xian)曲(qu)線(xian)掃(sao)描(miao)