MLCC-600型陶(tao)瓷(ci)電容器介電溫譜(pu)測試儀是壹款(kuan)應用(yong)於(yu)電子材料研究(jiu)，例如在陶瓷(ci)電容器、鐵電材料、壓電材料等電子材料的測試研究(jiu)，通過(guo)介電溫譜(pu)測試可以確(que)定(ding)鐵(tie)電材料的居(ju)裏(li)溫度(du)，評(ping)估(gu)其在不同(tong)溫(wen)度(du)下的介電性能(neng)，從(cong)而(er)為(wei)電子器件的設計和(he)制造(zao)選擇(ze)合適的材料。是目前研究(jiu)優良材料的重要(yao)科研(yan)設備(bei)。

JKZC-BMZD01型(xing)薄膜介電常數(shu)（ε）及(ji)損耗測試儀（tgd）是目(mu)前(qian)針(zhen)對PVDF薄膜材料，是壹款(kuan)真(zhen)正意義上(shang)的絕(jue)緣(yuan)薄(bo)膜材料介電常數(shu)及(ji)介質損耗測試儀。是目(mu)前(qian)能(neng)夠處理(li)的介電常數(shu)（ε）和(he)介損（tgd）的圖譜(pu)。GB/T1693-2007主要用於(yu)測量(liang)高壓工業(ye)絕(jue)緣(yuan)材料的介質損耗角的正切值及(ji)電容量(liang)。其(qi)采(cai)用(yong)了(le)西(xi)林電橋(qiao)的經(jing)典線(xian)路。主要可以測(ce)量(liang)電容器，互感器，變(bian)壓器，各(ge)種電工油(you)及(ji)各(ge)種固體絕(jue)緣(yuan)材料在工頻(pin)高壓下的介質損耗

JKZC-BMZD01型(xing)薄(bo)膜介電常數(shu)及(ji)損耗測試儀是壹款(kuan)針(zhen)對薄膜測(ce)試的專用設備(bei)，測(ce)試薄膜介電常數(shu)及(ji)損耗需要特制(zhi)的夾具，通過(guo)軟(ruan)件可以采(cai)集(ji)到(dao)介損（tgd）及介電常數(shu)（ε）器件的介電性能(neng)測量(liang)與(yu)分(fen)析，可測試以下參(can)數(shu)隨(sui)頻(pin)率(lv)(f)、電平(V)、偏(pian)壓(Vi)的變(bian)化規(gui)律：電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(kang)(Z)、相(xiang)位(wei)角(jiao)(Ø)、電導(dao)(B)、導(dao)納(na)(Y)、損耗(D)、品(pin)質(zhi)因(yin)數(shu)(Q)等(deng)參(can)數(shu)，同(tong)時計算獲得反(fan)

PV520A-S超(chao)聲(sheng)元件阻抗(kang)分析(xi)儀是由清華大學自(zi)動化系和(he)中(zhong)國(guo)科學(xue)院(yuan)聲(sheng)學所共同(tong)研(yan)制(zhi)開(kai)發的。測試如下以及(ji)十(shi)多(duo)個參(can)數(shu)：諧振(zhen)頻(pin)率(lv) Fs 、大電導(dao) Gmax 、帶(dai)F2-F1 、反諧振(zhen)頻(pin)率(lv) Fp 、品(pin)質(zhi)因(yin)數(shu) Qm 、自(zi)由電容 CT 、動(dong)態電阻 R1 、動(dong)態電感L1 、動(dong)態電容 C1 、靜(jing)態電容 C0 、有(you)效機(ji)電耦合系數(shu) Keff 。用(yong)於(yu)壓電超(chao)聲(sheng)器件和設(she)備的檢測綜合性解決方(fang)案.也(ye)是(shi)目(mu)前(qian)高校和生(sheng)產單(dan)位(wei)的重要(yao)檢測(ce)儀

TSDC-100型(xing)高低溫(wen)熱刺激電流(liu)測(ce)量(liang)儀(yi),熱(re)激勵去(qu)極(ji)化(hua)電流(liu)測(ce)量(liang)系(thermally stimulated depolar-ization currents,簡寫為(wei)TSDC或(huo)TSC)是(shi)電介質材料在受(shou)熱過程(cheng)中(zhong)建(jian)立(li)極(ji)化態或(huo)解除極(ji)化態時(shi)所(suo)產(chan)生的短(duan)路電流(liu)。基(ji)本(ben)方法是將(jiang)試樣(yang)夾(jia)在兩(liang)電極之間(jian)，加(jia)熱到(dao)壹定(ding)溫(wen)度(du)使樣(yang)品(pin)中(zhong)的載流(liu)子(zi)激(ji)發，然(ran)後施加(jia)壹個(ge)直(zhi)流(liu)的極化電壓，經(jing)過壹段(duan)時(shi)間使樣(yang)品(pin)充(chong)分(fen)極化(hua)，以便載流(liu)子(zi)向(xiang)電極漂移(yi)或(huo)偶(ou)極子(zi)

JKZC-BMZD01型薄(bo)膜介電常數(shu)及(ji)損耗測試儀是壹款(kuan)針(zhen)對薄膜測(ce)試的專用設備(bei)，測(ce)試薄膜介電常數(shu)及(ji)損耗需要特制(zhi)的夾具，通過(guo)軟(ruan)件可以采(cai)集(ji)到(dao)介損（tgd）及介電常數(shu)（ε）器件的介電性能(neng)測量(liang)與(yu)分(fen)析，可測試以下參(can)數(shu)隨(sui)頻(pin)率(lv)(f)、電平(V)、偏(pian)壓(Vi)的變(bian)化規(gui)律：電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(kang)(Z)、相(xiang)位(wei)角(jiao)(Ø)、電導(dao)(B)、導(dao)納(na)(Y)、損耗(D)、品(pin)質(zhi)因(yin)數(shu)(Q)等(deng)參(can)數(shu)，同(tong)時計算