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        1. 當前(qian)位置:首(shou)頁(ye)  >  產(chan)品中心  >  先進材料(liao)測(ce)試儀器  >  介(jie)電測試  >  JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀
          型號(hao):
          JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀

          描述:JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀是壹(yi)款(kuan)針(zhen)對(dui)薄(bo)膜(mo)測試的(de)專(zhuan)用設(she)備(bei),測試薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)需要(yao)特制(zhi)的(de)夾(jia)具(ju),通過(guo)軟(ruan)件(jian)可以(yi)采集(ji)到(dao)介(jie)損(tgd)及介(jie)電常數(ε)器件(jian)的(de)介(jie)電性能(neng)測(ce)量與分(fen)析,可測(ce)試以下(xia)參數(shu)隨(sui)頻(pin)率(f)、電平(V)、偏(pian)壓(ya)(Vi)的(de)變化(hua)規律(lv):電容(C)、電感(gan)(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(kang)(Z)、相位角(Ø)、電導(B)、導納(Y)、損(sun)耗(hao)(D)、品質因數(shu)(Q)等(deng)參數(shu),同(tong)時(shi)計算

          • 廠商性(xing)質

            生(sheng)產(chan)廠家
          • 更新(xin)時(shi)間(jian)

            2025-12-02
          • 訪(fang)問量

            933
          詳(xiang)細介(jie)紹
          品牌(pai)其他(ta)品牌(pai)產(chan)地類別國(guo)產(chan)
          應用領域(yu)環保(bao),能(neng)源,電子/電池(chi),航空航天,綜(zong)合(he)

          JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數ε)及損(sun)耗(hao)測試儀tgd)

          關鍵(jian)詞(ci):介(jie)電常數ε),損耗(hao)測(ce)試儀tgd),品質因數(shu)(Q),頻(pin)率(f)

          JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀

           

               JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數ε)及損(sun)耗(hao)測試儀tgd)是目(mu)前(qian)針對(dui)PVDF薄(bo)膜(mo)材料(liao),是(shi)壹(yi)款(kuan)真(zhen)正(zheng)意義(yi)上(shang)的(de)絕緣薄(bo)膜(mo)材料(liao)介(jie)電常數及介(jie)質損(sun)耗(hao)測試儀。是目前(qian)能(neng)夠處理的(de)介(jie)電常數(ε)和(he)介(jie)損(tgd)的(de)圖譜。GB/T1693-2007主(zhu)要(yao)用於(yu)測(ce)量高(gao)壓(ya)工業(ye)絕緣材料(liao)的(de)介(jie)質損(sun)耗(hao)角的(de)正(zheng)切值及(ji)電容量。其采用(yong)了(le)西林(lin)電橋(qiao)的(de)經(jing)典(dian)線(xian)路(lu)。主(zhu)要(yao)可以(yi)測(ce)量電容器,互感(gan)器(qi),變壓(ya)器(qi),各(ge)種(zhong)電工油(you)及(ji)各(ge)種(zhong)固體絕緣(yuan)材料(liao)在(zai)工頻(pin)高壓(ya)下(xia)的(de)介(jie)質損(sun)耗(hao)( tgd)和(he)電容量( Cx)以(yi),其測(ce)量線(xian)路(lu)采用(yong)“正(zheng)接(jie)法"即測(ce)量對(dui)地(di)絕緣的(de)試品。電橋(qiao)由(you)橋(qiao)體、指另(ling)儀、跟(gen)蹤器(qi)組成(cheng),本(ben)電橋(qiao)特(te)別(bie)適應測量各(ge)類絕緣(yuan)油和(he)絕(jue)緣(yuan)材料(liao)的(de)介(jie)損(tgd)及介(jie)電常數(ε)。

             JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀是壹(yi)款(kuan)針(zhen)對(dui)薄(bo)膜(mo)測試的(de)專(zhuan)用設(she)備(bei),測試薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)需要(yao)特制(zhi)的(de)夾(jia)具(ju),通過(guo)軟(ruan)件(jian)可以(yi)采集(ji)到(dao)介(jie)損(tgd)及介(jie)電常數(ε)器件(jian)的(de)介(jie)電性能(neng)測(ce)量與分(fen)析,可測(ce)試以下(xia)參數(shu)隨(sui)頻(pin)率(f)、電平(V)、偏(pian)壓(ya)(Vi)的(de)變化(hua)規律(lv):電容(C)、電感(gan)(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(kang)(Z)、相位角(Ø)、電導(B)、導納(Y)、損(sun)耗(hao)(D)、品質因數(shu)(Q)等(deng)參數(shu),同(tong)時(shi)計算獲得反(fan)應材料(liao)介(jie)電性能(neng)的(de)復介(jie)電常數和(he)損(sun)耗(hao)參數(shu)。

           

                   薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數(ε)         薄(bo)膜(mo)介(jie)損(tgd)圖譜(pu)

          JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀 

           

          JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數及損(sun)耗(hao)測(ce)試儀 

          三(san)電極結構(gou)設(she)計:

          微調千分尺(chi):微調千分尺(chi)具備(bei)0.001mm的(de)調節精(jing)度(du),可精(jing)細(xi)化(hua)調節上(shang)下(xia)電極之(zhi)間(jian)的(de)距(ju)離(li)。

          平行板測(ce)試電極:下(xia)電極固定在(zai)底(di)部(bu)支(zhi)撐(cheng)座(zuo),上(shang)電極可由(you)微調千分尺(chi)調節行(xing)程距(ju)離(li)。上電極帶有保(bao)護(hu)電極。

          上電極片:上電極標(biao)配(pei)有2mm球頭(tou)電極、φ26.8mm圓片電極和(he)φ38mm圓片電極。可根(gen)據樣(yang)品大(da)小隨(sui)時(shi)更換。

          鎖緊(jin)裝(zhuang)置:當樣(yang)品放入上(shang)下(xia)電極之(zhi)間(jian)後,可調節此(ci)鎖(suo)緊裝置,固定上(shang)下(xia)電極的(de)調節行(xing)程。防止(zhi)輕微移(yi)動(dong)引(yin)起(qi)的(de)刻(ke)度(du)偏(pian)差(cha)。

          嚴格按照(zhao)ASTM D150國際標(biao)準設(she)計,電極表(biao)面鍍(du)金處理(li),導電性能(neng)好(hao)、抗(kang)氧化(hua),使(shi)用(yong)壽(shou)命更長(chang)

          壹(yi)、真正(zheng)的(de)三(san)電極設(she)計

          介(jie)電夾(jia)具(ju)基(ji)於(yu)ASTM D150標(biao)準試驗(yan)方法,采用(yong)三(san)電極法設(she)計。上(shang)電極+下(xia)電極+保(bao)護(hu)電極,電極表(biao)面鍍(du)金處理(li),導電性能(neng)好(hao)、抗(kang)氧化(hua)。為(wei)消除測(ce)試連接(jie)線阻抗(kang)及連接(jie)線之(zhi)間(jian)相互耦(ou)合(he)對(dui)測(ce)試的(de)影(ying)響(xiang),儀(yi)器(qi)與夾(jia)具(ju)電極連接(jie)采用(yong)4端(duan)對(dui)法。

          得益(yi)於測(ce)試線纜(lan)和(he)電極引線的(de)良好屏(ping)蔽(bi),屏蔽(bi)層(ceng)直達(da)測試電極,因此(ci)獲得更高(gao)的(de)校準頻(pin)率。

          2.校準頻(pin)率最高(gao)可達(da)100MHz

          適配(pei)的(de)阻抗(kang)分析儀(yi)更加豐(feng)富,充分(fen)利(li)用測(ce)試儀器的(de)測試頻(pin)率範圍(20Hz-120MHz),以滿足測試樣品對(dui)更高(gao)頻(pin)率的(de)要(yao)求(qiu)。

          3.高精(jing)度(du)調節行(xing)程

          適配(pei)高(gao)精度(du)微調千分尺(chi),可調精度為(wei)0.001mm,

          上電極可調行程為(wei)12mm,並(bing)帶(dai)有鎖(suo)緊(jin)裝(zhuang)置,可有效鎖(suo)定當前(qian)刻(ke)度(du)位置,確保(bao)測(ce)試的(de)穩定性(xing)和(he)準確性。

          標(biao)配(pei)26.8/38mm尺(chi)寸電極片,可滿足不同(tong)尺(chi)寸樣(yang)品測(ce)量,樣(yang)品(pin)安裝方(fang)便(bian)、簡單

          主(zhu)要(yao)技術(shu)參數(shu):

          1、測試頻(pin)率:DC~100MHz

          2、樣品(pin)要(yao)求(qiu):雙面塗覆(fu)電極,保(bao)持(chi)平整、光(guang)滑

          3、樣品(pin)尺(chi)寸:2mm≤φ≤60mm,厚(hou)度(du)≤10mm

          4、電極圓片:無。有效面積:樣(yang)品上(shang)下(xia)塗覆(fu)電極垂(chui)直重疊部(bu)分面積

          5、誤差(cha)分析:存在(zai)邊緣電容,樣品表(biao)面凹陷(xian)處被導電體填充

          6、測試接口(kou):4個SMA母(mu)頭

          7、上電極:φ2mm球頭電極+φ26.8mm圓片電極+φ38mm圓片電極

          8、保(bao)護(hu)電極:上電極帶保(bao)護(hu)電極,電極表(biao)面鍍(du)金

          9、上電極壓(ya)力調節:12mm行(xing)程調節,用(yong)於(yu)上電極與樣(yang)品良(liang)好的(de)電性能(neng)接(jie)觸

          10、帶電極樣品尺(chi)寸:2mm≤φ≤60mm,厚(hou)度(du)≤10m

          11、設(she)計標(biao)準:ASTM D150和(he)D2149-97國(guo)際標(biao)準,GB/T1409-2006國(guo)家(jia)標(biao)準

          12、電極結構(gou):兩(liang)平行板電極+保(bao)護(hu)電極,三(san)電極結構(gou)

          13、電極引線:同(tong)軸屏(ping)蔽(bi)線,消除電磁(ci)幹擾(rao)對(dui)測(ce)試影(ying)響(xiang)

          14、下(xia)電極:φ60mm鍍(du)金圓片電極

          15、上電極行程調節:12mm行(xing)程調節,用(yong)於(yu)樣品安裝

          16、數據(ju)存儲(chu):數(shu)據(ju)庫(ku)保(bao)存各(ge)類實驗(yan)數據,同時(shi)輸出TXT、XLS、BMP等(deng)格式(shi)文(wen)件(jian),對(dui)實(shi)驗(yan)數據提(ti)供豐富的(de)查(zha)詢(xun)與分(fen)析,輸出圖(tu)形與數(shu)據。

           

           


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