描(miao)述：JKZC-BMZD01型薄膜介(jie)電常數（ε）及(ji)損耗測(ce)試(shi)儀(yi)（tgd）是(shi)目(mu)前針(zhen)對PVDF薄膜(mo)材(cai)料(liao)，是(shi)壹(yi)款(kuan)真正(zheng)意義(yi)上(shang)的絕(jue)緣(yuan)薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)介(jie)電常數及(ji)介(jie)質(zhi)損耗測(ce)試(shi)儀(yi)。是(shi)目(mu)前能夠(gou)處(chu)理的介(jie)電常數（ε）和(he)介(jie)損（tgd）的圖譜(pu)。GB/T1693-2007主(zhu)要(yao)用(yong)於(yu)測量(liang)高壓(ya)工(gong)業(ye)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)的介(jie)質(zhi)損耗角(jiao)的正(zheng)切(qie)值(zhi)及(ji)電(dian)容量(liang)。其采(cai)用了(le)西林(lin)電橋(qiao)的經典(dian)線路(lu)。主要(yao)可以測(ce)量(liang)電容器，互感(gan)器，變(bian)壓(ya)器，各(ge)種(zhong)電(dian)工(gong)油(you)及(ji)各(ge)種(zhong)固體(ti)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)在(zai)工(gong)頻(pin)高壓(ya)下(xia)的介(jie)質(zhi)損耗

JKZC-BMZD01型薄膜介(jie)電常數（ε）及(ji)損耗測(ce)試(shi)儀(yi)（tgd）

關(guan)鍵詞：介(jie)電常數（ε），損耗測(ce)試(shi)儀(yi)（tgd），品(pin)質(zhi)因數(Q)，頻(pin)率(f)

 JKZC-BMZD01型(xing)薄(bo)膜介(jie)電常數（ε）及(ji)損耗測(ce)試(shi)儀(yi)（tgd）是(shi)目(mu)前針(zhen)對PVDF薄膜(mo)材(cai)料(liao)，是(shi)壹(yi)款(kuan)真正(zheng)意義(yi)上(shang)的絕(jue)緣(yuan)薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)介(jie)電常數及(ji)介(jie)質(zhi)損耗測(ce)試(shi)儀(yi)。是(shi)目(mu)前能夠(gou)處(chu)理的介(jie)電常數（ε）和(he)介(jie)損（tgd）的圖譜(pu)。GB/T1693-2007主(zhu)要(yao)用(yong)於(yu)測量(liang)高壓(ya)工(gong)業(ye)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)的介(jie)質(zhi)損耗角(jiao)的正(zheng)切(qie)值(zhi)及(ji)電(dian)容量(liang)。其采(cai)用了(le)西林(lin)電橋(qiao)的經典(dian)線路(lu)。主要(yao)可以測(ce)量(liang)電容器，互感(gan)器，變(bian)壓(ya)器，各(ge)種(zhong)電(dian)工(gong)油(you)及(ji)各(ge)種(zhong)固體(ti)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)在(zai)工(gong)頻(pin)高壓(ya)下(xia)的介(jie)質(zhi)損耗( tgd)和(he)電容量(liang)( Cx)以，其(qi)測(ce)量(liang)線路(lu)采用(yong)“正(zheng)接(jie)法"即(ji)測(ce)量(liang)對地絕(jue)緣(yuan)的試(shi)品。電(dian)橋由橋體(ti)、指另儀(yi)、跟(gen)蹤器組成(cheng)，本電橋(qiao)特別適應(ying)測(ce)量(liang)各(ge)類(lei)絕(jue)緣(yuan)油(you)和(he)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料(liao)的介(jie)損（tgd）及介(jie)電常數（ε）。

  JKZC-BMZD01型(xing)薄(bo)膜介(jie)電常數及(ji)損耗測(ce)試(shi)儀(yi)是(shi)壹(yi)款(kuan)針(zhen)對薄膜(mo)測(ce)試(shi)的專(zhuan)用設備(bei)，測試(shi)薄膜(mo)介(jie)電常數及(ji)損耗需(xu)要(yao)特(te)制(zhi)的夾具，通(tong)過(guo)軟(ruan)件可以采(cai)集(ji)到(dao)介(jie)損（tgd）及介(jie)電常數（ε）器件的介(jie)電性能測(ce)量(liang)與(yu)分析(xi)，可測(ce)試(shi)以下(xia)參數隨頻(pin)率(f)、電(dian)平(ping)(V)、偏(pian)壓(ya)(Vi)的變(bian)化規律(lv)：電(dian)容(C)、電感(gan)(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位(wei)角(jiao)(Ø)、電導(dao)(B)、導(dao)納(na)(Y)、損耗(D)、品(pin)質(zhi)因數(Q)等(deng)參(can)數，同(tong)時(shi)計算獲得反(fan)應(ying)材(cai)料(liao)介(jie)電性能的復介(jie)電常數和(he)損耗參(can)數。

        薄(bo)膜(mo)介(jie)電常數（ε）                薄(bo)膜(mo)介(jie)損（tgd）圖譜(pu)

三(san)電(dian)極(ji)結構(gou)設計(ji)：

微調(tiao)千分尺(chi)：微(wei)調千分尺(chi)具(ju)備0.001mm的調節精度，可精細化調節上(shang)下(xia)電極(ji)之(zhi)間的距(ju)離。

平(ping)行(xing)板測(ce)試(shi)電極(ji)：下(xia)電極(ji)固定在(zai)底(di)部(bu)支(zhi)撐(cheng)座，上(shang)電(dian)極(ji)可由微調(tiao)千分尺(chi)調(tiao)節行(xing)程距(ju)離。上(shang)電(dian)極(ji)帶(dai)有保(bao)護(hu)電極(ji)。

上(shang)電(dian)極(ji)片(pian)：上(shang)電(dian)極(ji)標(biao)配(pei)有2mm球(qiu)頭(tou)電極(ji)、φ26.8mm圓(yuan)片電(dian)極(ji)和(he)φ38mm圓片(pian)電極(ji)。可根(gen)據樣品(pin)大小(xiao)隨時更(geng)換。

鎖緊裝(zhuang)置：當樣品(pin)放入上(shang)下(xia)電極(ji)之(zhi)間後，可調(tiao)節(jie)此(ci)鎖(suo)緊裝(zhuang)置，固定上(shang)下(xia)電極(ji)的調節行(xing)程。防止(zhi)輕微(wei)移(yi)動(dong)引(yin)起(qi)的刻度偏差(cha)。

嚴(yan)格按照ASTM D150國(guo)際(ji)標(biao)準設計(ji)，電極(ji)表(biao)面(mian)鍍(du)金處(chu)理，導(dao)電性能好(hao)、抗氧化，使(shi)用(yong)壽命更(geng)長

壹(yi)、真正(zheng)的三(san)電(dian)極(ji)設計(ji)

介(jie)電夾(jia)具基(ji)於(yu)ASTM D150標(biao)準試(shi)驗方(fang)法，采(cai)用三(san)電(dian)極(ji)法(fa)設計(ji)。上(shang)電(dian)極(ji)+下(xia)電極(ji)+保(bao)護(hu)電極(ji)，電(dian)極(ji)表(biao)面(mian)鍍(du)金處(chu)理，導(dao)電性能好(hao)、抗氧化。為(wei)消(xiao)除(chu)測試(shi)連接(jie)線阻抗及連接(jie)線之(zhi)間相互(hu)耦合(he)對測試(shi)的影響(xiang)，儀(yi)器與(yu)夾具(ju)電極(ji)連(lian)接(jie)采用4端(duan)對法。

得益(yi)於(yu)測試(shi)線纜(lan)和(he)電極(ji)引(yin)線的良好(hao)屏蔽(bi)，屏(ping)蔽(bi)層直達(da)測試(shi)電，因(yin)此(ci)獲(huo)得更(geng)高(gao)的校準頻(pin)率。

2.校(xiao)準頻(pin)率最(zui)高可達(da)100MHz

適(shi)配(pei)的阻抗分析儀(yi)更(geng)加(jia)豐富(fu)，充(chong)分(fen)利用測(ce)試(shi)儀(yi)器的測試(shi)頻(pin)率範(fan)圍(wei)（20Hz-120MHz），以滿(man)足測(ce)試(shi)樣品(pin)對更高(gao)頻(pin)率的要求。

3.高(gao)精度調節(jie)行(xing)程

適(shi)配(pei)高(gao)精度微調(tiao)千(qian)分尺(chi)，可調(tiao)精度為(wei)0.001mm，

上(shang)電(dian)極(ji)可調(tiao)行(xing)程為(wei)12mm，並帶有鎖(suo)緊裝(zhuang)置，可有效(xiao)鎖定當前刻度位(wei)置，確(que)保(bao)測(ce)試(shi)的穩(wen)定性和(he)準確性。

標(biao)配(pei)26.8/38mm尺(chi)寸(cun)電極(ji)片(pian)，可滿(man)足不(bu)同(tong)尺(chi)寸(cun)樣品(pin)測量(liang)，樣品(pin)安(an)裝(zhuang)方(fang)便(bian)、簡單

主要技(ji)術參(can)數：

1、測(ce)試(shi)頻(pin)率：DC~100MHz

2、樣品(pin)要求：雙(shuang)面(mian)塗(tu)覆電極(ji)，保(bao)持(chi)平(ping)整(zheng)、光(guang)滑(hua)

3、樣品(pin)尺(chi)寸(cun)：2mm≤φ≤60mm，厚度≤10mm

4、電極(ji)圓(yuan)片：無。有效(xiao)面(mian)積(ji)：樣品(pin)上(shang)下(xia)塗(tu)覆電極(ji)垂(chui)直重(zhong)疊部(bu)分面(mian)積(ji)

5、誤(wu)差(cha)分(fen)析(xi)：存在(zai)邊緣(yuan)電(dian)容，樣品(pin)表(biao)面(mian)凹(ao)陷(xian)處(chu)被導(dao)電體(ti)填充

6、測試(shi)接(jie)口：4個SMA母頭(tou)

7、上(shang)電(dian)極(ji)：φ2mm球(qiu)頭(tou)電極(ji)+φ26.8mm圓(yuan)片電(dian)極(ji)+φ38mm圓(yuan)片電(dian)極(ji)

8、保(bao)護(hu)電極(ji)：上(shang)電(dian)極(ji)帶(dai)保(bao)護(hu)電極(ji)，電(dian)極(ji)表(biao)面(mian)鍍(du)金

9、上(shang)電(dian)極(ji)壓(ya)力(li)調(tiao)節(jie)：12mm行(xing)程調(tiao)節(jie)，用於(yu)上(shang)電(dian)極(ji)與(yu)樣品(pin)良好(hao)的電性能接(jie)觸

10、帶電極(ji)樣品(pin)尺(chi)寸(cun)：2mm≤φ≤60mm，厚度≤10m

11、設計(ji)標(biao)準：ASTM D150和(he)D2149-97國際(ji)標(biao)準，GB/T1409-2006國家標(biao)準

12、電極(ji)結構(gou)：兩(liang)平(ping)行(xing)板電(dian)極(ji)+保(bao)護(hu)電極(ji)，三(san)電(dian)極(ji)結構(gou)

13、電(dian)極(ji)引(yin)線：同軸屏蔽(bi)線，消(xiao)除(chu)電磁(ci)幹擾(rao)對測試(shi)影響(xiang)

14、下(xia)電極(ji)：φ60mm鍍(du)金圓(yuan)片電極(ji)

15、上(shang)電(dian)極(ji)行(xing)程調(tiao)節(jie)：12mm行(xing)程調(tiao)節(jie)，用於(yu)樣品(pin)安(an)裝(zhuang)

16、數據存儲(chu)：數據庫(ku)保(bao)存各(ge)類(lei)實(shi)驗(yan)數據，同時(shi)輸(shu)出TXT、XLS、BMP等(deng)格式文(wen)件，對實驗(yan)數據提(ti)供(gong)豐富(fu)的查詢(xun)與(yu)分析(xi)，輸出圖形與(yu)數據。