
當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi):首頁 > 產(chan)品中心(xin) > 先(xian)進材(cai)料(liao)測試儀器(qi) > 介(jie)電測(ce)試 > TSDC-100型(xing)高(gao)低溫熱刺(ci)激(ji)電流(liu)測(ce)量儀

廠(chang)商性(xing)質(zhi)
生(sheng)產(chan)廠(chang)家更新(xin)時(shi)間(jian)
2025-12-02訪(fang)問量
760
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詳細(xi)介(jie)紹
| 品牌 | 其(qi)他(ta)品牌 | 產(chan)地類別(bie) | 國(guo)產(chan) |
|---|---|---|---|
| 應用(yong)領域(yu) | 環保,能(neng)源(yuan),電子(zi)/電池(chi),航(hang)空航(hang)天(tian),綜合 |
TSDC-100型(xing)高(gao)低溫熱刺(ci)激(ji)電流(liu)測(ce)量儀|熱激(ji)勵去(qu)極(ji)化(hua)電流(liu)測(ce)量系統
關鍵詞(ci):熱刺(ci)激(ji)電流(liu),電壓(ya),TSDC,TSD

壹(yi)、設(she)備概述(shu):
TSDC-100型(xing)高(gao)低溫熱刺(ci)激(ji)電流(liu)測(ce)量儀,熱激(ji)勵去(qu)極(ji)化(hua)電流(liu)測(ce)量系(thermally stimulated depolar-ization currents,簡寫(xie)為(wei)TSDC或(huo)TSC)是電介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)在(zai)受(shou)熱過程中建(jian)立(li)極(ji)化(hua)態(tai)或解除極(ji)化(hua)態(tai)時(shi)所(suo)產(chan)生(sheng)的短(duan)路電流(liu)。基(ji)本方法(fa)是(shi)將(jiang)試樣(yang)夾在(zai)兩(liang)電極(ji)之間(jian),加(jia)熱到壹(yi)定(ding)溫度使樣品中的載流(liu)子激(ji)發(fa),然後(hou)施(shi)加(jia)壹(yi)個(ge)直(zhi)流(liu)的極(ji)化(hua)電壓(ya),經(jing)過(guo)壹(yi)段(duan)時(shi)間(jian)使(shi)樣(yang)品充分極(ji)化(hua),以便載流子(zi)向(xiang)電極(ji)漂移或(huo)偶極(ji)子充(chong)分取向(xiang),隨後(hou)立即(ji)降溫到低(di)溫,使各(ge)類極(ji)化(hua)“凍(dong)結",然後(hou)以等速(su)率升溫,同時(shi)記(ji)錄(lu)試樣(yang)經(jing)檢(jian)流(liu)計(ji)短(duan)路的去(qu)極(ji)化(hua)電流(liu)隨溫度的變(bian)化(hua)關系,即(ji)得(de)到(dao)TSDC譜(pu)。通(tong)過(guo)TSDC譜(pu)研(yan)究介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)中(zhong)偶極(ji)子和可動(dong)離(li)子的性(xing)質(zhi)、激(ji)活能(neng)(或(huo)xian阱(jing)深(shen)度)、以及弛豫時(shi)間(jian)(壽(shou)命(ming))等。
二(er)、應(ying)用(yong)
★材(cai)料(liao)特征(zheng)測試
★半導體、納米(mi)材料(liao)、聚合物(wu)材(cai)料、介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)、電化(hua)學(xue)材料(liao)、鐵(tie)電材(cai)料(liao)、石(shi)墨烯(xi)、陶(tao)瓷(ci)、生(sheng)物(wu)材(cai)料、橡(xiang)膠(jiao)、薄膜(mo)、金(jin)屬(shu)、有機材料等
★電子(zi)元器(qi)件(jian)泄(xie)漏(lou)電流(liu)和絕緣電阻(zu)測(ce)試
電容(rong)器(qi)、電阻(zu)器(qi)、二(er)極(ji)管、晶(jing)體(ti)管、傳(chuan)感(gan)器(qi)、TFT和CNT等類型(xing)、光(guang)電器(qi)件(jian)、納(na)米(mi)器(qi)件(jian)、太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)、開(kai)關、繼(ji)電器(qi)等
三(san)、產(chan)品主要特(te)點(dian):
1、在(zai)同壹(yi)空間內(nei)可有 2 條(tiao)通(tong)道(dao)
2、最寬(kuan)的電壓(ya)和電流(liu)動(dong)態(tai)範(fan)圍
3、高(gao)度準確(que)的 100 µs 脈(mai)沖可(ke)擴(kuo)展(zhan)直流生(sheng)產(chan)測試能(neng)力(li)
4、嵌(qian)入式(shi)腳(jiao)本(ben)提供(gong)生(sheng)產(chan)吞(tun)吐量(liang)
5、消(xiao)除(chu)與 PC 之間(jian)耗(hao)時(shi)的總線(xian)通(tong)信
6、高(gao)級數據(ju)處(chu)理和流量(liang)控(kong)制
7、通(tong)用(yong)型(xing)探頭/處理程序控(kong)制
8、系統性(xing)能(neng),無主機
9、TSP-Link® 技(ji)術支(zhi)持(chi)擴(kuo)展多(duo)達 64 條(tiao)通(tong)道(dao),支持(chi)高(gao)速(su)、SMU-per-pin 並行(xing)測試(而(er)不使(shi)用(yong)主機)。 <500 ns 時(shi)所(suo)有(you)通(tong)道(dao)同時(shi)獨(du)立(li)受(shou)控(kong)。
10、支持(chi) <500 ns 通(tong)道(dao)間同步
11、可(ke)達(da) 32 條(tiao)或(huo) 64 條(tiao)獨(du)立(li) SMU 通(tong)道(dao)
12、隨著(zhe)測試要求(qiu)變(bian)化(hua)輕(qing)松(song)重(zhong)新(xin)配置(zhi)
四(si)、技(ji)術參數:
1、熱刺(ci)激(ji)電壓(ya):±10KV
2、溫度測量範(fan)圍:-160°C-600°C
3、升(sheng)溫速(su)率:0.5℃--10℃/min
4、電壓(ya)量(liang)程(DC):10V/50V/100V/250V/500V/1000V
5、樣(yang)品架:自(zi)動(dong)升(sheng)降
6、加(jia)熱方式:電熱絲
7、制(zhi)冷方式:液氮(dan)
8、導熱制冷介(jie)質(zhi):二(er)甲(jia)基(ji)矽油(粘度2CS,容(rong)量(liang)10L)
9、數據(ju)采(cai)集(ji):軟(ruan)件(jian)控(kong)制,自(zi)動(dong)采(cai)集(ji),實(shi)時(shi)動(dong)態(tai)顯(xian)示曲(qu)線
10、數據(ju)保(bao)存:可導出(chu)EXEXL數據(ju)報(bao)表,生(sheng)成(cheng)電子(zi)報(bao)告
11、實驗(yan)流程:參數設定(ding)後(hou),整(zheng)個(ge)實(shi)驗(yan)過程無需(xu)人工幹(gan)預,自動(dong)完(wan)成(cheng)實驗(yan)
12、測(ce)量(liang)電極(ji)直徑(jing):10MM
13、設(she)備重量(liang):100KG
14、加(jia)熱功率:1500W
15、樣(yang)品電流(liu)、電流(liu)密(mi)度、電荷(he)變(bian)化(hua)、介(jie)電常數變(bian)化(hua)等
五(wu)、軟件(jian)介(jie)紹:
起始(shi)溫度:試驗(yan)開(kai)始(shi)溫度,需要設(she)定(ding),到(dao)達(da)此(ci)溫度後(hou),開(kai)始(shi)做(zuo)試驗(yan)
截(jie)止(zhi)溫度:試驗(yan)結束(shu)溫度,需要設(she)定(ding),到(dao)此(ci)溫度後(hou),自動(dong)結束(shu)
變(bian)溫速(su)率:設定(ding)升溫速(su)率
保持(chi)時(shi)間(jian):到(dao)達(da)設定的溫度後(hou),需要保(bao)持(chi)的時(shi)間(jian)
坐(zuo)標(biao)軸切(qie)換:以溫度/時(shi)間(jian)為(wei)坐(zuo)標(biao)軸,進行(xing)切換(huan)
驅(qu)動(dong)電壓(ya):選(xuan)擇(ze)試驗(yan)電壓(ya)
上升(sheng):電極(ji)支架(jia)上升(sheng)鍵
下降:電極(ji)支架(jia)下(xia)降鍵
允許(xu)外部(bu)控(kong)制:手(shou)動(dong)在(zai)設(she)備上進行(xing)上升(sheng)和下降,需要在(zai)軟(ruan)件(jian)上進行(xing)授權(quan)
樣(yang)品電流(liu)、電流(liu)密(mi)度、電荷(he)變(bian)化(hua)、介(jie)電常數變(bian)化(hua)等
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