新產(chan)品，新(xin)技術(shu)，新方向： 外加(jia)5000V 高(gao)壓(ya)介(jie)電(dian)常(chang)數測試(shi)系統(tong)全(quan)新上市(shi)

新產(chan)品，新(xin)技術(shu)，新方向：外加(jia)5000V 高(gao)壓(ya)介(jie)電(dian)常(chang)數測試(shi)系統(tong)全(quan)新上市(shi)

GWGYJD-1000W型高(gao)溫高(gao)壓(ya)介(jie)電(dian)測試(shi)儀(yi)（外加(jia)5000V高(gao)壓(ya)）

關鍵(jian)詞：高(gao)溫，高(gao)壓(ya)5000V，介(jie)電(dian)損(sun)耗(hao)，阻(zu)抗(kang)

     GWGY-1000W型高(gao)溫高(gao)壓(ya)介(jie)電(dian)常(chang)數測試(shi)儀(yi)是壹(yi)款(kuan)區(qu)別(bie)目前(qian)市(shi)場上(shang)高(gao)溫介(jie)電(dian)測試(shi)儀(yi)，也(ye)是研究材(cai)料介(jie)電(dian)性(xing)能(neng)的(de)新領(ling)域，采(cai)用(yong)全新(xin)技術(shu)，打破了(le)之前的(de)只(zhi)能(neng)在(zai)變溫(wen)下(xia)的頻(pin)率下(xia)測試(shi)，該(gai)設備(bei)能(neng)夠(gou)在(zai)對樣品(pin)進(jin)行(xing)高(gao)溫測試(shi)的(de)同時(shi)，給(gei)樣品(pin)加(jia)高(gao)壓(ya)，最(zui)高(gao)可達(da)5000V直流(liu)高(gao)壓(ya)，更加(jia)直觀(guan)的(de)看到樣品(pin)在(zai)外加(jia)高(gao)壓(ya)的條(tiao)件下(xia)，內(nei)部(bu)相關的性(xing)質變(bian)化(hua)，很多(duo)關(guan)於薄膜(mo)和壓(ya)電(dian)陶(tao)瓷(ci)樣品(pin)，是在(zai)外加(jia)高(gao)壓(ya)條(tiao)件下(xia)，性(xing)能(neng)會(hui)出(chu)現比較(jiao)大(da)的(de)變(bian)化，無疑給(gei)新(xin)的科(ke)研提(ti)供新的(de)研(yan)究方(fang)向(xiang)，對於研究新(xin)產(chan)品及(ji)半導(dao)體材料有(you)著(zhe)重(zhong)要(yao)作(zuo)用(yong)。也(ye)是目前高(gao)校研(yan)究和生產(chan)的重(zhong)要(yao)儀(yi)器(qi)。

壹(yi)、應用(yong)範圍(wei)

(1)介(jie)質材(cai)料：塑料、陶(tao)瓷(ci)和其(qi)它(ta)材料的介(jie)電(dian)常(chang)數和損(sun)耗(hao)角評(ping)估(gu)

(2)液(ye)晶(jing)單(dan)元(yuan)：介(jie)電(dian)常(chang)數、彈(dan)性(xing)常(chang)數等(deng)C-V特性(xing)

(3)半導(dao)體材料：半導(dao)體材料的介(jie)電(dian)常(chang)數、導(dao)電(dian)率(lv)和C-V特性(xing)

(4)半導(dao)體元(yuan)件：LED驅動(dong)集(ji)成(cheng)電(dian)路寄生(sheng)參數測試(shi)分(fen)析；變(bian)容(rong)二極(ji)管的(de)C-VDC特性(xing)；晶(jing)體管或(huo)集(ji)成(cheng)電(dian)路的寄生(sheng)參數分(fen)析(xi)

(5)無源元(yuan)件：電(dian)容(rong)器(qi)、電(dian)感器(qi)、磁(ci)芯、電(dian)阻(zu)器(qi)、壓(ya)電(dian)器(qi)件、變壓(ya)器(qi)、芯片組件和網絡(luo)元(yuan)件等(deng)的(de)阻(zu)抗(kang)參數評(ping)估(gu)和性(xing)能(neng)分(fen)析。

二、主要(yao)特點(dian)：

1、電(dian)容(rong)(C), 電(dian)感(L), 電(dian)阻(zu)(R), 電(dian)導(dao)(G), 電(dian)納(na)(B), 電(dian)抗(kang)(X), 消(xiao)耗(hao)因素(su)(D), 品質因(yin)素(su)(Q), 阻(zu)抗(kang)(Z), Y參數(Y), 相(xiang)位角(Ø)

2、高(gao)精度(du)量測：電(dian)容(rong),電(dian)感及(ji)阻(zu)抗(kang)基(ji)本(ben)精度為(wei)±0.05%.消(xiao)耗(hao)因素(su)精度為(wei)±0.0005及(ji)品(pin)質因(yin)素(su)精度(du)為(wei)±0.05%.

3、元(yuan)件圖形(xing)掃(sao)描(miao);精(jing)密阻(zu)抗(kang)分析儀(yi)不(bu)僅提(ti)供高(gao)頻率(lv),高(gao)精度(du)的量測. 該(gai)設(she)備還(hai)是壹(yi)個(ge)包(bao)含豐富特性(xing)的(de)元(yuan)件分析(xi)儀(yi).

4、圖形(xing)掃(sao)描(miao)可(ke)依(yi)據(ju)頻(pin)率(lv), 驅(qu)動(dong)值及(ji)直(zhi)流(liu)偏壓(ya)源同(tong)時(shi)在(zai)高(gao)清(qing)晰(xi),大型(xing)彩(cai)色顯(xian)示幕上顯(xian)示任意(yi)兩(liang)種(zhong)參數的(de)圖形(xing).

5、顯(xian)示格式(shi)包(bao)括 串聯 或並聯等(deng)同(tong)電(dian)路和兩極(ji)形(xing)式(shi).單(dan)測某壹(yi)頻(pin)率(lv)時(shi)可以從圖形(xing)掃(sao)描(miao)轉換(huan)成標(biao)準電(dian)表(biao)讀值模式(shi).

6、可變(bian)的輸出(chu)和偏壓(ya)源，最(zui)高(gao)達到5000V

三、符合規範(fan)：

1、GB/T 3389.7-1986壓(ya)電(dian)陶(tao)瓷(ci)材料性(xing)能(neng)測試(shi)方(fang)法

2、GBT 1409-2006 測量電(dian)氣(qi)絕(jue)緣材料在(zai)工頻(pin)、音(yin)頻、高(gao)頻(包(bao)括米(mi)波波長存內(nei))下(xia)電(dian)容(rong)率(lv)和介(jie)質損(sun)耗(hao)因數的(de)推(tui)薦(jian)方(fang)法(fa)

3、GBT 1693-2007 硫化(hua)橡膠(jiao) 介(jie)電(dian)常(chang)數和介(jie)質損(sun)耗(hao)角正切值的(de)測定(ding)方(fang)法

4、ASTM-D150-介(jie)電(dian)常(chang)數測試(shi)方(fang)法

5、GB9622.9-88/SJT 11043-1996 電(dian)子玻璃高(gao)頻介(jie)質損(sun)耗(hao)和介(jie)電(dian)常(chang)數的(de)測試(shi)方(fang)法

四、主(zhu)要(yao)技術(shu)參數：

1、溫度(du)範圍(wei)：  室溫(wen)-1000℃  測溫(wen)精(jing)度： 0.1℃

2、外加(jia)電(dian)壓(ya)：0-5000V

3、頻   率(lv)：10HZ-1MHZ,2MHZ,5MHZ,10MHZ,30MHZ可選(xuan)

4、升(sheng)溫(wen)速度： 1—20。C/min

5、控溫(wen)模式(shi)： 程序(xu)控制(zhi)，提(ti)供常(chang)溫(wen)、變(bian)溫(wen)、恒(heng)溫(wen)、升(sheng)溫(wen)、降(jiang)溫等(deng)多(duo)種(zhong)組合(he)方(fang)式(shi)

6、通訊(xun)接(jie)：   RS-485

7、溫度(du)範圍(wei)：  0—600℃，0—800℃，0—1000℃，

8、測試(shi)頻(pin)率：  200Hz—50MHz

9、電(dian)極(ji)材質：  鉑(bo)銥(yi)合金(jin)

10、上電(dian)極(ji)： 直徑(jing)1.6mm球頭電(dian)極(ji)，引線帶(dai)同軸(zhou)屏(ping)蔽(bi)層

11、下(xia)電(dian)極(ji)：  直徑(jing)26.8mm平面電(dian)極(ji)，引線帶(dai)同軸(zhou)屏(ping)蔽(bi)層

12、保(bao)護(hu)電(dian)極(ji)：    帶保(bao)護(hu)電(dian)極(ji)，消除(chu)寄生(sheng)電(dian)容(rong)、邊界(jie)電(dian)容(rong)對(dui)測試(shi)的(de)影(ying)響(xiang)

13、電(dian)極(ji)幹擾(rao)屏(ping)蔽(bi)：   電(dian)極(ji)引線帶(dai)同軸(zhou)屏(ping)蔽(bi)，樣品(pin)平臺帶(dai)屏(ping)蔽罩

14、夾具升(sheng)降(jiang)控制(zhi)：   帶(dai)程序(xu)和手動(dong)控制(zhi)，可(ke)更換(huan)夾具的電(dian)動(dong)升(sheng)降(jiang)裝(zhuang)置(zhi)

15、熱(re)電(dian)偶(ou)：  熱(re)電(dian)偶(ou)探頭與樣品(pin)平臺為(wei)同(tong)壹(yi)熱(re)沈，測控溫(wen)度(du)與樣品(pin)溫度(du)保(bao)持壹(yi)致(zhi)

16、無電(dian)極(ji)樣品(pin)尺寸：      直徑(jing)小(xiao)於40mm，厚(hou)度(du)小(xiao)於8mm

17、帶電(dian)極(ji)樣品(pin)尺寸：      直徑(jing)小(xiao)於26mm，厚(hou)度(du)小(xiao)於8mm

18、軟件功能(neng)：自(zi)動(dong)分析(xi)數據(ju)，可(ke)以(yi)分(fen)類保(bao)存，樣品(pin)和測量方(fang)案結合在(zai)壹(yi)起，生成系統(tong)所(suo)需的實驗(yan)方(fang)案，輸出(chu)TXT、XLS、BMP等(deng)格(ge)式(shi)文件

19、測量方(fang)案：    提(ti)供靈活(huo)、豐富的(de)測試(shi)設(she)置(zhi)功能(neng)，包(bao)括頻率譜、阻(zu)抗(kang)譜、介(jie)電(dian)譜及(ji)其(qi)組(zu)合

20、接口方式(shi)：包(bao)括Keysight\WayneKerr\Tonghui等(deng)多(duo)種(zhong)LCR接口，

21、外形(xing)尺寸 ：   L360mm*W370mm*H510mm

22、凈   重(zhong)：           22KG