JKZC-BMZD01型薄(bo)膜(mo)介電(dian)常數（ε）及(ji)損(sun)耗測試(shi)儀(yi)（tgd）

JKZC-BMZD01型薄膜(mo)介電(dian)常數（ε）及(ji)損(sun)耗測試(shi)儀(yi)（tgd）

關鍵詞：介(jie)電(dian)常數（ε），損耗測試(shi)儀(yi)（tgd），品(pin)質(zhi)因數(Q)，頻率(f)

       JKZC-BMZD01型薄膜(mo)介電(dian)常數（ε）及(ji)損(sun)耗測試(shi)儀(yi)（tgd）是(shi)目(mu)前(qian)針對(dui)PVDF薄(bo)膜(mo)材料(liao)，是(shi)壹(yi)款(kuan)真正(zheng)意義上(shang)的(de)絕(jue)緣(yuan)薄膜(mo)材料(liao)介電常數及(ji)介(jie)質(zhi)損耗測試(shi)儀(yi)。是(shi)目(mu)前(qian)能(neng)夠(gou)處理(li)的介(jie)電常數（ε）和介損(sun)（tgd）的圖(tu)譜。GB/T1693-2007主要(yao)用於(yu)測量(liang)高(gao)壓(ya)工(gong)業絕(jue)緣(yuan)材料(liao)的介(jie)質(zhi)損耗角的(de)正(zheng)切(qie)值及(ji)電(dian)容(rong)量(liang)。其(qi)采(cai)用了(le)西(xi)林電橋(qiao)的(de)經典(dian)線(xian)路(lu)。主要(yao)可(ke)以測量(liang)電(dian)容器，互(hu)感器(qi)，變壓(ya)器(qi)，各種(zhong)電(dian)工(gong)油(you)及(ji)各(ge)種(zhong)固(gu)體絕(jue)緣(yuan)材料(liao)在工(gong)頻高壓(ya)下(xia)的介(jie)質(zhi)損耗( tgd)和電容(rong)量(liang)( Cx)以，其(qi)測量(liang)線(xian)路(lu)采(cai)用“正(zheng)接(jie)法(fa)"即測(ce)量(liang)對(dui)地(di)絕(jue)緣(yuan)的試(shi)品(pin)。電(dian)橋(qiao)由(you)橋(qiao)體(ti)、指(zhi)另(ling)儀(yi)、跟蹤(zong)器組成，本(ben)電(dian)橋(qiao)特(te)別(bie)適(shi)應測量(liang)各(ge)類(lei)絕(jue)緣(yuan)油和絕(jue)緣(yuan)材料(liao)的介(jie)損（tgd）及(ji)介(jie)電(dian)常數（ε）。

   JKZC-BMZD01型(xing)薄膜(mo)介電(dian)常數及(ji)損(sun)耗測試(shi)儀(yi)是(shi)壹(yi)款(kuan)針(zhen)對薄膜(mo)測試(shi)的(de)專(zhuan)用設備(bei)，測試(shi)薄(bo)膜(mo)介電(dian)常數及(ji)損(sun)耗需要(yao)特(te)制(zhi)的夾(jia)具(ju)，通(tong)過(guo)軟件(jian)可(ke)以采(cai)集到(dao)介損（tgd）及(ji)介(jie)電(dian)常數（ε）器件(jian)的介電性(xing)能(neng)測(ce)量(liang)與(yu)分(fen)析，可(ke)測試(shi)以下參數隨(sui)頻率(f)、電(dian)平(ping)(V)、偏(pian)壓(ya)(Vi)的(de)變化(hua)規(gui)律(lv)：電容(rong)(C)、電感(gan)(L)、電阻(R)、電抗(kang)(X)、阻抗(Z)、相(xiang)位(wei)角(Ø)、電(dian)導(B)、導(dao)納(na)(Y)、損耗(D)、品(pin)質(zhi)因數(Q)等(deng)參數，同(tong)時計算獲得(de)反(fan)應(ying)材(cai)料介電性(xing)能(neng)的(de)復介電常數和損耗參數。

                            薄膜(mo)介電(dian)常數（ε）

                     薄膜(mo)介損(sun)（tgd）圖譜

三電(dian)極(ji)結構設計：

微(wei)調千分(fen)尺(chi)：微(wei)調千分(fen)尺(chi)具(ju)備(bei)0.001mm的調節精度，可(ke)精細化(hua)調節上下電極(ji)之(zhi)間的(de)距(ju)離。

平(ping)行(xing)板(ban)測試(shi)電(dian)極(ji)：下(xia)電(dian)極固定在底部支撐座，上(shang)電(dian)極(ji)可(ke)由微(wei)調千分(fen)尺(chi)調節行(xing)程(cheng)距(ju)離。上電極帶(dai)有保(bao)護(hu)電(dian)極。

上(shang)電(dian)極(ji)片：上(shang)電極(ji)標配有(you)2mm球頭電(dian)極(ji)、φ26.8mm圓片電極和φ38mm圓片電極。可(ke)根據(ju)樣品(pin)大小隨(sui)時更換。

鎖緊裝(zhuang)置：當樣品(pin)放(fang)入上下(xia)電極(ji)之(zhi)間後，可(ke)調節此(ci)鎖緊裝(zhuang)置，固(gu)定上下(xia)電(dian)極的調節行(xing)程(cheng)。防(fang)止(zhi)輕(qing)微(wei)移(yi)動引(yin)起的刻度偏(pian)差(cha)。

嚴(yan)格(ge)按(an)照ASTM   D150國際(ji)標準(zhun)設計，電(dian)極表面(mian)鍍(du)金(jin)處理(li)，導電(dian)性(xing)能(neng)好(hao)、抗氧(yang)化，使用壽(shou)命更長(chang)

壹(yi)、真正(zheng)的三(san)電極設計

介電(dian)夾(jia)具(ju)基(ji)於(yu)ASTM D150標準(zhun)試(shi)驗(yan)方法(fa)，采(cai)用三電極(ji)法(fa)設計。上(shang)電極+下電(dian)極+保(bao)護(hu)電(dian)極，電極表面(mian)鍍(du)金(jin)處理(li)，導電(dian)性(xing)能(neng)好(hao)、抗氧(yang)化。為消除測(ce)試(shi)連(lian)接(jie)線(xian)阻抗及(ji)連(lian)接(jie)線(xian)之間相(xiang)互(hu)耦合(he)對測(ce)試(shi)的(de)影(ying)響(xiang)，儀器(qi)與(yu)夾(jia)具(ju)電(dian)極連(lian)接(jie)采(cai)用4端(duan)對(dui)法(fa)。

得(de)益(yi)於(yu)測試(shi)線(xian)纜(lan)和電極(ji)引線(xian)的良(liang)好(hao)屏(ping)蔽(bi)，屏(ping)蔽(bi)層(ceng)直(zhi)達(da)測試(shi)電(dian)，因(yin)此(ci)獲(huo)得(de)更高(gao)的(de)校準(zhun)頻率。

2.校準(zhun)頻率最(zui)高(gao)可(ke)達(da)100MHz

適(shi)配的阻抗分(fen)析儀更加(jia)豐富，充分(fen)利(li)用測試(shi)儀(yi)器(qi)的(de)測(ce)試(shi)頻率範(fan)圍(wei)（20Hz-120MHz），以滿足測試(shi)樣(yang)品(pin)對(dui)更高(gao)頻率的(de)要(yao)求。

3.高(gao)精度調節行(xing)程(cheng)

適(shi)配高精度微(wei)調千分(fen)尺(chi)，可(ke)調精度為0.001mm，

上(shang)電(dian)極(ji)可(ke)調行(xing)程(cheng)為12mm，並(bing)帶(dai)有鎖緊裝(zhuang)置，可(ke)有效(xiao)鎖定當前(qian)刻度位(wei)置，確(que)保(bao)測(ce)試(shi)的(de)穩(wen)定性(xing)和準(zhun)確(que)性(xing)。

標配26.8/38mm尺(chi)寸(cun)電極片，可(ke)滿足不同(tong)尺(chi)寸(cun)樣品(pin)測(ce)量(liang)，樣(yang)品(pin)安(an)裝(zhuang)方便、簡(jian)單

主(zhu)要(yao)技術參數：

1、測(ce)試(shi)頻率：DC~100MHz

2、樣(yang)品(pin)要(yao)求：雙面(mian)塗覆電(dian)極(ji)，保(bao)持(chi)平(ping)整(zheng)、光(guang)滑(hua)

3、樣品(pin)尺(chi)寸(cun)：2mm≤φ≤60mm，厚(hou)度≤10mm

4、電極(ji)圓片：無。有效(xiao)面(mian)積(ji)：樣品(pin)上(shang)下塗覆電(dian)極(ji)垂直重(zhong)疊(die)部分(fen)面(mian)積(ji)

5、誤差(cha)分(fen)析：存在(zai)邊(bian)緣(yuan)電容(rong)，樣品(pin)表面(mian)凹(ao)陷(xian)處(chu)被(bei)導電體填充

6、測試(shi)接(jie)口(kou)：4個(ge)SMA母頭(tou)

7、上電極(ji)：φ2mm球頭電(dian)極(ji)+φ26.8mm圓片電極+φ38mm圓片電極

8、保(bao)護(hu)電(dian)極：上電極(ji)帶(dai)保(bao)護(hu)電(dian)極，電極表面(mian)鍍(du)金(jin)

9、上電(dian)極(ji)壓(ya)力調節：12mm行(xing)程(cheng)調節，用於(yu)上電(dian)極(ji)與(yu)樣(yang)品(pin)良(liang)好(hao)的電(dian)性(xing)能(neng)接(jie)觸

10、帶(dai)電極(ji)樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)：2mm≤φ≤60mm，厚(hou)度≤10m

11、設計標準(zhun)：ASTM D150和D2149-97國際(ji)標準(zhun)，GB/T1409-2006國家標準(zhun)

12、電(dian)極結構：兩(liang)平(ping)行(xing)板(ban)電極+保(bao)護(hu)電(dian)極，三電極(ji)結構

13、電(dian)極引線(xian)：同軸(zhou)屏(ping)蔽(bi)線(xian)，消除電(dian)磁幹擾對測(ce)試(shi)影(ying)響(xiang)

14、下(xia)電(dian)極：φ60mm鍍金(jin)圓片電極

15、上(shang)電(dian)極(ji)行(xing)程(cheng)調節：12mm行(xing)程(cheng)調節，用於(yu)樣品(pin)安(an)裝(zhuang)

16、數據(ju)存儲：數據(ju)庫(ku)保(bao)存(cun)各(ge)類(lei)實驗(yan)數(shu)據(ju)，同時輸出TXT、XLS、BMP等(deng)格式文(wen)件(jian)，對實驗(yan)數(shu)據(ju)提(ti)供(gong)豐富的查詢(xun)與(yu)分(fen)析，輸出圖(tu)形(xing)與(yu)數(shu)據(ju)。