描(miao)述：TSDC-200型(xing)高低溫(wen)熱刺激(ji)電(dian)流測量儀,熱(re)激(ji)勵(li)去極(ji)化(hua)電(dian)流測量系(xi)(thermally stimulated depolar-ization currents,簡寫為(wei)TSDC或(huo)TSC)是電介質材料在受(shou)熱(re)過程(cheng)中(zhong)建立(li)極(ji)化(hua)態(tai)或(huo)解除(chu)極(ji)化(hua)態(tai)時(shi)所產(chan)生的短(duan)路(lu)電(dian)流。基本方(fang)法(fa)是將試樣夾在兩(liang)電極(ji)之(zhi)間(jian)，加熱(re)到壹(yi)定溫(wen)度使樣(yang)品中(zhong)的載(zai)流子激(ji)發(fa)，然(ran)後(hou)施加壹(yi)個直流的極(ji)化(hua)電(dian)壓(ya)，經過壹段(duan)時間(jian)使樣(yang)品充分極(ji)化(hua)，以便(bian)載(zai)流子向電(dian)極(ji)漂(piao)移(yi)或偶極(ji)子

TSDC-200型(xing)高低溫(wen)熱(re)刺激(ji)電(dian)流測量儀|熱(re)激(ji)勵(li)去極(ji)化(hua)電(dian)流測量系(xi)統

關鍵詞：熱(re)刺激(ji)電(dian)流，電(dian)壓(ya)，TSDC,TSD

壹(yi)、設(she)備(bei)概(gai)述：

TSDC-200型(xing)高低溫(wen)熱刺激(ji)電(dian)流測量儀,熱(re)激(ji)勵(li)去極(ji)化(hua)電(dian)流測量系(xi)(thermally stimulated depolar-ization currents,簡寫為(wei)TSDC或(huo)TSC)是電介質材料在受(shou)熱(re)過程(cheng)中(zhong)建立(li)極(ji)化(hua)態(tai)或(huo)解除(chu)極(ji)化(hua)態(tai)時(shi)所產(chan)生的短(duan)路(lu)電(dian)流。基本方(fang)法(fa)是將試樣夾在兩(liang)電極(ji)之(zhi)間(jian)，加熱(re)到壹(yi)定溫(wen)度使樣(yang)品中(zhong)的載(zai)流子激(ji)發(fa)，然(ran)後(hou)施加壹(yi)個直流的極(ji)化(hua)電(dian)壓(ya)，經過壹段(duan)時間(jian)使樣(yang)品充分極(ji)化(hua)，以便(bian)載(zai)流子向電(dian)極(ji)漂(piao)移(yi)或偶極(ji)子充分取向(xiang)，隨(sui)後(hou)立(li)即降(jiang)溫(wen)到低溫(wen)，使各(ge)類(lei)極(ji)化(hua)“凍(dong)結(jie)"，然(ran)後(hou)以等(deng)速(su)率(lv)升(sheng)溫(wen)，同時記(ji)錄試樣經(jing)檢流計短路(lu)的去極(ji)化(hua)電(dian)流隨(sui)溫(wen)度的變化(hua)關系(xi)，即(ji)得(de)到TSDC譜(pu)。通過TSDC譜(pu)研(yan)究(jiu)介質材料中(zhong)偶極(ji)子和可(ke)動離子的性(xing)質、激(ji)活(huo)能（或xian阱(jing)深(shen)度)、以及弛豫(yu)時間(jian)（壽命)等(deng)。

二、應用

★材料特(te)征測試
★半(ban)導體、納米(mi)材料、聚(ju)合物(wu)材料、介質材料、電(dian)化學材料、鐵(tie)電材料、石(shi)墨(mo)烯、陶(tao)瓷、生物材料、橡(xiang)膠(jiao)、薄(bo)膜(mo)、金屬、有(you)機材料等(deng)

★電(dian)子元(yuan)器件泄漏電流和絕緣電阻測試
電容(rong)器、電(dian)阻器、二極(ji)管、晶體(ti)管、傳感(gan)器(qi)、TFT和(he)CNT等(deng)類(lei)型、光(guang)電(dian)器(qi)件、納米(mi)器(qi)件、太陽能電(dian)池、開(kai)關、繼(ji)電(dian)器等(deng)

三、產(chan)品主(zhu)要特(te)點(dian)：

1、在同(tong)壹(yi)空(kong)間(jian)內可(ke)有(you) 2 條通道

2、最寬的電(dian)壓(ya)和電流動態(tai)範圍(wei)

3、高度準確(que)的 100 µs 脈(mai)沖可(ke)擴(kuo)展直流生產(chan)測試能力(li)

4、嵌(qian)入式(shi)腳(jiao)本(ben)提(ti)供生產(chan)吞吐(tu)量(liang)

5、消(xiao)除(chu)與(yu) PC 之間(jian)耗時的總(zong)線(xian)通信(xin)

6、高級數(shu)據(ju)處理和(he)流量控制

7、通用型(xing)探頭(tou)/處理(li)程(cheng)序(xu)控(kong)制

8、系(xi)統性(xing)能，無主機

9、TSP-Link® 技(ji)術支持擴(kuo)展多(duo)達 64 條通道，支(zhi)持高速(su)、SMU-per-pin 並行測試（而不使用主(zhu)機）。 <500 ns 時所(suo)有(you)通道同(tong)時獨立(li)受(shou)控(kong)。

10、支(zhi)持 <500 ns 通道間(jian)同(tong)步(bu)

11、可(ke)達 32 條或 64 條獨立(li) SMU 通道

12、隨(sui)著測試要求變化(hua)輕松重新(xin)配置(zhi)

四(si)、技(ji)術參(can)數：

1、熱(re)刺激(ji)電(dian)壓(ya)：±10KV

2、溫(wen)度測量範圍(wei)：-160°C-600°C

3、升(sheng)溫(wen)速(su)率(lv)：0.5℃--10℃/min

4、電(dian)壓(ya)量程(cheng)（DC）：10V/50V/100V/250V/500V/1000V

5、樣(yang)品架：自動升(sheng)降(jiang)

6、加熱(re)方式(shi)：電熱絲(si)

7、制冷方式(shi)：液(ye)氮(dan)

8、導熱制冷介質：二甲(jia)基矽油(you)（粘(zhan)度(du)2CS,容(rong)量(liang)10L）

9、數(shu)據(ju)采集：軟(ruan)件控制，自(zi)動采集，實(shi)時(shi)動態(tai)顯(xian)示(shi)曲(qu)線(xian)

10、數(shu)據(ju)保(bao)存(cun)：可(ke)導出EXEXL數(shu)據(ju)報表，生成(cheng)電(dian)子報告(gao)

11、實(shi)驗(yan)流程(cheng)：參(can)數設(she)定(ding)後(hou)，整(zheng)個實(shi)驗過程(cheng)無(wu)需(xu)人工幹預(yu)，自動完(wan)成(cheng)實(shi)驗(yan)

12、測量電(dian)極(ji)直徑：10MM

13、設(she)備(bei)重量(liang)：100KG

14、加熱(re)功率(lv)：1500W

15、樣(yang)品電(dian)流、電流密度(du)、電荷(he)變化(hua)、介電常(chang)數(shu)變化(hua)等(deng)

五(wu)、軟(ruan)件介紹：

起始(shi)溫(wen)度：試驗開(kai)始(shi)溫(wen)度，需(xu)要設(she)定(ding)，到(dao)達此(ci)溫(wen)度後，開(kai)始(shi)做試驗

截止(zhi)溫(wen)度：試驗結(jie)束(shu)溫(wen)度，需(xu)要設(she)定(ding)，到(dao)此(ci)溫(wen)度後，自(zi)動結(jie)束(shu)

變溫(wen)速(su)率(lv)：設(she)定(ding)升(sheng)溫(wen)速(su)率(lv)

保(bao)持時間(jian)：到(dao)達設(she)定(ding)的溫(wen)度後，需(xu)要保持的時(shi)間(jian)

坐標(biao)軸切(qie)換：以溫(wen)度/時間(jian)為(wei)坐標(biao)軸，進(jin)行切(qie)換

驅(qu)動電(dian)壓(ya)：選(xuan)擇(ze)試驗電(dian)壓(ya)

上(shang)升(sheng)：電極(ji)支(zhi)架上升(sheng)鍵

下(xia)降(jiang)：電極(ji)支(zhi)架下降(jiang)鍵

允(yun)許外部(bu)控制：手(shou)動在設(she)備(bei)上進(jin)行上(shang)升(sheng)和下(xia)降(jiang)，需(xu)要在軟(ruan)件上進行授(shou)權

樣(yang)品電(dian)流、電流密度(du)、電荷(he)變化(hua)、介電常(chang)數(shu)變化(hua)等(deng)