描(miao)述：BHLDT-400V型(xing)環境變溫變壓介電溫(wen)譜(pu)測(ce)試儀(yi)可在(zai)環境下外加高(gao)壓測(ce)量材料(liao)的(de)介電性能(neng)，其(qi)應(ying)用領(ling)域(yu)廣泛且(qie)在(zai)多個學(xue)科和產業中(zhong)發揮(hui)關(guan)鍵(jian)作用，打破了以外常規的(de)高(gao)溫介電溫(wen)譜(pu)儀(yi)，這(zhe)種(zhong)可以在(zai)高(gao)溫高(gao)壓條(tiao)件下測(ce)量材料(liao)的(de)介電性能(neng)，是壹次(ci)重要(yao)的(de)創新和突破，對於(yu)新(xin)的(de)技術(shu)發展有著(zhe)重(zhong)要(yao)推(tui)動作用。

關(guan)鍵(jian)詞：介電，頻譜(pu)、阻抗(kang)譜(pu)、電模量,高(gao)溫

產品(pin)介紹：

BHLDT-400V型(xing)環境變溫變壓介電溫(wen)譜(pu)測(ce)試儀(yi)可在(zai)環境下外加高(gao)壓測(ce)量材料(liao)的(de)介電性能(neng)，其(qi)應(ying)用領(ling)域(yu)廣泛且(qie)在(zai)多個學(xue)科和產業中(zhong)發揮(hui)關(guan)鍵(jian)作用，打破了以外常規的(de)高(gao)溫介電溫(wen)譜(pu)儀(yi)，這(zhe)種(zhong)可以在(zai)高(gao)溫高(gao)壓條(tiao)件下測(ce)量材料(liao)的(de)介電性能(neng)，是壹次(ci)重要(yao)的(de)創新和突破，對於(yu)新(xin)的(de)技術(shu)發展有著(zhe)重(zhong)要(yao)推(tui)動作用。

具體(ti)如下(xia)：

壹、材料(liao)科學(xue)研究

· 新型(xing)絕(jue)緣(yuan)材料(liao)開發：用於(yu)研究陶瓷、聚(ju)合(he)物、復合(he)材料(liao)等(deng)在(zai)高(gao)溫高(gao)壓下的(de)介電常(chang)數(shu)、介電損(sun)耗(hao)等(deng)參數，助(zhu)力(li)開發高(gao)絕緣性、耐高(gao)溫的(de)新型(xing)絕(jue)緣(yuan)材料(liao)（如納米(mi)復合(he)電介(jie)質(zhi)），滿(man)足(zu)電力(li)設(she)備、新能(neng)源器件(jian)的(de)絕緣需(xu)求。

· 鐵(tie)電與(yu)壓(ya)電材料(liao)研究：通過(guo)介電溫(wen)譜(pu)分(fen)析(xi)鐵(tie)電材料(liao)（如鈦酸(suan)鋇）的(de)相(xiang)變行(xing)為(wei)、居裏(li)溫度(du)等(deng)特(te)性，為傳(chuan)感器、存(cun)儲器等(deng)器件(jian)的(de)材料(liao)優化(hua)提(ti)供(gong)數據(ju)支撐(cheng)。

· 功(gong)能(neng)陶瓷(ci)與(yu)晶(jing)體(ti)研究：分(fen)析(xi)高(gao)溫高(gao)壓下介電性能(neng)變化(hua)，揭(jie)示材料(liao)的(de)微(wei)觀(guan)結(jie)構(gou)與介(jie)電特(te)性的(de)關(guan)聯(lian)，推(tui)動陶瓷(ci)電容(rong)器、微(wei)波(bo)介質材料(liao)等(deng)的(de)性能(neng)提升。

二、半(ban)導體(ti)與電子(zi)器件(jian)領(ling)域(yu)

· 半(ban)導體(ti)材料(liao)表征：測(ce)試矽、碳(tan)化(hua)矽(gui)（SiC）、氮化(hua)鎵(jia)（GaN）等(deng)半(ban)導體(ti)材料(liao)在(zai)高(gao)壓電場(chang)下(xia)的(de)介電損(sun)耗(hao)和擊穿(chuan)特(te)性，優化(hua)器件(jian)（如功(gong)率半(ban)導體(ti)）的(de)耐高(gao)壓設(she)計。

· 薄膜(mo)與(yu)塗(tu)層(ceng)性能(neng)分(fen)析(xi)：研究半(ban)導體(ti)器件(jian)中絕緣(yuan)層（如二(er)氧化(hua)矽(gui)薄膜(mo)）或柵極材料(liao)在(zai)高(gao)溫環境下的(de)介電穩(wen)定(ding)性，避免(mian)器件(jian)因介電性能(neng)劣化(hua)導致失(shi)效(xiao)。

· 電子(zi)元器件(jian)可靠(kao)性測(ce)試：評(ping)估電容(rong)、電阻(zu)等(deng)元件的(de)封裝材料(liao)在(zai)高(gao)溫高(gao)壓下的(de)介電性能(neng)，確保其(qi)在(zai)高(gao)頻、高(gao)電壓(ya)工(gong)況下(xia)的(de)穩(wen)定(ding)性（如汽(qi)車電子(zi)、高(gao)頻電路(lu)元件）。

三、能(neng)源與(yu)電力(li)工業

· 高(gao)壓絕緣材料(liao)篩(shai)選(xuan)：測(ce)試變壓器油(you)、電纜(lan)絕(jue)緣層(ceng)（如(ru)交(jiao)聯(lian)聚(ju)乙(yi)烯）在(zai)高(gao)溫高(gao)壓下的(de)介電損(sun)耗(hao)，預防(fang)絕(jue)緣(yuan)老(lao)化(hua)引(yin)發的(de)電力(li)事(shi)故(gu)。

· 新能(neng)源電池(chi)與(yu)儲能(neng)材料(liao)：分(fen)析(xi)電池(chi)隔膜、電解(jie)質(zhi)材料(liao)的(de)介電特(te)性，優化(hua)離(li)子(zi)傳(chuan)輸性能(neng)，提升鋰電池(chi)、固(gu)態電池(chi)的(de)安(an)全(quan)性和能(neng)量密(mi)度(du)。

· 高(gao)溫超導材料(liao)研究：探(tan)索(suo)超導材料(liao)在(zai)條(tiao)件下的(de)介電響(xiang)應(ying)，為(wei)超導電纜(lan)、磁體(ti)等(deng)設(she)備的(de)絕緣設(she)計提供(gong)依(yi)據。

四(si)、地質(zhi)與(yu)地(di)球(qiu)物理(li)研究

· 礦(kuang)物與(yu)巖石(shi)介(jie)電特(te)性：模擬地(di)幔、地殼深(shen)處的(de)高(gao)溫高(gao)壓環境，測(ce)量礦(kuang)物（如(ru)橄欖石(shi)、石(shi)英(ying)）的(de)介電性能(neng)，研究地球(qiu)內(nei)部物質(zhi)的(de)電導率分(fen)布(bu)及(ji)地(di)質(zhi)演(yan)化(hua)。

· 油氣(qi)資(zi)源(yuan)勘探(tan)：通過(guo)介電溫(wen)譜(pu)分(fen)析(xi)巖石(shi)樣本在(zai)高(gao)壓下的(de)介電特(te)性，輔助判(pan)斷(duan)油氣儲層的(de)物性參數（如(ru)含水量(liang)、孔(kong)隙度(du)）。

五、航(hang)空(kong)航天與(yu)環境應(ying)用

· 航天材料(liao)可靠(kao)性驗(yan)證(zheng)：測(ce)試航天器外殼材料(liao)、電子(zi)設(she)備絕緣(yuan)部(bu)件在(zai)宇(yu)宙(zhou)射(she)線(xian)、高(gao)低(di)溫交(jiao)變環境下的(de)介電穩(wen)定(ding)性，確保設(she)備在(zai)工(gong)況下(xia)正(zheng)常(chang)運行(xing)。

· 環境模擬測(ce)試：模擬高(gao)空、深海(hai)等(deng)高(gao)壓環境，研究材料(liao)的(de)介電性能(neng)變化(hua)，為(wei)深海(hai)探(tan)測(ce)器、航(hang)空發動(dong)機部件的(de)材料(liao)選(xuan)型(xing)提(ti)供(gong)數據(ju)。

六、環境與催(cui)化(hua)領(ling)域(yu)

· 高(gao)溫催化(hua)材料(liao)研究：分(fen)析(xi)介電材料(liao)（如鈦酸(suan)鍶(si)）在(zai)高(gao)溫高(gao)壓下的(de)介電響(xiang)應(ying)，探(tan)索(suo)其(qi)與催(cui)化(hua)活(huo)性的(de)關(guan)聯(lian)，優(you)化(hua)環保催化(hua)劑(ji)（如汽(qi)車尾(wei)氣凈(jing)化(hua)材料(liao)）的(de)性能(neng)。

· 環境監測(ce)材料(liao)開發：研究介電材料(liao)在(zai)高(gao)溫高(gao)壓氣體(ti)（如 SO₂、NOx）中的(de)穩(wen)定(ding)性，推(tui)動氣體(ti)傳(chuan)感器、凈(jing)化(hua)設(she)備的(de)材料(liao)創新。

七、其(qi)他前沿(yan)領(ling)域(yu)

· 量子(zi)材料(liao)與器件(jian)：研究二維材料(liao)（如石(shi)墨(mo)烯(xi)）、拓撲絕緣(yuan)體(ti)在(zai)高(gao)壓下的(de)介電特(te)性，為量(liang)子(zi)計算(suan)器件(jian)的(de)絕緣層(ceng)設(she)計提供(gong)參考。

· 納米(mi)材料(liao)與器件(jian)：測(ce)試納米(mi)薄膜(mo)、納(na)米復合(he)材料(liao)的(de)介電性能(neng)，探(tan)索(suo)其(qi)在(zai)微(wei)型(xing)傳(chuan)感器、高(gao)頻電子(zi)器件(jian)中的(de)應(ying)用潛力(li)。

· 二、主(zhu)要(yao)技(ji)術(shu)參數：

· 1、溫度(du)範(fan)圍(wei): -160℃-600℃

· 2、外加高(gao)壓：0-5000V

· 3、升溫速(su)度(du): 1—20。C/min, 測(ce)溫精(jing)度(du): 0.1℃

· 4、控溫(wen)模式: 程(cheng)序(xu)控制(zhi)，提供(gong)常溫(wen)、變溫、恒溫(wen)、升溫、降(jiang)溫(wen)等(deng)多種(zhong)組(zu)合(he)方(fang)式

· 5、通訊(xun)接口: RS-485

· 6、測(ce)試頻率: 20Hz~1MHz ，5MHZ等(deng)多種(zhong)頻(pin)率可選(xuan)

· 7、電極(ji)材質(zhi): 紫銅合(he)金

· 8、測(ce)量精(jing)度(du)： 0.1%；

· 9、探(tan)針(zhen)數(shu)：   2個

· 10、通道：     1個

· 11、軟件(jian)功(gong)能(neng)：自動分(fen)析(xi)數據(ju)，可以分(fen)類保存(cun)，樣品(pin)和測(ce)量方案結(jie)合(he)在(zai)壹起(qi)，生(sheng)成(cheng)系統(tong)所需(xu)的(de)實驗(yan)方(fang)案，輸出(chu)TXT、XLS、BMP等(deng)格(ge)式文(wen)件(jian)

· 12、測(ce)量方案    可抽真空，充氣氛， 配(pei)冷(leng)水(shui)接口

· 13、接口方式：包(bao)括(kuo)Keysight\WayneKerr\Tonghui等(deng)多種(zhong)LCR接口，

· 14、樣品(pin)臺：銀(yin)質(zhi)臺35*35mm

· 15、凈   重(zhong)：    22KG