描述(shu)：TFRT-300型(xing)薄(bo)膜變溫電(dian)阻測(ce)試儀(yi)是壹(yi)款多(duo)用(yong)途(tu)的電(dian)阻測(ce)試儀(yi)，即(ji)可應用(yong)於(yu)金屬、半(ban)導(dao)體(ti)、導(dao)電(dian)高(gao)分(fen)子(zi)薄膜（或塊材）電(dian)阻率和(he)磁(ci)阻(zu)的測(ce)量(liang)，也可以應用(yong)於(yu)鐵(tie)磁(ci)/非鐵(tie)磁(ci)/鐵(tie)磁(ci)三層(ceng)或多層(ceng)薄膜的磁(ci)電(dian)阻測(ce)量，是研究薄膜材料(liao)電(dian)阻和(he)磁(ci)阻(zu)變(bian)化(hua)特性(xing)的重(zhong)要儀(yi)器，對(dui)於(yu)先進材料(liao)應用(yong)和(he)開發有(you)著(zhe)重(zhong)要意(yi)義(yi)。

TFRT-300型(xing)薄(bo)膜變溫電(dian)阻測(ce)試儀(yi)

關(guan)鍵詞(ci)：薄膜電(dian)阻，磁(ci)阻，鐵(tie)磁(ci)/非鐵(tie)磁(ci)/鐵(tie)磁(ci)薄膜電(dian)阻

TFRT-300型(xing)薄(bo)膜變溫電(dian)阻測(ce)試儀(yi)是壹(yi)款多(duo)用(yong)途(tu)的電(dian)阻測(ce)試儀(yi)，即(ji)可應用(yong)於(yu)金屬、半(ban)導(dao)體(ti)、導(dao)電(dian)高(gao)分(fen)子(zi)薄膜（或塊材）電(dian)阻率和(he)磁(ci)阻(zu)的測(ce)量(liang)，也可以應用(yong)於(yu)鐵(tie)磁(ci)/非鐵(tie)磁(ci)/鐵(tie)磁(ci)三層(ceng)或多層(ceng)薄膜的磁(ci)電(dian)阻測(ce)量，是研究薄膜材料(liao)電(dian)阻和(he)磁(ci)阻(zu)變(bian)化(hua)特性(xing)的重(zhong)要儀(yi)器，對(dui)於(yu)先進材料(liao)應用(yong)和(he)開發有(you)著(zhe)重(zhong)要意(yi)義(yi)。

壹(yi)、特點(dian):

1.采(cai)用(yong)專用(yong)高(gao)精度電(dian)阻測(ce)試儀(yi)和(he)溫度(du)測試(shi)儀(yi)以及四(si)端(duan)測(ce)量(liang)法減(jian)小接(jie)觸(chu)電(dian)阻對(dui)測(ce)量(liang)的影(ying)響，測(ce)量(liang)材料(liao)電(dian)阻R隨(sui)溫度(du)T的變(bian)化(hua)；

2.采(cai)用(yong)Helmholtz線(xian)圈(quan)提供(gong)均(jun)勻的磁(ci)場(chang)，用(yong)它可以產生極微(wei)弱的磁(ci)場(chang)直至(zhi)數百Gs的磁(ci)場(chang)。用(yong)四(si)端(duan)法測量(liang)樣(yang)品(pin)電(dian)阻隨(sui)溫度(du)的變(bian)化(hua)，可減(jian)小接(jie)觸(chu)電(dian)阻對(dui)測(ce)量(liang)的影(ying)響，提(ti)高(gao)測(ce)量(liang)精度；

3.采(cai)用(yong)氮(dan)氣(qi)保護(hu)，可連(lian)續(xu)測量(liang)樣(yang)品(pin)在150K~600K範圍(wei)內電(dian)阻隨(sui)溫度(du)的變(bian)化(hua)，可拓展到(dao)1800℃；

4.采(cai)用(yong)流(liu)行(xing)的USB2.0接(jie)口與計算(suan)機相連(lian)，數據采(cai)集迅(xun)速準(zhun)確；

5.用(yong)戶界(jie)面(mian)直觀(guan)友(you)好(hao)，方(fang)便(bian)用(yong)戶使用(yong)。

二(er)、應用(yong):

1.金屬、半(ban)導(dao)體(ti)、導(dao)電(dian)高(gao)分(fen)子(zi)薄膜（或塊材）電(dian)阻率和(he)磁(ci)阻(zu)的測(ce)量(liang)

2.金屬薄(bo)膜材料(liao)的電(dian)阻率，磁(ci)阻(zu)的測(ce)量(liang)（較大(da)厚(hou)度0.2mm）

3.金屬塊體(ti)材料(liao)電(dian)阻率的測(ce)量(liang)（較大(da)厚(hou)度3mm）

4.磁性(xing)合(he)金薄膜的磁(ci)電(dian)阻測(ce)量

5.鐵(tie)磁(ci)/非鐵(tie)磁(ci)/鐵(tie)磁(ci)三層(ceng)或多層(ceng)薄膜的磁(ci)電(dian)阻測(ce)量

6.自旋(xuan)閥(fa)型(xing)巨(ju)磁電(dian)阻薄(bo)膜、隧道(dao)結型(xing)磁(ci)電(dian)阻薄(bo)膜的磁(ci)電(dian)阻測(ce)量

三、主(zhu)要技(ji)術參數：