描(miao)述：HTRT-2000型2000℃超(chao)高(gao)溫導(dao)電材料(liao)高溫電阻(zu)率(lv)測試(shi)儀(yi)本(ben)系(xi)統(tong)主要(yao)由高(gao)精(jing)度(du)高穩定度(du)的小電流(liu)源、高(gao)精(jing)度(du)AD采(cai)樣芯片以(yi)及嵌入式(shi)芯(xin)片，上(shang)位(wei)機(ji)智(zhi)能(neng)管(guan)理分析(xi)軟(ruan)件(jian)、真(zhen)空多(duo)段(duan)溫控加熱(re)設(she)備(bei)組(zu)成(cheng)的超高(gao)溫導(dao)電電阻(zu)率(lv)智(zhi)能(neng)存(cun)儲(chu)分析(xi)儀(yi)器(qi)。測試(shi)導(dao)電金屬樣品(pin)根(gen)據測試(shi)工(gong)藝要(yao)求任意(yi)設(she)定(ding)加熱(re)、，通(tong)過(guo)過(guo)程中電阻(zu)率(lv)的精密(mi)測量，完(wan)成(cheng)對金屬內部(bu)結構(gou)變(bian)化(hua)如(ru)相變(bian)、碳化(hua)物(wu)、固溶(rong)度(du)等(deng)特(te)性的分析(xi)。設(she)備(bei)即(ji)可(ke)直(zhi)接通(tong)電加熱(re)應用於石墨(mo)自(zi)發(fa)熱(re)，又可(ke)以(yi)外(wai)加高

HTRT-2000型2000℃超(chao)高(gao)溫導(dao)電材料(liao)高溫電阻(zu)率(lv)測試(shi)儀(yi)

關鍵(jian)詞(ci)：電阻(zu)率(lv)，超(chao)高溫(wen)導(dao)電， 2200℃，石墨(mo)

HTRT-2000型2000℃超(chao)高(gao)溫導(dao)電材料(liao)高溫電阻(zu)率(lv)測試(shi)儀(yi)本(ben)系(xi)統(tong)主要(yao)由高(gao)精(jing)度(du)高穩定度(du)的小電流(liu)源、高(gao)精(jing)度(du)AD采(cai)樣芯片以(yi)及嵌入式(shi)芯(xin)片，上(shang)位(wei)機(ji)智(zhi)能(neng)管(guan)理分析(xi)軟(ruan)件(jian)、真(zhen)空多(duo)段(duan)溫控加熱(re)設(she)備(bei)組(zu)成(cheng)的超高(gao)溫導(dao)電電阻(zu)率(lv)智(zhi)能(neng)存(cun)儲(chu)分析(xi)儀(yi)器(qi)。測試(shi)導(dao)電金屬樣品(pin)根(gen)據測試(shi)工(gong)藝要(yao)求任意(yi)設(she)定(ding)加熱(re)、，通(tong)過(guo)過(guo)程中電阻(zu)率(lv)的精密(mi)測量，完(wan)成(cheng)對金屬內部(bu)結構(gou)變(bian)化(hua)如(ru)相變(bian)、碳化(hua)物(wu)、固溶(rong)度(du)等(deng)特(te)性的分析(xi)。設(she)備(bei)即(ji)可(ke)直(zhi)接通(tong)電加熱(re)應用於石墨(mo)自(zi)發(fa)熱(re)，又可(ke)以(yi)外(wai)加高溫(wen)環境(jing)氣(qi)氛(fen)進行測試(shi)，是(shi)目前(qian)研究導(dao)電材料(liao)重要(yao)設(she)備(bei)，也(ye)是高等(deng)院(yuan)校和生(sheng)產(chan)檢測單(dan)位(wei)的重要(yao)科研設(she)備(bei)。

壹(yi)、主要(yao)性能(neng) ：導(dao)電材料(liao)的電特(te)性主要(yao)用電阻(zu)率(lv)表(biao)征。影響電阻(zu)率(lv)的因素(su)有(you)溫(wen)度(du)、雜(za)質(zhi)含量、冷變(bian)形、熱(re)處理等(deng)。溫(wen)度(du)的影響常以(yi)導(dao)電材料(liao)電阻(zu)率(lv)的溫度(du)系(xi)數(shu)表(biao)示(shi)。除(chu)接近(jin)熔點和超低(di)溫(wen)以(yi)外(wai)，在(zai)壹(yi)般溫度(du)範(fan)圍(wei)，電阻(zu)率(lv)隨(sui)溫度(du)變(bian)化(hua)呈(cheng)線(xian)性關系(xi)。

二(er)、復(fu)合型高(gao)分子(zi)導(dao)電材料(liao)，由通(tong)用的高分子(zi)材(cai)料(liao)與各(ge)種導(dao)電性物質(zhi)通(tong)過(guo)填(tian)充復(fu)合、表面復(fu)合或(huo)層積(ji)復(fu)合等(deng)方(fang)式而制(zhi)得(de)。主要(yao)品(pin)種有(you)導(dao)電塑(su)料、導(dao)電橡(xiang)膠(jiao)、導(dao)電纖維(wei)織(zhi)物、導(dao)電塗料(liao)、導(dao)電膠(jiao)粘(zhan)劑(ji)以(yi)及透明(ming)導(dao)電薄(bo)膜(mo)等(deng)。

石墨(mo)能(neng)夠作(zuo)為導(dao)電材料(liao)，其根(gen)本原(yuan)因在(zai)於其的結構(gou)和電子性質(zhi)。石墨(mo)是(shi)碳(tan)的壹種(zhong)同素(su)異形體，它由壹(yi)層(ceng)層的碳原(yuan)子平面組成(cheng)，每層被稱為(wei)石墨(mo)烯(xi)。在(zai)這(zhe)些平面內，碳原(yuan)子以(yi)sp^2雜(za)化(hua)軌(gui)道形成(cheng)六角形蜂窩(wo)狀結(jie)構(gou)，每(mei)個碳原(yuan)子與(yu)其三個最(zui)近(jin)鄰的碳原(yuan)子通(tong)過(guo)σ鍵(jian)相(xiang)連，形成(cheng)壹個非(fei)常穩(wen)定的二維(wei)平面。除此(ci)之外(wai)，每(mei)個碳原(yuan)子還有壹個p_z軌道上的電子不(bu)參(can)與(yu)σ鍵(jian)的形成(cheng)，而是(shi)貢(gong)獻(xian)到(dao)π鍵(jian)中(zhong)，形成(cheng)π電子雲(yun)。

這(zhe)些π電子在(zai)石墨(mo)烯(xi)層(ceng)內是高(gao)度(du)離(li)域化(hua)的，可(ke)以(yi)自由(you)移(yi)動(dong)，因此石墨(mo)烯(xi)層(ceng)內具(ju)有非(fei)常好(hao)的電導(dao)性。當這(zhe)些石墨(mo)烯(xi)層(ceng)堆(dui)疊(die)起來形成(cheng)石墨(mo)時(shi)，雖(sui)然(ran)層(ceng)間的相互(hu)作(zuo)用較弱（通(tong)過(guo)範(fan)德華(hua)力(li)連接(jie)），但層(ceng)內的電子仍(reng)然(ran)能(neng)夠提供(gong)良(liang)好(hao)的電導(dao)性。這(zhe)種結(jie)構(gou)使得石墨(mo)在(zai)宏(hong)觀上(shang)表(biao)現(xian)出優秀(xiu)的導(dao)電性能(neng)。

除(chu)了良(liang)好(hao)的導(dao)電性，石墨(mo)還具(ju)有以(yi)下特(te)點，使其成(cheng)為優秀(xiu)的導(dao)電材料(liao)：

1.化(hua)學(xue)穩定性：石墨(mo)具(ju)有很高(gao)的化(hua)學(xue)穩定性，不(bu)易(yi)與(yu)大多數(shu)化(hua)學(xue)物質(zhi)反(fan)應。

2.高(gao)溫穩定性：石墨(mo)在(zai)高(gao)溫下仍(reng)能(neng)保持其導(dao)電性能(neng)，適(shi)用於高(gao)溫環(huan)境(jing)。

3.機(ji)械(xie)性能(neng)：石墨(mo)具(ju)有壹(yi)定的柔韌性和強度(du)，可(ke)以(yi)加工成(cheng)不(bu)同(tong)的形狀和大小，適(shi)應不(bu)同(tong)的應用需求(qiu)。

4.成(cheng)本效益：與其他(ta)導(dao)電材料(liao)相比，石墨(mo)具(ju)有成(cheng)本低(di)廉(lian)的優勢(shi)，適(shi)合大規(gui)模(mo)應用。

因(yin)此，石墨(mo)廣(guang)泛應用於電池(chi)電極材(cai)料、導(dao)電塗料(liao)、導(dao)電膠(jiao)等(deng)領(ling)域(yu)，是壹(yi)種非(fei)常重(zhong)要(yao)的導(dao)電材料(liao)。

三、用途(tu)：

1、石墨(mo)烯(xi)金(jin)屬材料的導(dao)電性能(neng)測試(shi)

2、金(jin)屬材料研究

3、碳(tan)系(xi)導(dao)電材料(liao)的電阻(zu)率(lv)和電導(dao)率(lv)測量

4、金(jin)屬氧化(hua)物(wu)系(xi)導(dao)電材料(liao)的電阻(zu)率(lv)和電導(dao)率(lv)測量

5、棒(bang)材、管材、異型材(cai)金(jin)屬導(dao)電性能(neng)測量

二(er)、器成(cheng)套組成(cheng)：

1.溫(wen)度(du)控制(zhi)箱(xiang)：任意(yi)設(she)定(ding)多(duo)段加熱(re)、保溫(wen)曲(qu)線(xian)，加熱(re)範(fan)圍(wei):室溫(wen)至(zhi)1600℃。控溫(wen)精(jing)度(du)±1℃。

2.真(zhen)空加熱(re)爐管：采(cai)用石英(ying)真(zhen)空管(guan)實現(xian)真(zhen)空密(mi)閉狀態，達到(dao)6*10-2Pa。

3.控制(zhi)信(xin)號(hao)盒(he)：高精(jing)度(du)的恒(heng)流(liu)源200uA-10mA,通(tong)過(guo)計(ji)算(suan)機(ji)通(tong)信(xin)控制(zhi)實現(xian)連續(xu)可(ke)調（或(huo)定制(zhi)），測量精(jing)確到(dao)1uΩ。

4.計(ji)算(suan)機(ji)：通(tong)信(xin)控制(zhi)溫(wen)控儀(yi)加熱(re)曲線，實時(shi)接(jie)收當前(qian)溫度(du)值並(bing)存(cun)儲(chu)顯示。結(jie)合溫度(du)值顯(xian)示(shi)電阻(zu)率(lv)-溫(wen)度(du)曲線。同時(shi)存(cun)儲(chu)過(guo)程的測試(shi)條(tiao)件信(xin)息，測試(shi)過(guo)程的數據(ju)。完(wan)成(cheng)數據庫的基本(ben)管理、查(zha)詢(xun)、打印(yin)等(deng)功能(neng)。

5.適(shi)用於科研單(dan)位(wei)、高等(deng)院(yuan)校對金屬材料的導(dao)電性能(neng)、微(wei)結(jie)構(gou)變(bian)化(hua)、相(xiang)變(bian)信(xin)息等(deng)測試(shi)。

三、基本(ben)技術參(can)數(shu)

1、加熱(re)方式：環(huan)境高溫加熱(re)(石墨(mo)自(zi)發(fa)熱(re))

2、控溫(wen)範(fan)圍(wei)：室溫(wen) -2000 ℃，精(jing)度(du)±1 ℃

2、測量範(fan)圍(wei)：電  阻(zu)：1×10-6～1×10-3Ω   ， 分辨率(lv)：1Ω

3、 材(cai)料尺寸：直徑: Φ20mm；（可(ke)按(an)要(yao)求定(ding)制(zhi)）

長度(du): 80～130mm；（可(ke)按(an)現(xian)場要(yao)求定(ding)制(zhi)）

4、發(fa)熱(re)元(yuan)件：石墨(mo)棒(bang)多(duo)級串連發(fa)熱(re)。石墨(mo)發(fa)熱(re)功率(lv)不(bu)大(da)於30KW ，電流(liu)1000A

5、雙層(ceng)隔(ge)熱(re)，裏層采(cai)用硬(ying)石墨(mo)氈(zhan)，外(wai)層(ceng)高(gao)溫(wen)莫來石+空氣(qi)層(ceng)，外(wai)層(ceng)不(bu)銹(xiu)鋼(gang)圓(yuan)形，法蘭加工

4、 通(tong)道數：1-6個通(tong)道可(ke)選

5、夾(jia)具(ju)：針對(dui)不(bu)同(tong)的樣品(pin)可(ke)以(yi)設(she)計(ji)不(bu)同(tong)的夾(jia)具(ju)

6、測試(shi)樣品(pin)：壹次性測試(shi)1-6個可(ke)選

7、環(huan)境高溫加熱(re)測試(shi)：可(ke)通(tong)氬氣保護(hu)，靜(jing)態動(dong)態、惰(duo)性氣體(ti)等(deng)

8、外(wai)形尺寸：主   機(ji)  1300mm（長）×800 mm（寬）×500mm（高）

9、凈(jing)   重(zhong)：≤60kg