JK-VMCS1200小(xiao)型真空(kong)鑄造系統(tong)(最大(da)2Kg,配啟動設備(bei)) 其最高(gao)溫度(du)可(ke)達1200C，適合(he)在(zai)氣(qi)氛保(bao)護環(huan)境下(xia)熔(rong)煉(lian)各(ge)種(zhong)合(he)金(jin)。用壹封閉的(de)腔體，以(yi)保(bao)證在(zai)對樣(yang)品(pin)熔(rong)煉(lian)和(he)澆註(zhu)的(de)過(guo)程中(zhong)不生成(cheng)氧化(hua)物(wu)，以(yi)及(ji)形成缺(que)陷(xian)。此(ci)款產品(pin)對於臺金(jin)探(tan)索是壹款很好(hao)的實(shi)驗幫(bang)手。

MACF-2000型桌面(mian)型熔煉澆鑄爐(lu)此設備(bei)帶有(you)壹可(ke)旋(xuan)轉(zhuan)真空(kong)腔體(熔(rong)煉(lian)和(he)澆鑄在(zai)此(ci)腔體內(nei))，通(tong)過感應(ying)加熱方式(shi)在(zai)真空(kong)或氣氛保(bao)護環(huan)境下(xia)可(ke)熔(rong)煉(lian)各(ge)種(zhong)金(jin)屬(shu)材(cai)料，最高(gao)溫度(du)可(ke)達2000℃，通(tong)過腔(qiang)體旋(xuan)轉(zhuan)可進(jin)行樣(yang)品(pin)澆(jiao)鑄。此熔煉(lian)/澆鑄爐(lu)是壹款理想的探(tan)索新壹代合(he)金(jin)的工(gong)具。

SPS-5T-2000是壹款溫度(du)可(ke)達2000℃、壓(ya)力(li)最高(gao)5T的智(zhi)能放(fang)電(dian)等離(li)子(zi)體熱(re)壓(ya)燒(shao)結(jie)系統(tong)（Spark Plasma Sintering），其原(yuan)理(li)是利用(yong)通(tong)-斷(duan)直流脈(mai)沖(chong)電(dian)流直接通(tong)電(dian)燒(shao)結(jie)的加壓(ya)燒(shao)結(jie)法。通(tong)斷(duan)式(shi)直流脈(mai)沖(chong)電(dian)流的(de)主(zhu)要(yao)作(zuo)用是產生(sheng)放(fang)電(dian)等離(li)子(zi)體、放(fang)電(dian)沖擊壓(ya)力(li)、焦(jiao)耳(er)熱(re)和(he)電(dian)場(chang)擴散(san)作用(yong)，它具有(you)加熱均勻(yun)，升(sheng)降溫速度(du)快(kuai)、燒(shao)結(jie)時間(jian)短、組織(zhi)結(jie)構可(ke)控、產品(pin)組(zu)織(zhi)細(xi)小(xiao)均勻(yun)、可(ke)以得到高(gao)致密度(du)的(de)材(cai)料、節能(neng)環(huan)保(bao)等(deng)鮮(xian)明(ming)特(te)點

JK-VRP300是壹款高(gao)溫真空(kong)熱壓(ya)機，針對於晶(jing)片的(de)焊接或薄(bo)膜(mo)轉移(yi)，其可(ke)處(chu)理最大(da)樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)為 300mm*300mm*70mm。儀器最高(gao)工(gong)作溫(wen)度(du)為500℃，在(zai)此(ci)溫度(du)下(xia)可(ke)對樣(yang)品(pin)施(shi)加的最大(da)壓(ya)力(li)為30T。

JK-VYP500℃高(gao)溫真空(kong)熱壓(ya)機此設備(bei)設置(zhi)專門針(zhen)對於晶(jing)片焊接，薄(bo)膜(mo)轉移(yi)，和(he)LCP(液(ye)晶(jing)高(gao)聚(ju)物)層壓(ya)。加熱區100 mmx100 mm 或300 mm x300 mm。設備(bei)最高(gao)溫度(du)可(ke)達500℃，最大(da)壓(ya)力(li)20-40T。

JK-VYP50高(gao)溫小(xiao)型真空(kong)熱壓(ya)機是壹款小型化(hua)的(de)平(ping)板(ban)式(shi)真空(kong)熱壓(ya)機，針對於晶(jing)片的(de)焊接或薄(bo)膜(mo)轉移(yi)，其可(ke)處(chu)理最大(da)樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)為50mmx50mmx15mm。設備(bei)的性能(neng)非常適合(he)於(yu)第三(san)代半導體器件(jian)的(de)燒(shao)結(jie)鍵合(he)研(yan)究，儀器最高(gao)工(gong)作溫(wen)度(du)為500℃，最大(da)壓(ya)力(li)為5000N。於半導體器件(jian)制備(bei)過(guo)程中(zhong)的封裝互(hu)聯材(cai)料的封裝互(hu)聯工(gong)藝(yi)所需，可(ke)提(ti)供(gong)的真空(kong)與(yu)氣(qi)氛環(huan)境可(ke)以(yi)盡(jin)可(ke)能(neng)的(de)減(jian)少(shao)材(cai)料的氧化(hua)，是(shi)性(xing)價(jia)比的(de)實(shi)驗室(shi)研發設備(bei)。