010-61446422
當(dang)前(qian)位置：首頁(ye) > 產品中(zhong)心(xin) > > 半導體材料(liao)測試儀 > HEM-200 高(gao)低(di)溫(wen)霍(huo)爾效應(ying)測試(shi)系統(tong)
廠(chang)商性(xing)質(zhi)
生(sheng)產廠(chang)家(jia)更(geng)新時間(jian)
2025-12-02訪(fang)問(wen)量(liang)
479
PRODUCT我們(men)相(xiang)信(xin)好的產品是(shi)信(xin)譽的保證(zheng)！
ARTICLES致(zhi)力於(yu)成(cheng)為(wei)更(geng)好的解(jie)決方案(an)供應(ying)商！
詳細介(jie)紹
| 品牌(pai) | 其他品牌(pai) | 產地(di)類(lei)別(bie) | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應(ying)用(yong)領(ling)域(yu) | 環(huan)保,能源(yuan),電(dian)子(zi)/電(dian)池,綜(zong)合(he) |
關鍵(jian)詞(ci)：濃度(du)、遷(qian)移率(lv)、電阻率(lv)、霍(huo)爾系數(shu)，半導體
系統組(zu)成(cheng)：HEM-200 高(gao)低(di)溫(wen)霍(huo)爾效應(ying)測試(shi)系統(tong)本儀器系(xi)統由(you)電磁(ci)鐵(tie)、電(dian)磁(ci)鐵電源、高(gao)精度(du)恒流源(yuan)、高(gao)精度(du)電(dian)壓表(biao)、矩陣卡、霍(huo)爾效應(ying)樣品支(zhi)架、標(biao)準樣(yang)品、系(xi)統軟件組(zu)成(cheng)。本(ben)套(tao)系統(tong)測(ce)試(shi)應(ying)用(yong)的是最新(xin)的KEITHLEY 進口測(ce)試(shi)源表(biao)，配合配套(tao)的低(di)延遲寬(kuan)帶(dai)寬(kuan)的矩陣卡，極(ji)大(da)提(ti)高(gao)了(le)樣品的供電(dian)電流和(he)測(ce)試樣(yang)品的霍(huo)爾電壓的量程和精度(du)，寬(kuan)電流供電(dian)和寬(kuan)電(dian)壓測試(shi)範圍(wei)可(ke)以覆(fu)蓋(gai)市面上(shang)絕(jue)大(da)多(duo)數的半導體器件。用(yong)於(yu)測量(liang)半導體材料(liao)的載流子(zi)濃(nong)度(du)、遷(qian)移率(lv)、電阻率(lv)、霍(huo)爾系數(shu)等(deng)重要(yao)參(can)數，而這些參(can)數是(shi)了(le)解(jie)半導體材料(liao)電學(xue)特(te)性(xing)必(bi)須(xu)預(yu)先(xian)掌控的，因此(ci)霍(huo)爾效應(ying)測試(shi)系統(tong)是理解(jie)和(he)研(yan)究(jiu)半導體器件和(he)半導體材料(liao)電學(xue)特(te)性(xing)的工(gong)具。 實(shi)驗結果由(you)軟(ruan)件自(zi)動計算(suan)得(de)到(dao)，可(ke)同(tong)時得(de)到(dao)體(ti)載流子(zi)濃(nong)度(du)(Bulk Carrier Concentration)、表(biao)面載流子(zi)濃(nong)度(du) (Sheet Carrier Concentration)、遷(qian)移率(lv) (Mobility)、電阻率(lv)(Resistivity)、霍(huo)爾系數(shu)(Hall Coefficient)、磁致(zhi)電(dian)阻 (Magnetoresistance)等(deng)等(deng)。
系統(tong)參(can)數:
我(wo)們可(ke)提(ti)供各(ge)類(lei)霍(huo)爾效應(ying)測試(shi)系統(tong)用(yong)於(yu)教學(xue)和研究
可(ke)測(ce)試(shi)材(cai)料(liao):
物理學(xue)參(can)數 | 載(zai)流子(zi)濃(nong)度(du)(Carrier Density) | 103cm-3~ 1023cm-3 |
遷(qian)移率(lv)(Mobility) | 0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec | |
電(dian)阻率(lv)範圍(wei)(Resistivity) | 10-70hm*cm~ 10100hm*cm | |
霍(huo)爾電壓(Hall voltage) | 10nV~ 200V | |
霍(huo)爾系數(shu) | ±10-5~ 1027cm-3/C | |
可(ke)測(ce)試(shi)材(cai)料(liao)類(lei) | 半導體材料(liao) | SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵(tie)氧(yang)體(ti)材料(liao)等(deng) |
低(di)阻抗材(cai)料(liao) | 石墨(mo)烯(xi)、金屬(shu)、透明(ming)氧化(hua)物、弱(ruo)磁(ci)性(xing)半導體材料(liao)、TMR 材料(liao)等(deng) | |
高(gao)阻抗材(cai)料(liao) | 半絕(jue)緣(yuan)的 GaAs，GaN，CdTe 等(deng) | |
材料(liao)導電粒(li)子 | 材(cai)料(liao)的P型與N型(xing)測試 | |
磁鐵類(lei)型 | 磁(ci)場可(ke)變(bian)電(dian)磁(ci)鐵 | |
磁場(chang)環境(jing) | 磁場(chang)大(da)小(xiao) | 2000mT(極(ji)頭間(jian)距(ju)為(wei):10mm) 1500mT(極(ji)頭間(jian)距(ju)為(wei):20mm ) 1000mT(極(ji)頭間(jian)距(ju)為(wei):30mm ) 800mT(極(ji)頭間(jian)距(ju)為(wei):40mm) 600mT(極(ji)頭間(jian)距(ju)為(wei):50mm) |
霍(huo)爾效應(ying)測試(shi)磁場(chang) | 霍(huo)爾效應(ying)中極(ji)頭間(jian)距(ju)為(wei) 30mm，此時磁(ci)場最大(da)為(wei)1000mT | |
均(jun)勻(yun)區 | 1% | |
最小(xiao)分(fen)辨率(lv) | 0.1Gs | |
可(ke)選磁環境(jing) | 可(ke)根(gen)據(ju)客(ke)戶(hu)需求(qiu)定(ding)制相(xiang)關磁(ci)性(xing)大(da)小(xiao)的電磁鐵(tie) | |
電學(xue)參(can)數 | 電(dian)流源(yuan) | ±0.1nA—±1000mA |
電流源(yuan)分(fen)辨率(lv) | 0.01nA | |
測量(liang)電壓 | ±10nV—±200V | |
溫(wen)度(du)環(huan)境(jing) | 80K~500K | |
控(kong)溫(wen)精度(du) | 0.1K | |
其(qi)他配(pei)件 | 遮(zhe)光性(xing) | 外部(bu)安(an)裝(zhuang)遮(zhe)光部(bu)件，使(shi)得(de)測(ce)試(shi)材(cai)料(liao)更(geng)加(jia)穩(wen)定 |
樣品尺(chi)寸(cun) | 10mm*10mm(標(biao)準) 16mm*16mm（最大(da)） | |
箱(xiang)式(shi)機櫃(gui) | 600*600*1000mm | |
測(ce)試樣(yang)片 | 提供中(zhong)國科(ke)學(xue)院(yuan)半導體所霍(huo)爾效應(ying) 標(biao)準測(ce)試樣片及(ji)數據(ju)：1 套(tao) （矽、鍺(zhe)、砷(shen)化(hua)鎵(jia)、銻(ti)化(hua)銦） | |
制作歐(ou)姆(mu)接(jie)觸(chu) | 電烙鐵(tie)、銦(yin)片、焊錫(xi)、漆包(bao)線等(deng) |
產品咨詢
