描(miao)述(shu)：晶(jing)圓(yuan)是(shi)指(zhi)矽半(ban)導(dao)體集成電路(lu)制(zhi)作(zuo)所(suo)用的(de)矽晶(jing)片(pian)，其(qi)形(xing)狀(zhuang)為(wei)圓(yuan)形；晶(jing)圓(yuan)高(gao)溫(wen)測試(shi)是(shi)集(ji)成電路(lu)行(xing)業(ye)壹(yi)道(dao)重要制(zhi)程(cheng)，通(tong)過嚴格(ge)的高(gao)溫(wen)測試(shi)可以預先(xian)剔(ti)除(chu)不(bu)良芯(xin)片(pian)，降(jiang)低(di)後續高(gao)昂(ang)的封(feng)裝(zhuang)成本。WSHD-600型晶(jing)圓(yuan)均勻加熱裝(zhuang)置是(shi)壹(yi)種特殊設(she)計的均(jun)勻加熱裝(zhuang)置。為(wei)保(bao)證晶(jing)圓(yuan)高(gao)溫(wen)測試(shi)精(jing)度(du)，要求(qiu)整(zheng)個(ge)吸(xi)盤表(biao)面各(ge)點的溫(wen)度(du)控(kong)制(zhi)在設(she)定(ding)溫度(du)±1℃的(de)範(fan)圍內(nei)，最大可以達到±0.03℃，是(shi)目(mu)前(qian)研究(jiu)晶(jing)圓(yuan)半(ban)導(dao)體重要輔(fu)助(zhu)工具(ju)。

WSHD-600型晶(jing)圓(yuan)均勻加熱裝(zhuang)置

關(guan)鍵(jian)詞：晶(jing)圓(yuan)，均勻，6寸

晶(jing)圓(yuan)是(shi)指(zhi)矽半(ban)導(dao)體集成電路(lu)制(zhi)作(zuo)所(suo)用的(de)矽晶(jing)片(pian)，其(qi)形(xing)狀(zhuang)為(wei)圓(yuan)形；晶(jing)圓(yuan)高(gao)溫(wen)測試(shi)是(shi)集(ji)成電路(lu)行(xing)業(ye)壹(yi)道(dao)重要制(zhi)程(cheng)，通(tong)過嚴格(ge)的高(gao)溫(wen)測試(shi)可以預先(xian)剔(ti)除(chu)不(bu)良芯(xin)片(pian)，降(jiang)低(di)後續高(gao)昂(ang)的封(feng)裝(zhuang)成本。WSHD-600型晶(jing)圓(yuan)均勻加熱裝(zhuang)置是(shi)壹(yi)種特殊設(she)計的均(jun)勻加熱裝(zhuang)置。為(wei)保(bao)證晶(jing)圓(yuan)高(gao)溫(wen)測試(shi)精(jing)度(du)，要求(qiu)整(zheng)個(ge)吸(xi)盤表(biao)面各(ge)點的溫(wen)度(du)控(kong)制(zhi)在設(she)定(ding)溫度(du)±1℃的(de)範(fan)圍內(nei)，最大可以達到±0.03℃，是(shi)目(mu)前(qian)研究(jiu)晶(jing)圓(yuan)半(ban)導(dao)體重要輔(fu)助(zhu)工具(ju)。

主要技(ji)術(shu)參數;

1、溫度(du)：室(shi)溫(wen)-200℃，650℃，1000℃，

2、加熱速率(lv)：40℃/min,

3、加熱臺(tai)尺寸：6寸，8寸，12寸等(deng)可(ke)以定(ding)制(zhi)

4、控溫精(jing)度(du)：±1 ℃

5、加熱溫(wen)度(du)均(jun)勻度(du)允許誤(wu)差：±1℃ 

6、加熱臺(tai)需(xu)可抗(kang)壓(ya)：100KN

7、可配合各(ge)種(zhong)電(dian)學測試(shi)設(she)備(bei)進行(xing)電(dian)學(xue)數據功(gong)能(neng)采(cai)集

8、表(biao)面處理(li)：鍍膜，鍍金(jin)或(huo)是(shi)黑礬(fan)石

9、熱臺(tai)材質：不(bu)銹鋼(gang)或(huo)銅

10、可以配合(he)各(ge)種電學(xue)測試(shi)系(xi)統(tong)及探(tan)針測試(shi)

               6寸晶(jing)圓(yuan)在不(bu)同溫度(du)下(xia)均勻性