描述：機電(dian)薄(bo)膜(mo)e31測(ce)試儀 aix4PB
(Electromechanical thin film e31 analyzer )

薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)的(de)機電(dian)性能是MEMS器件(jian)設(she)計的(de)關(guan)鍵(jian)性能，縱向壓(ya)電(dian)系數d33和(he)橫向壓(ya)電(dian)系數e31被用(yong)於(yu)表(biao)征(zheng)傳感(gan)器(qi)和(he)執(zhi)行器(qi)的(de)這(zhe)些(xie)關(guan)鍵(jian)性能。
縱向壓(ya)電(dian)系數可(ke)由(you)aixDBLI測(ce)試，而(er)橫(heng)向壓(ya)電(dian)系數e31就可(ke)用(yong)aix4PB系(xi)統(tong)測試。
通過必要(yao)夾具(ju)，可(ke)以(yi)測(ce)得(de)正向e31和(he)逆向e31。

機電(dian)薄(bo)膜(mo)e31測(ce)試儀 aix4PB
(Electromechanical thin film e31 analyzer )

薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)的(de)機電(dian)性能是MEMS器(qi)件設計的(de)關(guan)鍵(jian)性能，縱向壓(ya)電(dian)系數d33和(he)橫向壓(ya)電(dian)系數e31被(bei)用(yong)於(yu)表(biao)征(zheng)傳感(gan)器(qi)和(he)執(zhi)行器(qi)的(de)這(zhe)些(xie)關(guan)鍵(jian)性能。
縱(zong)向壓(ya)電(dian)系數可(ke)由(you)aixDBLI測(ce)試，而(er)橫(heng)向壓(ya)電(dian)系數e31就可(ke)用(yong)aix4PB系(xi)統測試。
通過必要(yao)夾具(ju)，可(ke)以(yi)測(ce)得(de)正向e31和(he)逆向e31。

標(biao)準的(de)aix4PB系(xi)統主要由(you)以(yi)下部分(fen)組(zu)成(cheng)：四(si)點(dian)彎曲樣品(pin)夾具(ju)、TF Analyzer 2000、單光束(shu)激光測(ce)振(zhen)儀。
可(ke)以(yi)進(jin)行如下測試功能：
全(quan)部鐵(tie)電(dian)性能表征(zheng)，基於TF2000系(xi)統，包括(kuo)極化(hua)、電(dian)容、漏電(dian)流(liu)、疲勞(lao)測試。
有(you)效橫向壓(ya)電(dian)系數的(de)測(ce)量通過交(jiao)替(ti)均勻機械力(li)施(shi)加(jia)於樣品(pin)，並測(ce)試的(de)電(dian)荷。
所(suo)有(you)的(de)測(ce)量數據(ju)也可(ke)以(yi)在(zai)附加(jia)的(de)壓(ya)縮(suo)或拉伸(shen)靜(jing)態負(fu)載下進(jin)行，這(zhe)也覆(fu)蓋(gai)了(le)整個(ge)壓電(dian)薄(bo)膜(mo)在(zai)整(zheng)個(ge)MEMS器(qi)件中的(de)行程。

特點(dian)/規(gui)格：
四(si)點(dian)彎曲樣品(pin)夾具(ju)：
產生(sheng)力(li)的(de)壓(ya)電(dian)執(zhi)行器(qi)
激光測(ce)振(zhen)儀夾具(ju)
很(hen)容易接觸到頂(ding)部和(he)底部(bu)的(de)樣品(pin)電(dian)極
所(suo)有(you)的(de)TF2000系(xi)統的(de)測(ce)試功能 
遠(yuan)程接入(ru)和(he)腳本控(kong)制(zhi)的(de)可(ke)選件
單光束(shu)激光幹(gan)涉儀，最小分辨(bian)率1nm

軟(ruan)件：
Windows 7 操(cao)作系統
通過GPIB或(huo)以太網的(de)遠(yuan)程接入(ru)和(he)腳本控(kong)制(zhi)
通過ODBC接口(kou)的(de)數據(ju)庫連(lian)接
測(ce)試數據(ju)通過ASCII形式輸出(chu)
測(ce)試數據(ju)交(jiao)換(huan)通過aixPlorer軟(ruan)件或Resonance Analyzer